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141.
本文用多组态HXR自洽场方法和优化以Slater径向积分法相结计算了类锂离子(Z=13~17,19)1s~2nl~2LJ(2≤n≤5,0≤l≤4)能级之间的跃迁波长和振子强度,并和实验进行了比较。就软X射线激光跃迁4f—3d而言,本文计算的波长值比其它文献的计算值更接近于观测值。 相似文献
142.
双电极对双脉冲激光器结构分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对双电极对双脉冲激光器的谐振腔结构进行了分析,结果表明采用双非稳腔和增大反射镜的曲率半径可分别获得单纵模和基横模输出。为使输出能量稳定,则双电极对的间距有一最小值的限制。 相似文献
143.
采用紫外线、同平板梯度浓度亚硝基肌,纯铜蒸气激光诱变去甲基金霉素生产菌金霉素链霉菌的原生质体,结果表明原生质体对各种诱变剂的敏感性较高.正变幅度较大.原生质体经紫外线、同平板梯度浓度亚硝墓肌复合诱变后,筛选到一菌株,重新制备原生体,经激光诱变,选育出高产菌株S. A. HU02,去甲基金霉素效价从2831u/ml提高到4337u/ml,提高了53. 2,经多次传代产量性状非常稳定. 相似文献
144.
X. Luo F. Y. Shi J. X. Lin 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》1991,12(2):141-147
Detection of COCl2, a highly toxic gas in chemical industry, using laser photoacoustic spectroscopy is presented. The spectrophone system used has a broad band LN2 cooled CW CO laser as a source of radiation, which operates from 4.8–8.4 um in the mid-infrared. Using an extracavity open longitudinal resonant cell, absorption signals to about 30 CO laser lines in the 5.45 um region could be observed. detection sensitivity has been estimated to be ppb order.This work has been supported by the NSFC 相似文献
145.
二极管激光侧泵浦单横模100Hz电光调Q激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了二极管激光侧泵浦单横模100Hz电光调Q激光器的实验结果。泵浦源为一个线阵准连续100W二极管激光器,激光工作介质为NdYAG薄梯形板条,板条与泵浦源间用柱透镜耦合,KD*P电光晶体调Q。在100Hz重复频率下,获得单脉冲能量2.37mJ,脉宽小于7ns,光束质量因子M2=1.1的1.06μm激光,光-光效率为8.5%,斜效率为18.7%。 相似文献
146.
Nd:YAG激光器中的自锁模 总被引:5,自引:2,他引:3
本文报道在Nd:YAG激光器中首次获得的自锁模脉冲序列.自锁模是由于Nd:YAG棒中的自相位调制引起的.在主被动对撞锁模运转情况下,自锁模对脉冲波形有较大的影响. 相似文献
147.
激光二极管自混合干涉和微振动的实验观测 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍了利用LabView软件虚拟示波器和信号源,对激光二极管自混合干涉和微振动进行的实验观测.该实验可以作为本科低年级学生的综合设计实验. 相似文献
148.
Physical aspects of an operation of the GaAs-based InGaAs/GaAs quantum-well (QW) VCSELs with the intentionally detuned optical
cavities have been considered in the present paper using the comprehensive three-dimensional self-consistent optical–electrical–thermal-gain
simulation. In GaAs-based structures, very good DBR resonator mirrors and a very efficient methods to confine radially both
the current spreading and the electromagnetic field with the aid of oxide apertures may be applied. It has been found using
the above simulation that even currently available immature technology enables manufacturing the above devices emitting radiation
of wavelengths over 1.20 μm. In particular, while the room-temperature 1.30-μm lasing emission is still beyond possibilities
of the InGaAs/GaAs QW VCSELs, these structures may offer analogous 1.25-μm emission, especially for the high-power and/or
high-temperature operation. 相似文献
149.
150.