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光子晶体加速结构能够有效地阻尼高频率加速管中的尾场,对高能加速器中因尾场引起的束流不稳定性起到抑制作用。探索了X波段2维金属光子晶体微波加速结构的研制方法,用机械加工的方式制作了较高品质因数的2维光子晶体结构谐振腔。理论计算表明,在光子晶体结构谐振腔外围放置吸波材料,可有效地吸收加速结构中的类TM11偶极模等高次模,而对加速主模类TM01模影响较小。设计和制作了工作频率为11.42 GHz,由4个腔构成的X波段2维金属光子晶体行波加速器,实验结果与数值模拟计算值吻合较好。 相似文献
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基于传输矩阵法,数值研究了掺杂对一维光子晶体带隙特征的影响。研究表明:掺杂时,禁带中心会出现一导带,导带深度会随着掺杂位置、杂质折射率的变化而发生变化。当晶体结构给定时,总存在一个掺杂位置,使其禁带中心的导带深度达到最深;而对于给定的掺杂位置,当杂质折射率为某特定值时,禁带中心同样也会出现一个深度最深的导带,这种特性可应用于滤波器件和光学谐振腔的设计。 相似文献
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P. A. Tchertchian C. J. Wagner T. J. Houlahan
Jr. B. Li D. J. Sievers J. G. Eden 《等离子体物理论文集》2011,51(10):889-905
Coupling electron‐hole (e–‐ h+) and electron‐ion plasmas across a narrow potential barrier with a strong electric field provides an interface between the two plasma genres and a pathway to electronic and photonic device functionality. The magnitude of the electric field present in the sheath of a low temperature, nonequilibrium microplasma is sufficient to influence the band structure of a semiconductor region in immediate proximity to the solid‐gas phase interface. Optoelectronic devices demonstrated by leveraging this interaction are described here. A hybrid microplasma/semiconductor photodetector, having a Si cathode in the form of an inverted square pyramid encompassing a neon microplasma, exhibits a photosensitivity in the ~420–1100 nm region as high as 3.5 A/W. Direct tunneling of electrons into the collector and the Auger neutralization of ions arriving at the Si surface appear to be facilitated by an n ‐type inversion layer at the cathode surface resulting from bandbending by the microplasma sheath electric field. Recently, an npn plasma bipolar junction transistor (PBJT), in which a low temperature plasma serves as the collector in an otherwise Si device, has also been demonstrated. Having a measured small signal current gain hfe as large as 10, this phototransistor is capable of modulat‐ing and extinguishing the collector plasma with emitter‐base bias voltages <1 V. Electrons injected into the base when the emitter‐base junction is forward‐biased serve primarily to replace conduction band electrons lost to the collector plasma by secondary emission and ion‐enhanced field emission in which ions arriving at the base‐collector junction deform the electrostatic potential near the base surface, narrowing the potential barrier and thereby facilitating the tunneling of electrons into the collector. Of greatest significance, therefore, are the implications of active, plasma/solid state interfaces as a new frontier for plasma science. Specifically, the PBJT provides the first opportunity to control the electronic properties of a material at the boundary of, and interacting with, a plasma. By specifying the relative number densities of free (conduction band) and bound (valence band) electrons at the base‐collector interface, the PBJT's emitter‐base junction is able to dictate the rates of secondary electron emission (including Auger neutralization) at the semiconductor‐plasma interface, thereby offering the ability to vary at will the effective secondary electron emission coefficient for the base surface (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
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本文涉及一种三角形谱啁啾光纤光栅的制备以及其在光纤无线(radio over fiber,RoF)单边带调制系统中的应用.基于相位掩模法和变速度折射率调制,实验制备了底部变化范围1.9 nm、透射深度0—15 dB的三角形谱啁啾光纤Bragg光栅,利用其透射谱具有较大负向斜边,研究了其在RoF系统中的应用.方案仅使用一个三角形谱光纤光栅,实现了以下两种功能: 1)双边带调制信号到单边带调制信号转换; 2)降低信号的载波边带比(carrier-to-sideband ratio,CSR),提高接收灵敏度.并
关键词:
光纤通信
微波光子
光纤布拉格光栅
单边带调制 相似文献
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