20～6000 K温度范围内二氧化碳配分函数的计算

在20～6000 K温度范围内,通过乘积近似计算了二氧化碳及其同位素的总的配分函数.其中振动配分函数用谐振子近似,转动配分函数考虑了离心扭曲修正.20～6000 K温度范围被划分为五个小区间.在每一个小区间,计算的总的配分函数被拟合到一个温度T的四阶或五阶多项式,从而获得五个或六个拟合系数.通过这些拟合系数可以快速准确的获得分子在所研究温度范围内任意温度下的总配分函数.     

部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.     

浮栅ROM器件辐射效应机理分析

分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和⁶⁰Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词： FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">⁶⁰Co γ 总剂量效应     

500—4250eV电子对CO2的散射全截面绝对测量

对中能电子与二氧化碳分子碰撞的散射全截面测量，给出５００－４２５０ｅＶ电子对ＣＯ２的绝对散射全截面。对测量结果作了曲线拟合，并与已有的实验和理论结果进行了比较     

三层不对称人工电磁材料界面处表面等离子体激元的理论研究

从P和S偏振出发.研究了由常规材料/左手材料/负介电常数材料、及常规材料/左手材料/负磁导率材料这两种三层不对称结构界面上表面等离子体激元(Surface plasmon polaritons,SPPs)的存在区域、色散曲线及其激发.观察到表面等离子体激元的性质强烈地依赖于人工电磁材料的组成参量,例如介质板的厚度和等离子体的频率.最后,使用衰减全反射(Attenuated total reflection,ATR)技术,探究了激发和观察表面等离子体激元的可能性.并针对P和s偏振两种情况计算了衰减全反射光谱.     

Design of the low energy beam transport line for the China spallation neutron source

The design of the China Spallation Neutron Source (CSNS) low-energy beam transport (LEBT) line, which locates between the ion source and the radio-frequency quadrupole (RFQ), has been completed with the TRACE3D code. The design aims at perfect matching, primary chopping, a small emittance growth and sufficient space for beam diagnostics. The line consists of three solenoids, three vacuum chambers, two steering magnets and a pre-chopper. The total length of LEBT is about 1.74 m. This LEBT is designed to transfer 20 mA of H-pulsed beam from the ion source to the RFQ. An induction cavity is adopted as the pre-chopper.The electrostatic octupole steerer is discussed as a candidate. A four-quadrant aperture for beam scraping and beam position monitoring is designed.     

基于单通道反射型电光调制器实现不同路光同时调制的方法

提出了一种利用单通道反射型聚合物电光调制器同时调制不同路光的方法。衰减全反射结构的电光调制器,其每一个衰减全反射(ATR)峰的位置分别对应于一个导波共振模式。实验系统中利用衰减全反射导膜峰作为调制通道,使其每一路光路的入射角分别对应于不同导波共振模式的工作角,就可以实现利用单通道的电光调制器同时调制不同路光。提出了三种实现两路光同时调制的模式,并给出了三种模式的调制结果。结果表明,作为调制通道的导模阶数越低,调制效率越高。在832 nm光波波长下,采用最低阶导模进行调制时可以获得42.9%的调制效率。     

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应

对0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究. 结果表明: 在相同累积剂量, SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤, 并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤. 虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤, 但室温退火后, 高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤. 研究结果表明0.18 μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应. 利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.     

基于PASCO系统的物质折射率测量

设计了基于全反射原理和PASCO系统的角度扫描物质折射率计算机测量方案.用波长650 nm的激光,测量了水和酒精的折射率,与公认的测量结果较为吻合.通过在透射方观察找到全反射现象,且因出射光线与入射光线的方向是在同一方位,所以透射方并无需转动.引入PASCO系统可测量得到总透射率随入射光角位置的变化关系曲线.