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81.
薄原子蒸汽膜的单光子Dcike窄化吸收光谱可以拓展到双光子情形,以级联三能级系统为例,从理论上得到了亚多普勒结构的双光子吸收光谱,其线型表现出和单光子过程相似的与膜厚和探测光波长的比值(L/λ)相关的周期性.当L/λ=(2n+1)/2(膜厚为半波长的奇数倍)时,吸收谱线窄化现象明显.当L/λ=2n/2(膜厚为半波长的偶数倍)时,单光子情形的谱线窄化现象消失,而双光子情形的谱线仍表现为亚多普勒结构,尤其在异侧入射的情形下,可以获得极窄的双光子谱线结构. 这种结构来自原子与腔壁碰撞的消激发效应和双光子过程的抽运-探测机制的贡献.
关键词:
薄原子蒸汽膜
双光子光谱
Dicke窄化 相似文献
82.
83.
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F
关键词:
xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜
射频磁控溅射
退火 相似文献
84.
85.
TiO2 thin films were prepared under various conditions by using a reactive RF sputtering technique. The structural, optical and electrical characteristics of the films have been investigated. All as-deposited films were amorphous. After annealing at T > 673 K, the crystallinity of the observed tetragonal anatase phase appeared improved. The optical band gap, determined by using Tauc plot, has been found to amount to 3.38 ± 0.03 and 3.21 ± 0.03 eV for the direct and indirect transition, respectively. Also the complex optical constants for the wavelength range 300-2500 nm are reported. Using the two-point probe technique, the dark resistivity has been measured as a function of the film thickness, d. The resistivity, ρ, of the samples has been found to decrease markedly with increasing thickness, but only for d < 100 nm. The behaviour of ρd versus d was found to fit properly with the Fuchs and Sondheimer relation with parameters ρo = 4.95 × 106 Ω cm and mean free path, l = 310 ± 2 nm. The log ρ versus 1/T curves show three distinct regions with values for the activation energy of 0.03 ± 0.01, 0.17 ± 0.01 and 0.50 ± 0.02 eV, respectively. 相似文献
86.
We explore the magnetic heat capacity in exchange-biased ferromagnet/antiferromagnet bilayers theoretically. We show that changes in the antiferromagnetic structure due to the reversal of the ferromagnet layer can be detected by distinct features in the heat capacity. This offers a method for probing antiferromagnetic domains in exchange-biased systems. 相似文献
87.
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献
88.
89.
计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。 相似文献
90.
研究了充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移特性(MFS),发现充有不同温度退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移不同,充有经600℃退火Fe基纳米晶粉芯LC回路的磁致频移最灵敏。 相似文献