用格林函数法计算量子点中的应变分布

自组装量子点材料作为一种新型的光电材料无论在理论和实际应用都成为当今物理学界的研 究热点.由GaAs包围的InAs小岛，由于较大的晶格失配（≈-0.067），应变效应在量子点 的 形成过程中起主导作用.大部分计算量子点结构应变分布的方法都是基于数值解法，需要大 量的计算工作.给出用格林函数法推导各种常见形状量子点应变分布的解析表达式详细过程，讨论了弹性各向异性和形状各向异性对量子点应变分布的影响程度.结果表明对于不 同形状量子点结构中主要部分的应变分布都是相似的，流体静压变部分的特征值随量子点形状的变化不 关键词： 自组装量子点 格林函数 应变分布     

微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响

基于Safonov和Yamazaki所发展的激励自旋波非线性辐射衰减的理论［J. MMM. 161 (1996 ) 275］, 考虑磁激子与磁激子以及磁激子与光子的两种非线性相互作用过程，计算了微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响，结果与实验数据基本一致. 关键词： 磁激子 谐振器 铁磁体     

半自由声场的全息重建和预测实验研究

半自由声场环境下的声源重建和声场预测研究对声全息技术走向实际应用具有非常重要的意义.在提出基于分布源边界点法的半自由声场全息重建和预测方法的基础上，对此展开了实验研究.并将重建和预测的结果与常规方法重建和预测的结果进行了比较和讨论，说明了重建预测过程中反射声压的影响和考虑反射声压的必要性，证明了所提出方法在解决半自由声场环境下存在地面反射时的声源重建和声场预测时的有效性和准确性.还提出了采用奇异值截断滤波和Tikhonov正则化方法来削弱测量误差的影响，从而进一步优化了重建结果，提高了全息成像的可信度. 关键词： 声全息 半自由场 边界点 声辐射 反射声     

Barriola-Vilenkin黑洞的统计熵

利用量子统计方法 ,直接计算Barriola_Vilenkin黑洞背景下玻色场和费米场的配分函数 ,然后利用砖墙膜模型计算和讨论黑洞背景下玻色场和费米场的熵     

稀土粉末Eu∶Y_2O_3的自由感应衰减量子拍

稀土固体是重要的激光和光电子材料。目前 ,由于以宽带信号和太赫兹比特数据传输率为特征的信息技术的发展 ,稀土固体材料的相干瞬态动力学过程成为宽带与高速信息光子学的基本物理问题之一。研究了室温下稀土粉末样品Eu3+ ∶Y2 O3自由感应衰减的相干瞬态光谱 ,这有助于理解有效的光吸收动力学、激发态弛豫、相干能量传递和超短光脉冲在稀土固体中的传播。用一对紫外飞秒相干光脉冲作用于稀土粉末样品Eu3+ ∶Y2 O3,然后监测物质激发态的布居数随两个激发脉冲之间的延时的变化 ,测量到其自由感应衰减量子拍 (FID) ,从拍频周期分析确定了其能级精细结构 ,能级的退相时间长达皮秒量级。理论分析和实验结果符合得很好。对稀土离子的量子干涉的研究 ,表明其在受激受控光放大方面具有潜在的应用前景     

Gauss Algebras

A special class of associative algebras is introduced and studied. A criteria of semisimplicity for suitable category of modules is obtained.     

光辐射计量测试技术

简要介绍国外光辐射计量采用的主要方法、测试手段和发展趋势。为了满足国防系统对光辐射计量的需要建立了一批计量标难，解决了光辐射源辐射特性和探测器特性计量测试问题。     

辐射加热金X光再发射时间测量

利用星光Ⅱ三倍频激光打双盘靶，研究了辐射加热材料的Ｘ光发射时间。激光脉冲能量４０～６０Ｊ、脉冲宽度６００～７００ｐｓ。通过两台时间关联的亚千Ｘ光能谱仪分别监测双盘靶初、次级发射Ｘ光谱，给出了辐射加热次级Ｘ光再发射时间。     

一种简易云雾室的制作

本文利用自制云雾室把微观粒子的运动转化为宏观现象，从而供实验观察和研究。     

Influence of radiation on thin ZnS-Tb films

Changes in thin zinc-sulfide films under the action of the γ-radiation of Co⁶⁰ are studied by investigating electroluminescence spectra of terbium embedded in these films as a luminescent probe. It is shown that changes in the relation of the intensities of bands, a decrease in their halfwidth and the background component, and simplification of the spectrum are observed in a short-wave region of the Tb radiation spectrum that corresponds to⁵D₃→⁷F_j transitions. The same modification of the radiation spectrum is characteristic of ZnS films whose crystalline structure is ordered in the course of thermal annealing at a temperature of 350°C. Based on the analysis of the data obtained it is inferred that irradiating the ZnS films with small radiation doses of 10⁴–10⁵ rad leads to the ordering of their crystalline structure due to the elimination of one of the types of structural defects. Institute of Physics of Semiconductors, National Academy of Sciences of Ukraine, 45, Nauka Ave., Kiev-28, 252650. Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 64, No. 3, pp. 338–341, May–June, 1997.