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601.
Ternary yttrium chromium sulfide,Y2CrS4,prepared by the solid-state reaction of Y2S3,Cr,and S,was found to exhibit an antiferromagnetic transition at about 64 K.The X-ray diffraction pattern at 300 K was refined with space group Pca2 1,and the structure parameters were determined to be a = 12.51 Ab = 7.53A,and c = 12.49A,We investigated the magnetotransport properties,and observed negative colossal magnetoresistance reaching up to 2.5 × 10^ 4 % in the semiconducting compound of Y2CrS4.  相似文献   
602.
603.
We measure magnetization reversal and giant magnetoresistance of CoFe/Au/Co/Au multilayers and use micromagnetic simulations to model them. We characterize the system by perpendicular and easy-plane effective anisotropy of Co and CoFe layers, respectively. We show that minor hystereses of magnetoresistance can be reasonably well described by the model. The simulations show that the variation of resistance with the field depends on the field strength at which the sweep reverses, and is correlated with the number of stripe domains present in the Co layers.  相似文献   
604.
We report the structural, magentoresistance and electro-magnetic properties of ferromagnet–ferroelectric–type (1−x)La0.7Sr0.3MnO3/xBaTiO3 (with x=0.0%, 3.0%, 6.0%, 12%, 15.0% and 18.0%, in wt%) composites fabricated through a solid-state reaction method combined with a high energy milling method. The insulator–metal transition temperature shifts to a lower temperature and resistivity increases while the feromagnetic–paramagnetic transition temperature remains almost unchanged with the increase of BaTiO3 content. Magnetoresistance of the composites at an applied magnetic field H=3 kOe is enhanced in the wide temperature ranges with the introduction of BaTiO3, which could be explained by the enhanced spin polarized tunneling effect induced by the introduction of BaTiO3. The low-field magnetoresistance of the composite is analyzed in the light of a phenomenological model based on the spin polarized tunneling at the grain boundaries. Furthermore, the temperature dependence of resistivity for this series has been best-fitted by using the adiabatic small polaron and variable range hopping models. These models may be used to explain effect of BTO on the electronic transport properties on high temperature paramagnetic insulating region.  相似文献   
605.
张晓光  卢仲毅 《物理》2006,35(02):96-99
非铁磁金属层中的量子阱态在磁输运过程中的重要性已被广泛认识.铁磁金属层中自旋极化的量子阱态以前并没有详尽的理论研究;实验上也没有清晰地观测到自旋极化量子阱态的隧穿.文章介绍了最近由卢仲毅、张晓光和Pantelides[1]预言的Fe/MgO/FeO/Fe/Cr和其他铁磁量子阱隧道结中的共振隧穿,并解释铁、钴、铬的Δ1能带的对称性在这种共振隧穿中的作用.  相似文献   
606.
自旋极化的电流——2007年度诺贝尔物理学奖评述   总被引:1,自引:0,他引:1  
赖武彦 《物理》2007,36(12):897-903
2007年诺贝尔物理学奖授予法国物理学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得·格伦贝格(Peter Grünberg),以表彰他们发现了巨磁电阻(giant magnetoresistance, GMR)效应.这是在铁磁和非磁薄膜交替组成的人工超晶格中观察到的.GMR现象起源于载流子自旋与材料磁性的相互作用.该效应的应用革新了硬盘中读取数据的技术,使硬盘技术在过去十年得到飞速发展;另一方面,GMR效应的发现是新的自旋电子学的开端.通过电子自旋的量子效应,人们可以期待更多的发现和创新技术.  相似文献   
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