全文获取类型
收费全文 | 12171篇 |
免费 | 2366篇 |
国内免费 | 1174篇 |
专业分类
化学 | 3269篇 |
晶体学 | 223篇 |
力学 | 3165篇 |
综合类 | 153篇 |
数学 | 1382篇 |
物理学 | 7519篇 |
出版年
2024年 | 34篇 |
2023年 | 124篇 |
2022年 | 389篇 |
2021年 | 394篇 |
2020年 | 375篇 |
2019年 | 336篇 |
2018年 | 339篇 |
2017年 | 452篇 |
2016年 | 570篇 |
2015年 | 503篇 |
2014年 | 707篇 |
2013年 | 1097篇 |
2012年 | 783篇 |
2011年 | 897篇 |
2010年 | 752篇 |
2009年 | 799篇 |
2008年 | 828篇 |
2007年 | 879篇 |
2006年 | 768篇 |
2005年 | 674篇 |
2004年 | 544篇 |
2003年 | 532篇 |
2002年 | 443篇 |
2001年 | 384篇 |
2000年 | 360篇 |
1999年 | 294篇 |
1998年 | 324篇 |
1997年 | 201篇 |
1996年 | 157篇 |
1995年 | 119篇 |
1994年 | 125篇 |
1993年 | 104篇 |
1992年 | 72篇 |
1991年 | 67篇 |
1990年 | 54篇 |
1989年 | 38篇 |
1988年 | 34篇 |
1987年 | 32篇 |
1986年 | 28篇 |
1985年 | 35篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 7篇 |
1982年 | 14篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 5篇 |
1978年 | 3篇 |
1976年 | 4篇 |
1959年 | 1篇 |
1957年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
991.
半结晶聚合物注射成型中结晶动力学的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
对半结晶聚合物注射成型过程及其结晶过程进行偶合模拟,分析了二者的相互影响.具体是在注射成型数值模拟中考虑结晶动力学效应,分别在本构方程、能量方程及材料物性参数方程中引入反映结晶效应的参数;同时在结晶动力学计算中考虑流动诱导效应,从能量的角度提出并使用修正的动力学模型,用材料流动过程的耗散能表征流动对结晶的影响.通过对等规聚丙烯(iPP)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)两种半结晶聚合物注射过程模拟结果的分析比较,证实成型过程具有加速结晶的作用.同时,材料的结晶也对注射成型加工过程,尤其是保压与冷却过程的温度场分布有较大的影响. 相似文献
992.
993.
建立了S2态光合释氧络合物(OEC)的原子-键电负性均衡模型(ABEEMσπ)的电荷参数,并使用ABEEM/MM/MD可极化力场的分子动力学模拟和对称性破损的DFT研究了光合作用制造氧气的微观机制.HF/STO-3G(采用此基组的原因请见引用文献)水平下的电荷拟合结果证明了ABEEMσπ模型计算电荷分布的合理性和高效性.MD模拟显示,S2态Mn4CaO5的双向异构化过程伴随Ca上的水分子W3转移至Mn1(III)/Mn4(III),它很可能作为底物水之一,与O5在S4态结合产生O2.基于此,考察了全自旋态下两种异构体形式中O-O键形成的自由基耦合机理.BS-DFT计算结果表明,开立方结构的释氧活性大大优于闭立方结构,金属锰和氧自由基的自旋耦合方式也是反应性的决定性因素,同时,OEC的结构灵活性对于S态循环和光合水分解至关重要. 相似文献
994.
激波与转捩边界层干扰非定常特性数值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
激波与边界层干扰的非定常问题是高速飞行器气动设计中基础研究内容之一.以往研究主要针对层流和湍流干扰,在分离激波低频振荡及其内在机理方面存在着上游机制和下游机制两类截然不同的理论解释.分析激波与转捩边界层干扰下非定常运动现象有助于进一步加深理解边界层状态以及分离泡结构对低频振荡特性的影响规律,为揭示其产生机理指出新的方向.采用直接数值模拟方法对来流马赫数2.9,24?压缩拐角内激波与转捩边界层干扰下激波的非定常运动特性进行了数值分析.通过在拐角上游平板特定的流向位置添加吹吸扰动激发流动转捩,使得进入拐角的边界层处于转捩初期阶段.在验证了计算程序可靠性的基础上,详细分析了转捩干扰下激波运动的间歇性和振荡特征,着重研究了分离泡展向三维结构对激波振荡特性的影响规律,最后还初步探索了转捩干扰下激波低频振荡产生的物理机制.研究结果表明:分离激波的非定常运动仍存在强间歇性和低频振荡特征,其时间尺度约为上游无干扰区内脉动信号特征尺度的10倍量级;分离泡展向三维结构不会对分离激波的低频振荡特征产生实质影响.依据瞬态脉动流场的低通滤波结果,转捩干扰下激波低频振荡的诱因来源于拐角干扰区下游,与流场中分离泡的收缩/膨胀运动存在一定的关联. 相似文献
995.
硫化亚锡(SnS)是一种Ⅳ-Ⅵ族层状化合物半导体材料,其禁带宽度与太阳能电池最佳带隙1.5 eV非常接近,并且在可见光范围内光的吸收系数很大(α>104 cm-1),因此SnS是一种很有应用前景的材料。本文利用太阳能电池模拟软件wxAMPS模拟了MoS2/SnS异质结太阳能电池,主要研究SnS吸收层的厚度、掺杂浓度和缺陷态等因素对太阳能电池性能的影响。研究发现:SnS吸收层最佳厚度为2 μm,最佳掺杂浓度为1.0×1015 cm-3;同时高斯缺陷态浓度超过1.0×1015 cm-3时,电池各项性能参数随着浓度的增加而减小,而带尾缺陷态超过1.0×1019 cm-3·eV-1时,电池性能才开始下降;其中界面缺陷态对太阳能电池影响比较严重,界面缺陷态浓度超过1.0×1012 cm-2时,开路电压、短路电流、填充因子和转换效率迅速下降。另外,通过模拟获得的转换效率高达24.87%,开路电压为0.88 V,短路电流为33.4 mA/cm2。由此可知,MoS2/SnS异质结太阳能电池是一种很有发展潜力的光伏器件结构。 相似文献
996.
基于PAF-301分子模型通过Li 掺杂或B取代等模式设计了几种新型多孔芳香骨架(PAFs)材料, 采用量子力学和分子力学方法对新材料的储氢性能进行研究. 由量子力学计算得到了不同分子片段与H2之间的结合能, 并结合DDEC方法计算了各分子片段的原子电荷分布. 利用巨正则蒙特卡洛(GCMC)模拟方法计算了77和298 K下H2在不同PAFs材料中的吸附平衡性质. 结果表明, H2直接与苯环的结合能较低, 但掺杂Li 原子能够提高H2与六元环的结合能, 同时Li 原子体现出较高的正电性质, B原子取代苯环中的两个C原子后, 使得原有C原子电负性增强; 77 K下PAF-301Li 具有最高的储氢性能, 而PAF-C4B2H4-Li2-Si 和PAF-C4B2H4-Li2-Ge体现出较好的常温储氢性能, 各种材料的常温储氢性能远低于其低温储氢性能. 通过77 K下H2在PAFs材料中的等位能面分布和吸附平衡质心密度分布对H2在PAFs 材料中的优先吸附位置进行分析, 发现在PAF-301 和PAF-301Li 骨架中, 由于中心能量较低的等位能区域范围较宽, H2在其中存在四个明显的吸附高密度分布区域, 而其它三种PAFs晶胞中心能量较低的等位能区域范围较窄, 使得H2在其中只存在两个明显的吸附高密度分布区域. 相似文献
997.
盐酸拓扑替康与人血清白蛋白的相互作用及分子模拟 总被引:4,自引:0,他引:4
用荧光光谱法、分光光度法研究了盐酸拓扑替康(topotecan hydrochloride, 简记为THC)与人血清白蛋白(human serum albumins, HSA)的相互结合反应. 计算了反应的结合常数、结合位点数和热力学常数. 盐酸拓扑替康在人血清白蛋白上的结合位置与色氨酸残基间的距离为3.63 nm. 分子模型研究表明, 盐酸拓扑替康与人血清白蛋白的亚结构域IIA结合, 二者间的作用力主要为疏水作用, 此外, 蛋白质的丙氨酸(Ala-291)残基和天冬氨酸(Asp-256)残基与盐酸拓扑替康之间还存在氢键作用力. 相似文献
998.
We propose an improvement of the replica-exchange and replica-permutation methods, which we call the replica sub-permutation method (RSPM). Instead of considering all permutations, this method uses a new algorithm referred to as sub-permutation to perform parameter transition. The RSPM succeeds in reducing the number of combinations between replicas and parameters without the loss of sampling efficiency. For comparison, we applied the replica sub-permutation, replica-permutation, and replica-exchange methods to a β-hairpin mini protein, chignolin, in explicit water. We calculated the transition ratio and number of tunneling events in the parameter space, the number of folding–unfolding events, the autocorrelation function, and the autocorrelation time as measures of sampling efficiency. The results indicate that among the three methods, the proposed RSPM is the most efficient in both parameter and conformational spaces. © 2019 Wiley Periodicals, Inc. 相似文献
999.
Haisheng Fang Zhi Zhang Yaoyu Pan Ronghui Ma Sheng Liu Mengying Wang 《Crystal Research and Technology》2014,49(11):907-918
Gallium nitride (GaN) is a direct bandgap semiconductor widely used in bright light‐emitting diodes (LEDs). Thin‐film GaN is grown by metal‐organic chemical vapour deposition (MOCVD) technique. Reliability, efficiency and durability of LEDs are influenced critically by the quality of GaN films. In this report, a systematic study has been performed to investigate and optimize the growth process. Fluid flow, heat transfer and chemical reactions are calculated for a specific close‐coupled showerhead (CCS) MOCVD reactor. Influences of reactor dimensions and growth parameters have been examined after introducing the new conceptions of growth uniformity and growth efficiency. It is found that GaN growth rate is mainly affected by the concentration of (CH3)3Ga:NH3 on the susceptor, while growth uniformity is mainly influenced by the recirculating flows above the susceptor caused by natural convection. Effect of gas inlet temperature and the susceptor temperature over the growth rate can be explained by two competing mechanisms. High growth efficiency can be achieved by optimizing the reactor design. 相似文献
1000.