全文获取类型
收费全文 | 2697篇 |
免费 | 483篇 |
国内免费 | 266篇 |
专业分类
化学 | 468篇 |
晶体学 | 12篇 |
力学 | 250篇 |
综合类 | 120篇 |
数学 | 1076篇 |
物理学 | 1520篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 16篇 |
2022年 | 86篇 |
2021年 | 72篇 |
2020年 | 65篇 |
2019年 | 68篇 |
2018年 | 65篇 |
2017年 | 115篇 |
2016年 | 116篇 |
2015年 | 73篇 |
2014年 | 138篇 |
2013年 | 196篇 |
2012年 | 142篇 |
2011年 | 176篇 |
2010年 | 140篇 |
2009年 | 158篇 |
2008年 | 188篇 |
2007年 | 176篇 |
2006年 | 157篇 |
2005年 | 176篇 |
2004年 | 106篇 |
2003年 | 136篇 |
2002年 | 131篇 |
2001年 | 121篇 |
2000年 | 104篇 |
1999年 | 88篇 |
1998年 | 82篇 |
1997年 | 62篇 |
1996年 | 53篇 |
1995年 | 37篇 |
1994年 | 39篇 |
1993年 | 21篇 |
1992年 | 17篇 |
1991年 | 18篇 |
1990年 | 16篇 |
1989年 | 15篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 5篇 |
1978年 | 7篇 |
1977年 | 3篇 |
1976年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有3446条查询结果,搜索用时 0 毫秒
91.
利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/pSi异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E1=Ev+0.21eV,E2=Ev+0.44eV,E3=Ev+071eV;而1000℃退火样品仅存在一个E1=Ev+021eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱。发现1000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。 相似文献
92.
Constructing specific structures from the bottom up with artificial units is an important interdisciplinary topic involving physics, chemistry, materials, and so on. In this work, we theoretically demonstrated the feasibility of using superatoms as building blocks to assemble a complex at atomic-level precision. By using a series of actinide-based endohedral metallofullerene (EMF) superatoms that can form one, two, three and four chemical bonds, a planar complex with intra- and inter-molecular interactions was assembled on the Au(111) surface. This complex is composed of two parts, containing ten and eight superatoms, respectively. The electronic structure analysis shows that the electron density inside each part is connected and the closed-shell electronic arrangement system is designed. There is also an obvious van der Waals boundary by physical adsorption between the two parts, and a stable complex is formed. Since this complex is realized by the first-principles calculations of quantum mechanics, our results help not only achieve atomic-level precision construction with artificial superatomic units but also maintain atomic-level functional properties. 相似文献
93.
用多组态自洽场方法,结合我们提出的半经验拟合公式,对40≤Z≤44类镍离子3d94s,3d94p,3d94d态的能级进行计算,根据能级拟合值算出s-p,p-d跃迁的谱线波长,并给出各谱线的HFR振子强度. 相似文献
94.
Optical fiber temperature sensors have been widely employed in enormous areas ranging from electric power industry, medical treatment, ocean dynamics to aerospace. Recently, graphene optical fiber temperature sensors attract tremendous attention for their merits of simple structure and direct power detecting ability. However, these sensors based on transfer techniques still have limitations in the relatively low sensitivity or distortion of the transmission characteristics, due to the unsuitable Fermi level of graphene and the destruction of fiber structure, respectively. Here, we propose a tunable and highly sensitive temperature sensor based on graphene photonic crystal fiber (Gr-PCF) with the non-destructive integration of graphene into the holes of PCF. This hybrid structure promises the intact fiber structure and transmission mode, which efficiently enhances the temperature detection ability of graphene. From our simulation, we find that the temperature sensitivity can be electrically tuned over four orders of magnitude and achieve up to ~ 3.34×10-3 dB/(cm·℃) when the graphene Fermi level is ~ 35 meV higher than half the incident photon energy. Additionally, this sensitivity can be further improved by ~ 10 times through optimizing the PCF structure (such as the fiber hole diameter) to enhance the light-matter interaction. Our results provide a new way for the design of the highly sensitive temperature sensors and broaden applications in all-fiber optoelectronic devices. 相似文献
95.
用多组态自洽场方法,结合作者提出的半经验拟合公式,首先对38≤Z≤42类钴离子3p63d9,3p53d10,3p63d84p组态的能级进行计算,然后根据能级值算出相应的电偶极跃迁的谱线波长,并给出各谱线的HFR振子强度。 相似文献
96.
上转换发光是一种将长波长的激发光转化为短波长发射的反斯托克斯发光现象,三线态-三线态湮灭上转换(TTA-UC)能够在较低密度能量下被激发,且上转换量子产率高,因此获得研究者们广泛关注。关于敏化剂分子结构与上转换发光性能相关性的研究一直是TTA-UC研究领域的重要热点,选择两种代表性的卟啉钯光敏剂[PdOEP-八乙基卟啉钯(Ⅱ)和PdBrTPP-四溴苯基卟啉钯(Ⅱ)]与蒽衍生物9,10-(4-羟甲基)苯基蒽p-DHMPA发光剂组合上转换体系作为研究模型,通过一系列合成工作获得材料分子后,进一步比较两种敏化剂的光谱性质与体系最终上转换性能之间关系。通过细致研究敏化剂和发光剂的荧光发射和寿命等光谱性质对敏化剂系间窜越,三线态-三线态能量转移及三线态-三线态湮灭等能量传递过程的影响后,发现在532 nm处的摩尔吸光系数PdBrTPP (10.8 cm-1·mmol-1)大于PdOEP (3.0 cm-1·mmol-1);三线态寿命PdBrTPP (173.13 μs)大于PdOEP (109.21 μs)。但与p-DHMPA配对时光敏剂与发光剂的三线态能级差ΔETT,PdOEP (0.140 eV)却高于PdBrTPP (0.062 eV),通过Stern-Volmer方程得到Stern-Volmer猝灭常数KSV和双分子猝灭常数kq值也是PdOEP略高,最终表现出上转换阈值PdOEP/p-DHMPA (22.40 mW·cm-2)小于PdBrTPP/p-DHMPA (29.78 mW·cm-2),上转换发光效率ΦUC,PdOEP/p-DHMPA (28.3%)大于PdBrTPP/p-DHMPA (26.8%)。因此,卟啉钯敏化剂的构效对三重态湮灭上转换发光效率影响最为重要的决定因素是敏化剂三线态高低。对于不同的敏化剂,在分子主体结构、摩尔吸光系数与三线态寿命等光谱参数差别不大的情况下,敏化剂的三线态能级越高,就将会具有更大的上转换发光效率。然而如果以总上转换能力指标来评价,PdBrTPP的共轭结构能够提升其在激发波长处吸收更多光子的能力,具有比PdOEP更高的摩尔吸光系数,造成其总上转换能力η比PdOEP高3.4倍。因此从上转换总效能指标来评价,通过敏化剂分子设计调控其在激发光波长处的摩尔吸光系数也不失为一种简单易行的方法。 相似文献
97.
98.
在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心. 本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心. 研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出Td场和C3v场下Cu2+ d轨道的分裂情况. 计算结果表明,CdTe太阳电池中的Ev+0206 eV和Ev+0122 eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子. 计算结果还表明,掺入Cu可降低CdTe体系能量.
关键词:
深能级瞬态谱
第一性原理
CdTe
Cu杂质 相似文献
99.
Deep level transient spectroscopy investigation of deep levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te:Cu back contact
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Deep levels in Cds/CdTe thin film solar cells have a
potent influence on the electrical property of these devices. As an
essential layer in the solar cell device structure, back contact is
believed to induce some deep defects in the CdTe thin film. With the
help of deep level transient spectroscopy (DLTS), we study the deep
levels in CdS/CdTe thin film solar cells with Te:Cu back contact.
One hole trap and one electron trap are observed. The hole trap H1,
localized at Ev+0.128~eV, originates from the vacancy of Cd
(VCd. The electron trap E1, found at Ec-0.178~eV,
is considered to be correlated with the interstitial Cui=
in CdTe. 相似文献
100.