外围缩合四个1,10-啡啰啉单元的新氮杂酞菁的表面光伏响应及电场作用研究

通过电场诱导表面光电压谱确定外围缩合4个1,10-啡啉单元的氮杂酞菁为p型有机半导体,并对各个谱带进行合理的归属.结果发现,Soret带长波侧光电压曲线在电场作用下轻微蓝移,根据电场对高极化度n轨道基态的影响,将其归属为n-π^*     

SnO2TiO2 复合半导体纳米薄膜的研究进展*

本文概述了SnO₂TiO₂ 复合半导体纳米薄膜的发展历史和研究现状,对比分析了“混合”、“核壳”和“叠层”3 种复合薄膜的结构和性能特点,着重论述了叠层结构的SnO₂ /TiO₂复合薄膜的光电化学和光催化特性。结合作者的研究工作,探讨了SnO₂ /TiO₂双层复合薄膜上下层厚度对其光催化活性的影响,指出复合薄膜光催化活性的提高可归因于电子从TiO₂ 向SnO₂ 的迁移。最后对SnO₂ /TiO₂复合薄膜的局限性和发展潜势做一简要分析,强调了该复合薄膜本身的应用特点。     

镍钛记忆合金自补偿磨粒磨损性能研究

研究了高临界温度镍钛记忆合金一维自补偿磨粒磨损特性.结果表明,在一定温度下,镍钛记忆合金在摩擦过程中具有形状恢复能力,从而产生一维磨损自补偿作用.超弹状态镍钛记忆合金具有热弹性马氏体相变、高阻尼、应力感生马氏体、超弹性、高应变硬化指数和时效弥散析出强化等特性,这使得硬度较低的镍钛合金的耐磨性能远优于硬度较高的淬火45#钢.利用超弹状态镍钛记忆合金的磨损自补偿作用可望开发出新型抗磨形状记忆合金产品.     

FitzHugh-Nagumo神经元网络的同步振荡与联想记忆

本文研究由FitzHugh—Nagumo神经元所组成的脉动神经元网络的同步与联想记忆恢复。基于神经元微观生理结构，本文给出具有空间随机分布延时的神经元间耦合，而这种随机分布延时描述了脉动信号从突触前神经元到突触后神经元在轴突上传播所需要的时间。记忆由空时发放的神经元集群表达，在噪声涨落的作用下，系统取得了对不完整输入的记忆恢复。     

An Enhanced Full-Form Model-Free Adaptive Controller for SISO Discrete-Time Nonlinear Systems

This study focuses on the full-form model-free adaptive controller (FFMFAC) for SISO discrete-time nonlinear systems, and proposes enhanced FFMFAC. The proposed technique design incorporates long short-term memory neural networks (LSTMs) and fuzzy neural networks (FNNs). To be more precise, LSTMs are utilized to adjust vital parameters of the FFMFAC online. Additionally, due to the high nonlinear approximation capabilities of FNNs, pseudo gradient (PG) values of the controller are estimated online. EFFMFAC is characterized by utilizing the measured I/O data for the online training of all introduced neural networks and does not involve offline training and specific models of the controlled system. Finally, the rationality and superiority are verified by two simulations and a supporting ablation analysis. Five individual performance indices are given, and the experimental findings show that EFFMFAC outperforms all other methods. Especially compared with the FFMFAC, EFFMFAC reduces the RMSE by 21.69% and 11.21%, respectively, proving it to be applicable for SISO discrete-time nonlinear systems.     

Effects of Y incorporation in TaON gate dielectric on electrical performance of GaAs metal–oxide–semiconductor capacitor

In this study, GaAs metal–oxide–semiconductor (MOS) capacitors using Y‐incorporated TaON as gate dielectric have been investigated. Experimental results show that the sample with a Y/(Y + Ta) atomic ratio of 27.6% exhibits the best device characteristics: high k value (22.9), low interfacestate density (9.0 × 10¹¹ cm^–2 eV^–1), small flatband voltage (1.05 V), small frequency dispersion and low gate leakage current (1.3 × 10^–5A/cm² at V_fb + 1 V). These merits should be attributed to the complementary properties of Y₂O₃ and Ta₂O₅:Y can effectively passivate the large amount of oxygen vacancies in Ta₂O₅, while the positively‐charged oxygen vacancies in Ta₂O₅ are capable of neutralizing the effects of the negative oxide charges in Y₂O₃. This work demonstrates that an appropriate doping of Y content in TaON gate dielectric can effectively improve the electrical performance for GaAs MOS devices.

Capacitance–voltage characteristic of the GaAs MOS capacitor with TaYON gate dielectric (Y content = 27.6%) proposed in this work with the cross sectional structure and dielectric surface morphology as insets.     

一种大功率窄脉冲半导体激光器测试台的研制

大功率窄脉冲半导体激光器主要光电性能参数为:输出峰值光功率、阈值电流、正向电压、上升时间、峰值波长、光谱半宽、半强度角.根据激光制导系统对大功率窄脉冲激光器参数的特殊测试要求,研制一种大功率窄脉冲激光器测试平台,将小型化大功率激励器功放模块、大范围可调DC-DC模块、信号源板、激光器座、光学准直镜集成在一个平台上,与峰值功率计、光谱仪、CCD摄像机等仪器配合,可测出大功率窄脉冲激光器的峰值功率、峰值波长及波长随温度变化的漂移特性、发光芯均匀性等参数.介绍了大功率窄脉冲激光器测试台的特点,并对测试结果作了论述.     

非即变相位共轭反馈对半导体激光器动态特性的影响

从四波混频产生相位共轭的物理原因出发,定义了相位共轭镜（PCM）的响应时间．建立起非即变相位共轭反馈条件下半导体激光器的外腔模型。以响应时间及频率失调为参变量,对其分岔及噪声等动态行为进行数值分析。结果表明,不考虑噪声影响时,增加相位共轭镜响应时间会使混沌带出现的次数和范围得到较大的抑制,当响应时间增大到1．5ns时,混沌带消失,半导体激光器保持稳定的单周期状态;考虑噪声影响后,随若响应时间的相对强度噪声（RIN）可减小几dB甚至十几dB,产生突变需要的反馈量也增大一个数量级以上,且其频谱的峰值向高频方向移动;另外,由于共轭反馈引起的频率失调低于半导体激光器激射频率3个数量级以上．它只对分岔特性有影响．对相对强度噪声的影响几乎为零。     

光子回声量子存储器中非均匀展宽频谱对存储效率的影响

本文提出了一个利用光子回声技术探究非均匀展宽频谱线形(如高斯、洛伦兹分布)对存储效率影响的简捷方法。我们发现当信号光脉冲的持续时间与介质频谱线宽的乘积远大于1时,可将分布函数的傅里叶变换近似成狄拉克函数,使得研究非均匀展宽频谱对存储效率的影响变得非常容易;通过计算发现不同线形分布达到最佳存储效率的光学深度有所不同,频谱线形趋于均匀时达到最优存储效率的存储介质光学深度最小。该研究对实验上实现最优化光量子态存储具有指导意义。     

相变型半导体存储器研究进展

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题．C—RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点，被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品．