毛细管放电X光激光装置中的预脉冲电源

 针对目前毛细管放电X 光激光装置产生的预脉冲电流幅值过大、持续时间较短的问题，提出了增加预脉冲开关抑制原有预脉冲，再外加由脉冲成形网络组成的预脉冲发生器，产生所需预脉冲的改造方案。可在主脉冲来临之前产生幅度10~50A，持续时间约17μs的方波预脉冲电流，来满足毛细管放电泵浦类氖氩X光激光实验的需要。     

电信运营市场上过度进入的供给分析

本文在分析光纤主干网和本地接入服务市场上电信运营商的供给行为的基础上,首先证明了拥有主干网的运营商愿意租出自己的部分光纤,接着分析证明了上述两市场上使投资更倾向于过度的乘数效应,并进一步证明网络外部性使乘数效应更加明显.旨在对我国电信运营市场发展给出一些参考意见.     

基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显徽镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明：随衬底温度的升高，晶粒明显长大。膜内的缺陷和应力显著减小，而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明，薄膜电阻率显著减小，而磁电阻显著增大。     

闭排队网络中性能势与无穷小实现因子之间的关系

In this paper,the concept of the infinitesimal realization factor is extended to the parameter-dependent performance functions in closed queueing networks. Then the concepts of realization matrix (its elements are called realization factors) and performance potential are introduced,and the relations between infinitesimal realization factors and these two quantities are discussed. This provides a united framework for both IPA and non IPA approaches. Finally,another physical meaning of the service rate is given.     

静电堵漏串级镜MM—4U贩约束位形的理论研究

本文分析了双会切静电堵漏串级磁镜ＭＭ－４Ｕ中粒子损失的可能机制，考虑了 等离子体粒子能量的切断，从平衡的Ｖｌａｓｏｖ方程的解出发，数值求解了一组静态的达朗倍尔方程，即Ｐｏｉｓｓｏｎ方程和Ｍａｘｗｅｌｌ方程，得到了等离子体电位，密度及非中性度（净余电子数密度）分布。结果表明，堵漏电压及堵漏电极板的几何位形，磁场位形及磁场大小，电子温度电子－离子温度比在串级磁镜的束位形的形成中起着重要的作用。     

网络中一类最短支撑树的计算方法

本文在无向赋权图求最短路的Dijkstra算法的基础上,提出了在有向网络图中寻找具有一个枢纽点且与其它各点均有定向联系的最短支撑树的算法,同时还给出了应用该算法的一个计算实例。     

平面2n+1次系统极限环的唯一性

讨论了微分方程组 dx/dt=-y(1 -ax2 n) +bx-cx2 n+ 1,dy/dt=x(1 -ax2 n) ,并且给出了其极限环存在唯一的条件 .     

基于矩阵初等变换的n元函数极值的快速判别法

给出了 n元函数极值的一个充分条件 ,并结合矩阵的初等变换建立了 n元函数极值的一种快速判别法 ,最后给出了一个例子     

有机薄膜器件负电阻特性的影响因素

研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素，为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件，研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下，所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3～4V时，观察到明显的负电阻特性，电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素，认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含唔二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物，该聚合物兼具空穴和电子传输功能，在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件，有可能得到易于控制的负阻效应，开发出新型的有机负电阻器件。