分子筛组装单质半导体碲的拉曼光谱

无机介孔材料MCM41是高有序,直孔道介孔分子筛,具有孔径约4nm的一维均匀孔道,孔壁厚约1nm,介孔体积可达40%,是一种很理想的组装材料主体。半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构。本文采用固相合成反应方法,将单质半导体碲成功地组装在MCM41介孔分子筛中。在组装体中,单质半导体碲保持着六方相的晶体结构,其拉曼晶体振动表现出纳米晶体的结构特征。真空热处理实验表明,组装体具有良好的热稳定性。Te的六方相和所具有的独特的螺旋链状结构使Te分子很容易进入MCM41的直孔道内,同时MCM41均匀而规则的直孔道限制了Te螺旋链的随机排列,因而被组装在直孔道内的Te能螺旋链式生长,形成一维半导体纳米晶体,排列均匀,尺寸单一,具有稳定的空间构型     

用于半导体激光器的等共轭距双曲柱面镜系统

论述用于把窗口尺寸为０－１２８５ｍ ｍ ×３ ．２３９０ ｍ ｍ 的半导体激光器发出４４°×１３°的发散光束压缩成在±０－００２５ｒａｄ 内出射光的柱面镜系统。该系统的核心是用两组互相垂直、且共轭距相等的双曲柱面镜,把激光器的条形窗口的像变粗变短;然后,再用透镜组把此像“准直”到“无限远”     

体全息子波关联记忆器

基于子波匹配相关理论和光折变晶体的体全息关联存储特性,提出并实现了一个关联记忆的新构思。中根据缺损特征实现原始图像的记忆和恢复,其中光折变晶体兼作图像识别时的运算单元和图像恢复时的存储单元,文中以人脸为研究对象,给出了实验结果。     

GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究

采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了ＧａＡｓ／ＳｉＯ２纳米晶镶嵌薄膜样品。激光拉曼光谱的测量结果表明,退火态样品（４００℃,６０ｍｉｎ）的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移,红移量为９．５ｃｍ＾－１,对应薄膜中ＧａＡｓ纳米晶粒平均粒径约为３ｎｍ。样品的室浊吸收光谱测量结果表明,由于受量子限域效应的主导作用,与ＧａＡｓ块状单晶相比,样品光学吸收边呈现出明显的蓝     

A Novel Method for Wavelength Conversion with Dual-pump Four-wave Mixing in a Semiconductor Optical Amplifier

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ＩｎｔｈｅＷＤＭｎｅｔｗｏｒｋ ,ｔｈｅｄｅｓｉｒａｂｌｅｆｅａｔｕｒｅｓｏｆａｎａｌｌ ｏｐｔｉｃａｌｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｃｏｎｖｅｒｔｅｒｉｎｃｌｕｄｅｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｉｎｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ,ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｃｅｔｏｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｆｏｒｍａｔａｎｄｂｉｔ ｒａｔｅ ,ｆｕｌｌｔｕｎａｂｉｌｉｔｙ ,ａｃｃｅｐｔａｂｌｅｏｕｔｐｕｔＳＮＲｏｖｅｒｔｈｅｅｎｔｉｒｅｒａｎｇｅｏｆｔｈｅｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｓｕｓｅｄｉｎｔｈｅｎｅｔｗｏｒｋ[1] .Ｗａｖｅ…     

MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能

研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能.测量了探测器经过10¹²n/cm²中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与⁶⁰Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较.对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨.并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.     

Computation of the Reflection Coefficient of a Triangular Semiconductor Prism in a Rectangular Waveguide

In this paper we present a method to solve Maxwell's equations that enables to compute waveguide structure containing a semiconductor triangular prism. The numerical study has showed that the triangular prism in the waveguide has a wider frequency band in comparison with a square rod under equal conditions. The reflection coefficient dependencies on frequency, prism size and its permittivity have been computed. The algorithm and computer programme have been tested and compared with the numerical results and experimental data of the paper [1] with good agreement.     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

纳秒级脉宽砷化镓激光器阵列

报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约０．７～５ｎｓ，近场光斑面积约１００ｍｍ×６ｍｍ；已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体光导开关阵列。报导一种提高光脉冲重复率的方法—双脉冲序列法，用该方法使激光脉冲等效重复率达约１００ＭＨｚ；介绍一种使激光器阵列输出光斑中光能均匀分布的多光束叠加方案。     

CdSxSe1-x半导体微晶掺杂玻璃在抗共振环APM激光器中不能压窄脉

本文对具有较大非线性系数,较快非线性响应和回复时间的CdS_xSe_1-x半导体微晶掺杂玻璃能否在挽共振环(亦称为非谐振环)APM激光器中有效地压缩脉宽等问题做了详尽的理论与实验的切耐与分析。理论计算与实验研究的结果均表明:在抗共振环APM激光器中,应用CdS_xSe_1-x半导体微晶掺杂玻璃不能使超短光脉冲宽度被压窄。