EuS/Ta异质结的极大磁电阻效应

在铁磁/超导异质结中,铁磁体的交换场通过近邻效应将导致超导体准粒子态密度的塞曼劈裂.基于该效应,在外磁场不强的情况下,通过外加磁场可以有效地调节铁磁/超导界面处的交换作用,从而实现超导体在正常态和超导态之间转换,产生极大磁电阻.本文利用脉冲激光沉积方法制备了EuS/Ta异质结并研究了其电磁特性.Ta在3.6 K以下为超...     

IMD-MgB2超导线材的研究进展

中心镁扩散技术(IMD)自2003年被Giunchi等人首创以来,国内外学者系统地揭示了Mg与B反应机制,MgB_(2)烧结成相过程及掺杂物的影响;IMD-MgB_(2)线材具有致密的MgB_(2)层,J_(e)远高于同等条件下传统PIT法制备的线材.目前IMD-MgB_(2)百米级线材已被成功制备,为IMD-MgB_(2)超导线材的生产应用奠定了基础.本文首先简要介绍了IMD-MgB_(2)超导线材的发展历程,其次讨论了对线材超导性能影响的相关因素,包括B粉和C掺杂、有效的MgB_(2)层密度、晶粒尺寸、粉末填充系数、线材直径、热处理条件及线材的交流损耗,最后简述了IMD-MgB_(2)超导线材目前存在的技术难题及未来的工作重心.     

准各向同性高电流密度导体弯曲特性研究

提出了一种准各向同性高工程电流密度高温超导导体的有限元模型,利用该有限元模型计算了导体在不同弯曲半径下的应变分布以及临界电流衰减程度,并对导体样品进行了弯曲实验.实验结果和仿真结果基本一致,基于该有限元模型进一步计算了导体的不同参数对弯曲半径的影响.该研究为准各向同性高工程电流密度高温超导导体在聚变磁体领域的应用提供了...     

复层籽晶制备单晶畴YBCO超导块材

本文介绍了沿c轴方向排布复层籽晶制备YBCO超导单畴的方法.该方法能够使123晶畴在不同深度进行生长.通过c轴方向籽晶的排布,研究了YBCO单畴中的(001)/(001)晶界.虽然由于压模中籽晶ab面的倾斜,造成部分(001)/(001)晶界出现大角晶界,使晶界上残余有液相,但仍有晶界连接良好、晶界上不存在残余液相和211粒子、错配角小于5°的(001)/(001)晶界的形成.对于制备有深度要求的单畴块材,复层籽晶法是一种有效的生长方法.在定向控制好籽晶方向的条件下,该方法可以提高超导单畴的生长深度.在77K,0.5T下,测试该样品磁悬浮力达到37N.     

飞秒时间分辨光抽运探测技术及进展

文章简要介绍了飞秒时间分辨光抽运探测技术以及作者所在实验室的最新研究进展．灵敏度和信噪比是实验中的重要参数，文章着重介绍了作者在这两方面的改进，从而可检测到更微弱信号，并降低了使用的激光功率．配合具有光学窗口的液氦低温系统，还可对更多领域的材料进行研究，其中包括高温超导、生物化学样品和纳米材料等，并可给出物质内部结构等方面的重要信息．     

量子线/绝缘层/p波超导体结的隧道谱

用Bogoliubov-de Gennes方程来研究量子线/绝缘层/p波超导体结(q/I/p)中的准粒子输运过程，利用推广的Blonder，Tinkham和Klapwijk模型计算绝对零度和有限温度下q/I/p的一级谐波隧道谱.和量子线/绝缘层/d波超导体结的一级谐波隧道谱不同的是q/I/p的一级谐波隧道谱中存在零偏压电导峰.随着q/I/p中绝缘层的势垒散射增强，q/I/p的一级谐波隧道谱中零偏压电导峰变高.     

三维介观超导环涡旋态的研究

通过数值求解非线性金兹堡-朗道(G-L)方程组,研究了三维介观超导环中的涡旋态。发现了在细环中只能存在巨涡旋态,以及存在顺磁、抗磁迈斯纳效应和间隙性超导现象。在粗环中,发现了多涡旋态和巨涡旋态共存的混合态。相应讨论有助于理解介观超导环中涡旋态相变。     

单相超导体CaLaBaCu_(3-x)BxO_(7-δ)正常态热电势率研究

从 77K到 30 0 K之间对 Ca L a Ba Cu3 -x Bx O7-δ单相体系的正常态热电势率进行了微分法测量 ,发现随着硼含量 x从 0向 0 .4的逐步增加 ,样品体系正常态特性从金属性向类半导体性质转变 ,其主要载流子由空穴型为主转变为电子型为主 .根据以上的性质转变 ,我们采用双带模型及半导体模型对 x的不同值进行曲线模拟 ,拟合的热电势率—温度曲线与实验曲线相当吻合 ,同时根据模型对样品的费米能及有效能隙进行了计算     

Effect of Intra-Dot Coulomb Interaction on Andreev Reflection in Normal-Metal/Quantum-Dot/Superconductor System

We investigate the effect of intra-dot Coulomb interaction on the Andreev reflection in a normalmetal/quantum-dot/superconductor (N-QD-S) system with multiple levels in the quantum dot, in the regime where the intra-dot interacting constant is comparable to the energy gap of superconducting lead. By using nonequilibrium Green function method, the averaged occupation of electrons in the quantum dot and the Andreev reflection (AR) current are studied. Comparing to the case of non-interacting quantum dot, the system shows significant changes for the a two-step-like behavior; and the I-Vg shows two groups of peaks, separated by U and with equal heights, where Vg is the gate voltage and U denotes the intra-dot Coulomb interaction constant. (ii) For finite bias voltage, dips, superposed V ≥ U/2, extra AR current peaks occur between the two groups of the peaks. Besides, the properties of the heights of the AR current peaks are more complicated.``     

Kq, Scaling of ac susceptibility and the nonlinear response function of high-temperature superconductors

The amplitude-dependent ac susceptibility of high-temperature superconductors is shown to obey some empirical scaling relations. We try to analyze this behavior by extending a dc nonlinear response function of mixed state to the ac cases. The derived equations for critical current and ac susceptibility ξ(T) agree with the scaling relations of experimental data.