一类含参广义集值拟变分包含组的解的灵敏性分析

本文引入了一类新的含参广义集值拟变分包含组,应用隐预解算子技巧,建立了该类变分包含组与一类不动点问题的等价性,在适当的条件下,分析了含参广义集值拟变分包含组的解的灵敏性,所得结果推广改进了最新文献中的许多结果．     

一类机器人系统的最优控制

本文通过把结构阻尼系数当作控制变量来讨论一类弹性机器人系统的最优控制问题 ,并利用Banach空间几何性质证明了最优控制元的存在唯一性     

浅析二阶齐次线性变系数微分方程的一个可积类型

本文讨论了二阶齐次线性变系数微分方程的特殊形式，给出了这种微分方程的一个可积类型．     

Maximizing a Linear Fractional Function on a Pareto Efficient Frontier

We consider the problem of maximizing a linear fractional function on the Pareto efficient frontier of two other linear fractional functions. We present a finite pivoting-type algorithm that solves the maximization problem while computing simultaneously the efficient frontier. Application to multistage efficiency analysis is discussed. An example demonstrating the computational procedure is included.     

变系数非线性方程的Jacobi椭圆函数展开解

把Jacobi椭圆函数展开法扩展并应用到求解变系数的非线性演化方程,比较方便地得到新的解析解 关键词： Jacobi椭圆函数 变系数非线性方程 类椭圆余弦波解 类孤子解     

关于惠斯登电桥测电阻倍率与检流计灵敏度关系的研究

在相同的设备条件下，电桥临近平衡时灵敏度最高的最佳倍率是：组成倍率的两个电阻的数量级与待测电阻数量级相等，且比值为1的倍率。     

对一个力学碰撞问题的讨论

对普通物理力学中有关碰撞的一个问题,从恢复系数e的取值角度出发,进行了详细求解和讨论,得到了更完整的结果.     

直流稳压电源波形演示器制作说明

直流稳压电源可以将交流电压变换为直流电压,并使之稳定,在我们现实生活中应用很广泛,在实验中我们利用的电学知识,设计制造了一种直流稳压电源。本文简要介绍了这种直流稳压电源波形演示器的设计目的和电路原理,重点阐述了它的制作流程、滤波和稳压原理以及性能测试输出波形。     

Comparison of growth stress measurements with modelling in thin iron oxide films

High temperature oxidation of metals leads to residual stresses both in the metal and in the growing oxide. In this work, the evolution of this residual stresses is theoretically predicted in the growing oxide layers. The origin of these stresses is based on a microstructural model. Using experimental results providing from the oxidation kinetics, and an analysis proposed to describe the growth strain occurring in the thin layers, a set of equations is established allowing determining the stresses evolution with oxidation time. Then, the model is compared with experimental results obtained on both α-Fe and phosphated α-Fe, oxidised at different temperatures. Numerical data are extracted from experiments either with an asymptotic formulation or with an inverse method. These two methods give good agreement with experiments and allow extracting the model parameters.     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。