土壤全氮田间Vis/NIR光谱测定方法研究

应用Vis/NIR光谱直接测定原始土壤属性具有重要的研究和应用价值。选取我国中部水稻土和潮土共103个土样,对比分析了两种土壤在田间环境下的湿态(R_w)和干态(R_d)光谱特征。采用相对变换光谱方法对湿态光谱进行了处理,结果表明该方法能够有效降低土壤水分的干扰和消除部分噪声,得到的变换光谱(R_n)与干态光谱在信息量和特征方面具有很高的相似度。以此建立了土壤TN的PLS回归估计模型,检验结果表明,R_n对水稻土和潮土TN的估计模型精度均高于R_w,修正判定系数分别从0.26和0.46提高到0.53和0.62。因此,相对光谱变换方法能够有效提高应用田间土壤光谱估计土壤参数的能力,建立的PLS模型可以用于测定TN含量,研究结果可作为实现田间实时分析土壤属性的工作基础。     

颜面赝复体粘接剂的红外光谱分析

传统的颜面赝复体粘接剂按其成分可分为聚丙烯酸酯类和有机硅类。以往对于颜面赝复体粘接剂性能的研究,多为粘接强度的测试,而有关这些粘接剂在粘接过程中的变化研究则较少见。文章测试了两种颜面赝复体粘接剂 (Epithane3及Secure2 Adhesive)在液态、半固态时的红外光谱。结果提示,Epithane3结固过程中有水分和残留氨的挥发,Secure2 Adhesive结固过程中表现为乙酸乙酯挥发。有机硅官能团是有机硅类和硅橡胶的粘接强度比聚丙烯酸酯类高的关键。两种粘接剂红外光谱主要吸收峰的峰位、峰形与结固前相同, 表明结固前后其主要化学成分和基本结构未发生变化。     

基于可见-近红外光谱技术预测茶鲜叶全氮含量

为快速无损监测茶树氮素营养及其生长状况,基于可见-近红外光谱技术建立了茶鲜叶全氮含量的预测模型。以茶鲜叶为对象,田间试验使用便携式光谱仪采集叶片漫反射光谱信息,通过不同预处理和统计分析,建立茶鲜叶全氮含量预测的光谱模型。试验共采集111个样品,其中86个样品作校正集,25个样品作预测集。通过一阶导数与滑动平均滤波相结合的预处理方法,用7个主成分建立的偏最小二乘模型最好,其校正集均方根误差(RMSEC)为0.097 3,预测集的相关系数为0.888 1,预测均方根误差(RMSEP)为0.130 4,预测的平均相对误差为4.339%。研究结果表明,利用可见-近红外光谱技术可以很好地预测茶鲜叶全氮含量,对于快速实时监测茶树长势和施肥管理具有重要指导意义。     

Cobalt and nitrogen atoms co-doped porous carbon for advanced electrical double-layer capacitors

Electrical double-laye r capacitors are widely concerned fo r their high power density,long cycling life and high cycling efficiency.However,their wide application is limited by their low energy density.In this study,we propose a simple yet environmental friendly method to synthesize cobalt and nitrogen atoms co-doped porous carbon(CoAT-NC) material.Cobalt atoms connected with primarily pyridinic nitrogen atoms can be uniformly dispersed in the amorphous carbon matrix,which is benefit for improving electrical conductivity and density of states of the carbon material.Therefore,an enhanced perfo rmance is expected when CoAT-NC is served as electrode in a supercapacitor device.CoAT-NC displays a good gravimetric capacitance of 160 F/g at 0.5 A/g combing with outstanding capacitance retention of 90% at an extremely high current density of 100 A/g in acid electrolyte.Furthermore,a good energy density of30 Wh/kg can be obtained in the organic electrolyte.     

金红石TiO_2中本征缺陷扩散性质的第一性原理计算

基于密度泛函理论的爬坡弹性带方法,对金红石相二氧化钛晶体中钛间隙、钛空位、氧间隙、氧空位4种本征缺陷的扩散特征进行了研究.对比4种本征缺陷在晶格内部沿不同扩散路径的过渡态势垒后发现,缺陷扩散过程呈现出明显的各向异性.其中,钛间隙和氧间隙沿[001]方向具有最小的扩散势垒路径,激活能分别为0.505 eV和0.859 eV;氧空位和钛空位的势垒最小的扩散路径分别沿[110]方向和[111]方向,激活能分别为0.735 eV和2.375 eV.     

N2/Ti微空心阴极放电等离子体阴极溅射模拟

采用Monte Carlo方法模拟N2/Ti微空心阴极放电等离子体阴极溅射过程,其中,氮离子(N2+,N+)轰击阴极表面采用PIC/MC模型模拟.计算溅射钛原子的热化过程、钛原子的密度及其平均能量分布.结果表明,沿各方向溅射出的90%金属Ti原子所带的初始能量小于30 eV,其散射角主要分布在30°和60°之间;溅射Ti原子在离微空心阴极壁约0.04 mm处出现热化极大值.     

Monitoring of the process of formation of epitaxial films with the use of ultrasoft x-ray spectroscopy

The distinctive features of the atomic and electronic structure of thin surface layers of substances in the process of formation of epitaxial silicon films on silicon are studied using the procedures of reflection and scattering of ultrasoft x-ray radiation. The angular distribution of the scattered x-ray radiation (the scattering indicatrices) and the near fine structure of SiL_2,3 spectra of reflection are investigated. The assumption of the sensitivity of the observed peak of anomalous scattering (the Yoneda peak) of x-ray radiation to the presence, in the surface regions of the materials, of extended double-boundary defects, the defects of packing, grain boundaries, dislocations, etc. is made. It is shown that the experimental procedure used makes it possible to obtain information on the surface layers of substances. Translated from Zhurnal Priklaldnoi Spektroskopii, Vol. 67, No. 4, pp. 496–498, July–August, 2000.     

强流脉冲电子束辐照下单晶铝中的堆垛层错四面体

利用强流脉冲电子束技术对单晶铝进行了辐照,并利用透射电镜对强流脉冲电子束诱发的空位簇缺陷进行分析.实验结果表明,强流脉冲电子束能够诱发位错圈、孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且三种不同类型的空位簇缺陷的形核过程并不同时发生,三种空位簇缺陷存在着密切的关系.根据实验结果提出了堆垛层错四面体形成与生长机理. 关键词： 强流脉冲电子束 堆垛层错四面体 单晶铝 空位簇缺陷     

碲镉汞材料中Hg空位缺陷的第一性原理研究

利用基于第一性原理的全电子势线性缀加平面波方法计算了在碲镉汞材料中Hg空位所引起的晶格弛豫以及空位对周围原子成键机制的影响.通过成键过程中电荷密度的变化以及电荷转移的讨论，论述了碲镉汞材料Hg空位引起的弛豫以及这种弛豫产生的主要原因.通过态密度的计算和分析，发现Hg空位的形成将导致第一近邻阴离子Te的5s态能量向高能端移动了055eV，并借助Te 5s态电荷密度与成键电荷密度的计算结果，分析了引起该能态能量平移的主要原因.通过带边态密度变化以及Kohn-Sham(KS)单电子能级的计算和分析，得出了Hg 关键词： 碲镉汞 Hg空位 线性缀加平面波方法     

MoO_3/Si界面区钼掺杂非晶氧化硅层形成的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过模拟MoO_3/Si界面反应,研究了MoO_x薄膜沉积中原子、分子的吸附、扩散和成核过程,从原子尺度阐明了缓冲层钼掺杂非晶氧化硅(a-SiO_x(Mo))物质的形成和机理.结果表明,在1500 K温度下, MoO_3/Si界面区由Mo, O, Si三种原子混合,可形成新的稳定的物相.热蒸发沉积初始时, MoO_3中的两个O原子和Si成键更加稳定,同时伴随着电子从Si到O的转移,钝化了硅表面的悬挂键. MoO_3中氧空位的形成能小于SiO_2中氧空位的形成能,使得O原子容易从MoO_3中迁移至Si衬底一侧,从而形成氧化硅层;替位缺陷中, Si替位MoO_3中的Mo的形成能远远大于Mo替位SiO_2中的Si的形成能,使得Mo容易掺杂进入氧化硅中.因此,在晶硅(100)面上沉积MoO_3薄膜时, MoO_3中的O原子先与Si成键,形成氧化硅层,随后部分Mo原子替位氧化硅中的Si原子,最终形成含有钼掺杂的非晶氧化硅层.