首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   16434篇
  免费   2234篇
  国内免费   1612篇
化学   8159篇
晶体学   297篇
力学   1171篇
综合类   231篇
数学   2463篇
物理学   7959篇
  2024年   35篇
  2023年   144篇
  2022年   413篇
  2021年   454篇
  2020年   470篇
  2019年   398篇
  2018年   412篇
  2017年   584篇
  2016年   630篇
  2015年   568篇
  2014年   801篇
  2013年   1350篇
  2012年   1047篇
  2011年   993篇
  2010年   792篇
  2009年   1001篇
  2008年   1003篇
  2007年   1119篇
  2006年   951篇
  2005年   868篇
  2004年   756篇
  2003年   734篇
  2002年   606篇
  2001年   516篇
  2000年   478篇
  1999年   462篇
  1998年   379篇
  1997年   366篇
  1996年   321篇
  1995年   290篇
  1994年   216篇
  1993年   202篇
  1992年   155篇
  1991年   143篇
  1990年   105篇
  1989年   99篇
  1988年   76篇
  1987年   48篇
  1986年   46篇
  1985年   42篇
  1984年   56篇
  1983年   14篇
  1982年   34篇
  1981年   23篇
  1980年   12篇
  1979年   22篇
  1978年   8篇
  1977年   9篇
  1974年   6篇
  1973年   7篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 11 毫秒
81.
黄骏  陈维  李辉  王鹏业  杨思泽 《物理学报》2013,62(6):65201-065201
研究了大气压冷等离子体射流对子宫颈癌Hela细胞的灭活机制. 在倒置显微镜下观察不同等离子体处理条件下的细胞形态, 并通过中性红吸收测试定量测定各个条件下的细胞存活率. 将功率维持在18 W, 在900 mL/min 氩等离子体中添入氧气的百分含量分别为1%, 2%, 4% 和8%的条件下处理Hela细胞, 探讨活性气体氧气在惰性气体氩气中的百分含量对Hela癌细胞灭活效率的影响, 发现添加2%氧气时, 氩/氧等离子体灭活效果最佳, 处理180 s后细胞存活率可降至7%. 当继续添加氧超过2%时, 灭活效果逐渐减弱, 直至8%时, 其效果反而不如单纯氩等离子体. 通过测量等离子体发射光谱, 结果表明活性氧自由基在癌细胞灭活过程中可能起关键作用. 关键词: 大气压冷等离子体射流 Hela癌细胞 存活率 发射光谱  相似文献   
82.
研究了高位振动态RbH(Х1Σ+,v″=15-21)与CO2碰撞转移过程。脉冲激光激发RbH至高位态,利用激光感应荧光 光谱(LIF)得到RbH(Х1Σ+,v″)与CO2的猝灭速率系数,。利用激光泛频光谱技术,测量了CO2(0000,J)高转动态分布。得到了转动温度,从而获得了平均转动能和转动能的变化<ΔErot>,发现。对于v"=16,证实了振动—振动能量转移的4-1近共振过程。在一次碰撞条件下,通过速率方程分析,得到RH(v")-CO2振转速率系数。对于v"=15,J=32-48,速率系数在1.25-0.33×10-13cm3s-1.之间,对于v"=21,速率系数在2.47-1. 53×10-13cm3s-1之间,其能量相关性是明显的。  相似文献   
83.
利用前一篇论文计算所得的振动频率、转动常数和配分函数,再将常温下的无转动跃迁矩平方近似为一常数并应用于高温,进一步编制程序,计算了氢化物AlH2分子001-000跃迁带不同温度段的辐射强度和吸收系数等谱带辐射特征.论文中计算的配分函数值与高斯计算及拟合值,不管是在常温还是高温下,都吻合较好,这说明构建的模型是可靠的,可以用来进一步计算谱带强度和吸收系数;从获得不同温度段的模拟光谱辐射特征图也可以看出,本文得到的谱带特征与文献一致.这对进一步研究自由基分子高温光谱的实验和理论都具有一定的参考作用.  相似文献   
84.
采用激发波长800 nm、脉宽50 fs、重复频率1 kHz的Ti:sapphire放大飞秒激光器作为激发光源,利用开孔Z扫描技术研究了不同粒径的CdTe:Mn量子点的非线性吸收性质。理论计算结果表明,同一生长时间CdTe:Mn量子点的双光子吸收系数是CdTe量子点的1.1倍,其双光子吸收系数随量子点尺寸的减小而增大,这是由于CdTe:Mn量子点非线性吸收属于反饱和吸收,掺杂了Mn元素,减小了表面缺陷浓度,表明掺杂量子点具有很好的双光子吸收现象。  相似文献   
85.
大气等离子体加工反应过程中,等离子体发生装置的热稳定过程对去除率有直接影响,CF4是化学反应中活性F*原子的提供者,O2是重要的辅助气体。为了寻找这三者对大气等离子体加工反应过程的影响规律,采用大气等离子体加工系统进行加工、光谱仪监控等离子体反应过程的活性F*原子的光谱变化。实验结果表明,在大气压等离子体加工系统中: 热稳定后,活性F*原子强度基本不随时间变化;随着CF4含量的增加,F*原子谱线轮廓发生了自吸收现象,这说明采用光谱法研究CF4含量对活性F*原子含量的影响是不完全准确的;由于O2易和CF4解离的中间产物反应,抑制活性粒子重新组合,因此一定范围内随着O2含量增加,活性F*原子增加。  相似文献   
86.
坚增运  高阿红  常芳娥  唐博博  张龙  李娜 《物理学报》2013,62(5):56102-056102
本文用分子动力学模拟研究了Ni熔体以不同冷速凝固后微观结构的演变规律, 并通过理论计算确定出了Ni熔体凝固后获得理想非晶的临界条件. 模拟结果发现冷速小于1011 K/s时, Ni 熔体凝固后形成晶态组织; 冷速在1011 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后形成由晶态结构与非晶态结构组成的混合组织. 冷速小于1010 K/s, Ni 熔体凝固后形成的晶态组织具有fcc结构; 冷速在1010 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后组织中的晶态由fcc和hcp结构层状镶嵌排列构成. 通过分析模拟结果和计算结果, 确定出了Ni熔体凝固后形成理想非晶的临界冷速为1014.5 K/s. 并发现Ni熔体中临界晶核(冷速等于1014.5 K/s)和亚临界晶核(冷速大于1014.5 K/s) 均由fcc和hcp组成层状偏聚结构, 这表明Ni熔体中生长的晶体、临界晶核和晶胚的结构是相同的. 关键词: 分子动力学模拟 晶体团簇 临界冷速 结构  相似文献   
87.
微穿孔板吸声结构是由微穿孔板与板后空腔组成的共振吸声结构,被认为是继多孔吸声材料之后发展起来的最有吸引力的吸声结构,其吸声特性与结构参数孔径d、板厚t、孔距b及空腔深度D有关,如何按需设计一个有效的微穿孔板吸声结构已成为目前研究的热点。本文从微穿孔板吸声结构和吸声特性混合设计的角度出发,使用面向对象的编程语言C++开发了微穿孔板吸声结构设计平台。与以往设计方法不同,本文开发的软件平台综合考虑了结构参数和吸声特性参数两方面的限制,根据实际应用要求平衡微穿孔板吸声结构的最大吸声系数与吸声带宽之间的制约关系,并以饱满的吸声曲线为目标,提供满足混合设计要求的优化结构参数。  相似文献   
88.
Fe对掺钕磷酸盐激光玻璃激光性能的影响   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
 在理论分析的基础上,具体讨论了Fe质量分数小于10-4对1 053 nm处光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁几率的影响规律,发现Fe在1 053 nm处的光吸收损耗和Nd3+无辐射跃迁能量转移都与Fe质量分数成平方关系增长, Fe对1 053 nm光吸收的影响较大而Fe与Nd3+之间的能量转移不足50 Hz。这对生产过程中Fe含量的控制有重要指导意义。  相似文献   
89.
吴师岗  邵建达  范正修 《物理学报》2006,55(4):1987-1990
探讨了HfO2薄膜中负离子元素杂质破坏模型,并得出薄膜中的杂质主要来源于 镀膜材料. 用电子束蒸发方法沉积两种不同Cl元素含量的HfO2薄膜,测定薄膜 弱吸收和损伤阈值来验证负离子元素破坏模型. 结果表明,随着Cl元素含量的增加薄膜的弱 吸收增加损伤阈值减小. 这主要是因为负离子元素在蒸发过程中形成挥发性的气源中心而产 生缺陷,缺陷在激光辐照过程中又形成吸收中心. 因此负离子元素的存在将加速薄膜的破坏 . 关键词: 负离子元素杂质 缺陷 吸收  相似文献   
90.
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2. 采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构. 结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV. 关键词: 磁控溅射 二硫化铁 X射线吸收近边结构 电子结构  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号