Dirichlet型空间上的乘子

本文主要根据τ与μ的不同取值分三种情况刻划了Cn中单位球上Dirichlet 型空间上的点乘子空间M(Dτ,Dμ),并通过两个函数的构造表明:当τ≤n时,包含 关系M(Dτ)(?)Dτ和当τ>μ,τ>n-1时,包含关系M(Dτ)(?) M(Dμ)是严格的.     

脉冲时滞抛物型偏微分方程组解的振动性

研究一类脉冲时滞抛物型偏微分方程组解的振动性,利用一阶脉冲时滞微分不等式获得了该类方程组在两类不同边值条件下所有解振动的若干充分条件.所得结果充分反映了脉冲和时滞在振动中的影响作用.     

有限域中的第二型本原根的阶及其范数

本文给出了有限域中第二型本原根是一个k次幂的条件,并讨论了第二型本原根的范数,所得结果描述了第二型本原根的(乘法)阶。     

单级A/O程序HSMBR系统性能和亚硝酸型SND

采用单级A/O程序复合膜生物反应器(HSMBR)处理高氨氮废水,研究了在低DO浓度下系统对有机物、氨氮和总氮的去除效率.研究结果表明:在低DO浓度下,COD,氨氮的平均去除率分别为94.4%和92.8%.由于进水COD/TN比仅为2.01,则使得总氮平均去除率仅为69.4%,但是当系统亚硝化累积率从60.5%～67.1%提高到83.5%～86.4%时,系统总氮去除率提高了17.7%.另外,DO在0.5～1.0 mg·L-1时,TN去除率为69.4%,亚硝酸盐氮累积率在60.5%～89.5%之间,可见维持低DO浓度可以实现亚硝酸型同时硝化反硝化.     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

正丁基苝四羧酸二酰亚胺的晶型和性能研究

文章合成了N,N'-二正丁基苝四羧酸二酰亚胺,并纯化、调晶,进行了IR、元素分析、X射线等测定.分析该化合物在DMF中的紫外光谱(最大吸收波长524.80 nm)、荧光光谱(最大发射波长539.0 nm)、Stokes位移(数值15 nm)等光谱性质.在400～700 nm范围内,α晶型薄膜紫外-可见吸收出现很强的吸收峰,且由β型变为α型,最大吸收波长有明显的红移(545 nm变为580 nm).X射线粉末衍射也反映出α晶型的2θ在26.0°处衍射峰CPS为2 508,β型在25.2°为1 891.α,β晶型作为电荷产生材料制得的功能分离型有机光导体,在光源滤波波长λ=532 nm曝光下,测得含α,β感光体达到饱和电位的时间分别为46,93.98 s,光衰电位(5.3千伏电压负充电电晕,1～2 s后的表面电位)分别为727和525 V,半衰曝光量分别为4.32,4.34μJ·cm-2,残余电位分别为30和45 V等光导性能数值.     

基于偏差的不确定型多属性决策的综合集成方法

对不确定型条件下的多属性决策问题,规范化后的区间数能消除属性值之间量纲的差异,建立了相离度偏差、中间值偏差和理想方案偏差计算公式,构建了以总偏差平方和为目标函数的综合集成优化模型,求解出各属性的客观权重,提出了一种客观属性权重的可能度法,为不确定型多属性决策提供了一种简单实用的可靠方法.最后通过一个算例说明了该方法的实用性和有效性.     

二阶半线性中立型差分方程的振动性准则

考虑二阶半线性中立型差分方程给出了方程(1)的解的振动性的充分条件．所有结果推广和改进了关于中立和时滞差分方程已有结果．     

固定设计下一类半参数回归模型的渐近性质

对固定设计下的一类半参数回归模型yi=xiβ+g(xi)+ei,i=1,2,…,n,综合最小二乘和非参数权函数估计方法,定义了,βg的估计量β∧n,gn∧及误差方差σ2的估计量σ2n∧.在适当条件下,证明它们具有强相合性和p(2)阶平均相合性.模拟的结果表明所得结果具有优良的性质.