光子回声量子存储器中非均匀展宽频谱对存储效率的影响

本文提出了一个利用光子回声技术探究非均匀展宽频谱线形(如高斯、洛伦兹分布)对存储效率影响的简捷方法。我们发现当信号光脉冲的持续时间与介质频谱线宽的乘积远大于1时,可将分布函数的傅里叶变换近似成狄拉克函数,使得研究非均匀展宽频谱对存储效率的影响变得非常容易;通过计算发现不同线形分布达到最佳存储效率的光学深度有所不同,频谱线形趋于均匀时达到最优存储效率的存储介质光学深度最小。该研究对实验上实现最优化光量子态存储具有指导意义。     

相变型半导体存储器研究进展

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题．C—RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点，被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品．     

演示记忆合金弹簧的形状记忆效应的实验设计

设计了测试记忆合金弹簧的形状记忆效应的物理实验.描述了实验装置的设计和结构,给出了实验内容的设计和实验方法,包括观察测试记忆合金弹簧的温度-形变记忆效应实验和电流-形变记忆效应实验.根据测量数据,描绘了用该仪器得到的温度-形变曲线和电流-形变曲线.该实验可作为设计性实验在大学物理实验课中开出.     

LIMITED MEMORY BFGS METHOD FOR NONLINEAR MONOTONE EQUATIONS

In this paper, we propose an algorithm for solving nonlinear monotone equations by combining the limited memory BFGS method （L-BFGS） with a projection method. We show that the method is globally convergent if the equation involves a Lipschitz continuous monotone function. We also present some preliminary numerical results.     

Oscillation of coercivity between positive and negative in MnxGe1-x：H ferromagnetic semiconductor films

Amorphous MnxGe1-x :H ferromagnetic semiconductor films prepared in mixed Ar with 20% H2 by magnetron cosputtering show global ferromagnetism with positive coercivity at low temperatures. With increasing temperature, the coercivity of MnxGe1-x :H films first changes from positive to negative, and then back to positive again, which was not found in the corresponding MnxGe1-x and other ferromagnetic semiconductors before. For Mn0.4Ge0.6 :H film, the inverted Hall loop is also observed at 30 K, which is consistent with the negative coercivity. The negative coercivity is explained by the antiferromagnetic exchange coupling between the H-rich ferromagnetic regions separated by the H-poor non-ferromagnetic spacers. Hydrogenation is a useful method to tune the magnetic properties of MnxGe1-x films for the application in spintronics.     

非等电子Sb替换Cu和Te后黄铜矿结构半导体Cu_3Ga_5Te_9的热电性能

热电材料是一类能够实现热与电相互转换的功能材料,在制冷和发电领域极具应用潜力.本文采用金属Sb元素非等电子替换Cu3Ga5Te9化学式中的Cu和Te,观察到材料Seebeck系数和电导率提升的现象.这些电学性能的改善与载流子浓度和有效质量的增大及迁移率基本维持不变有关.载流子浓度的提高是由于Sb原子占位在Te晶格位置后费米能级进入到价带所产生的空穴掺杂效应所致,同时也与Cu含量减少后铜空位(V-1Cu)浓度增大相关联.另外,非等电子替换后,阴离子(Te2-)移位导致了晶格结构缺陷参数u和η的改变,其改变量fiu和fiη与材料晶格热导率(κL)的变化密切相关.在766 K时,适量的Sb替换量使材料的最大热电优值(ZT)达到0.6,比Cu3Ga5Te9提高了近25%.因此,通过选择替换元素、被替换元素及替换量有效地调控了材料的电学及热学性能,在黄铜矿结构半导体中实现了非等电子元素替换改善热电性能的思想.     

MPC850最小系统的硬件设计

介绍MPC850芯片的两个主要模块:嵌入式处理器模块和通信处理模块.设计了基于MPC850最小系统硬件系统,它包括系统时钟、复位电路、存储器电路及串行通道和接口.实际应用显示该系统效果良好.     

工作记忆、中央执行功能与流体智力的关系分析

探讨工作记忆、中央执行功能子成分与流体智力的关系.以秦巴山区18～40岁健康成人为研究对象,通过对中央执行功能子成分、工作记忆广度以及流体智力的测量,分析了各变量之间的关系,并进一步探讨了中央执行功能各子成分的可分离性.得到 （1）工作记忆中的中央执行功能具有可分离性;（2）工作记忆广度与瑞文测验成绩之间的显著相关是刷新功能的作用;（3）相对于抑制功能和转换功能,刷新功能对流体智力具有更强的预测效应和解释力.     

准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性

本文给出了描写咏冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及.文中给出了用Runge-Kutta方法得到的1-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论     

不同温度下钛镍形状记忆合金的超弹性特性

对国产TiNi形状记忆合金在不同温度下的准静态力学响应、特别是相变超弹性特性进行了试验研究．结果表明，TiNi合金在热弹性马氏体逆相变结束温度AF附近的一定温度范围内显示超弹性特征，且温度对其有显著影响．随着温度的升高，应力诱导热弹性马氏体的临界应力近似地呈线性增加趋势，但在AF附近发生间断性突降．试验结果还表明，随应力之增加，不可逆塑性变形在总变形中所占的比值逐渐增加，且这一比值随温度升高而增大；相应地，超弹性变形别逐渐减弱以至消失．