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993.
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Light‐induced degradation (LID) has been identified to be a critical issue for solar cells processed on boron‐doped silicon substrates. Typically, Czochralski‐grown silicon (Cz‐Si) has been reported to suffer from stronger LID than block‐cast multicrystalline silicon (mc‐Si) due to higher oxygen concentrations. This work investigates LID under conditions practically relevant under module operation on different cell types. It is shown that aluminium oxide (AlOx) passivated mc‐Si solar cells degrade more than a reference aluminium back surface field mc‐Si cell and, remarkably, an AlOx passivated Cz‐Si solar cell. The defect which is activated by illumination is shown to be doubtful a sole bulk effect while the AlOx passivation might play a certain role. This work may contribute to a re‐evaluation of the suitability of boron‐doped Cz‐ and mc‐Si for solar cells with very high efficiencies. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
995.
In solar cells fabricated from boron‐doped Cz‐Si wafers minority and majority carrier traps were detected by deep level transient spectroscopy (DLTS) after so‐called “light‐induced degradation” (LID). The DLTS signals were detected from mesa‐diodes with the full structure of the solar cells preserved. Preliminary results indicate metastable traps with energy levels positioned at EV + 0.37 eV and EC – 0.41 eV and apparent carrier capture cross‐sections in the 10–17–10–18 cm2 range. The concentration of the traps was in the range of 1012–1013 cm–3. The traps were eliminated by annealing of the mesa‐diodes at 200 °C. No traps were detected in Ga‐doped solar cells after the LID procedure or below the light protected bus bar locations in B‐doped cells. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
996.
This Letter reports on the acceleration of the rate of formation of the boron–oxygen defect in p‐type Czochralski silicon with illumination intensities in excess of 2.1 × 1017 photons/cm2/s. It is observed that increased light intensities greatly enhance the rate of defect formation, without increasing the saturation concentration of the defect. These results suggest a dependence of the defect formation rate upon the total majority carrier concentration. Finally, a method using temperatures up to 475 K and an illumination intensity of 1.68 × 1019 photons/cm2/s is shown to result in near‐complete defect formation within seconds. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim) 相似文献
997.
998.
为了解决现有镜面偏心测量设备存在的问题,本文研究了一种采用切换镜头和调焦相结合的方法来设计的镜面偏心测量光学系统,使用这个光学系统,既能使被测镜面的曲率半径扩展到-∞~+∞范围,又能保证测量精度。通过Lighttools软件对这个光学系统进行光线追迹,分析其杂光分布,结果表明:准直镜头内部多次反射产生的杂光强度很低,可以忽略。而当被测镜头中存在相邻球心像距的镜面时,产生的杂光强度比较大,在后续的图像处理过程中,必须增强目标图像的对比度。利用研制的镜面偏心测量设备进行测量实验,结果进一步验证了杂光分析的正确性。 相似文献
999.
本文对多空间光调制器不同拼接方式拓展全息三维再现像视角的方法进行了分析,基于多片空间光调制器拼接拓展视角的思想,利用平面反射镜、分光镜和两片透射式空间光调制器设计了曲面拼接系统,进行了全息三维再现像的视角拓展实验研究。用该系统对四棱锥物体的层析菲涅尔衍射全息图进行再现,结果表明,总视角由基于单片空间光调制器的1.7°增大到3.2°,即拓展到约1.9倍,分光镜能够消除两片空间光调制器间的间隙,实现无缝拼接。该方法同样适用于更多空间光调制器的曲面拼接中,可以有效地拓展全息再现像的视场角大小。 相似文献
1000.
Strain analysis of the MOF and its composites using high-resolution X-ray diffractionmeter (XRD) was carried out and the presence of non-uniform, depth-related strain in the MOF crystals was confirmed. Further analysis showed that the magnitude and distribution of strain in MOF crystals can be tuned with the incorporation of nanoparticles (NPs). Moreover, the spatial controlled structures can also optimize functionalities of the NPs@MOF, which was exemplified by their applications on the catalytic reduction of nitroarenes. It is anticipated that the investigation of MOF structure evolution through controlling the architectures of the MOF/NPs hybrid materials will shed a light on the study of optimizing the mechanical and chemical properties of MOF composites. 相似文献