基于低温超导量子干涉器件的脑 听觉激励磁场探测

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声, 建立了单通道脑磁探测系统, 并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示, 1000 Hz音频和100 ms持续声音激励下, N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率激励下, N100m峰出现延时, 100 Hz 和1000 Hz之间的延时差别达到25 ms.相比于1 kHz特定频率的声音激励, 1—4 kHz 随机变频下的N100m峰幅度增强, 出现了数毫秒的延时.本研究为下一步利用软件梯度计进行多通道脑磁系统和听觉机理研究奠定了一定的基础.     

发光温敏漆的制备及其温度猝灭特性研究

以三氯化钌、2—2联吡啶为主要原料,甲基丙烯酸甲酯为基质,制备了钌联吡啶／聚甲基丙烯酸甲酯发光温敏漆,并对其温度猝灭特性进行了研究。扫描电镜观察发现钌联吡啶为规则的层状六边形结构;差热-热重测试表明钌联吡啶在320℃发生分解。紫外吸收光谱分析发现,温敏漆的适合激发光波长区间为410～500nm。荧光光谱测试结果表明温敏...     

First‐principles identification of defect levels in Er‐doped GaN

Erbium (Er) doped GaN has been studied extensively for optoelectronic applications, yet its defect physics is still not well understood. In this work, we report a first‐principles hybrid density functional study of the structure, energetics, and thermodynamic transition levels of Er‐related defect complexes in GaN. We discover for the first time that Er_Ga–C_N–V_N, a defect complex of Er, a C impurity, and an N vacancy, and Er_Ga–O_N–V_N, a complex of Er, an O impurity, and an N vacancy, form defect levels at 0.18 eV and 0.46 eV below the conduction band, respectively. Together with Er_Ga–V_N, a complex of Er and an N vacancy which has recently been found to produce a donor level at 0.61 eV, these defect complexes provide explanation for the Er‐related defect levels observed in experiments. The role of these defects in optical excitation of the luminescent Er center is also discussed.     

功率器件热性能的测试与分析

本文利用红外热像仪测温系统,系统地对三种典型的航天用功率器件进行了测试和分析。研究结果对功率器件可靠性分析具有重要的作用。同时对功率器件进行了数值模拟,在定性方面可为器件的热设计提供改进方向和合理方案。     

Multimode optical fiber demultiplexer-star coupler using a single gradient-index-rod lens and a multi-facet grating

An optical fiber multi-function device consisting of a single gradient-index-rod lens and a multi-facet blazed reflection grating is proposed to simultaneously realize functions of wavelength demultiplexing and optical signal distribution in a multimode optical fiber transmission system. We analyzed the demultiplexing characteristics and the tolerance of optical components using the ray trace method. This device can realize not only low loss optical signal distribution but also offers improved demultiplexing characteristics in comparison with the previously proposed demultiplexer-multiposition switch. The following characteristics are expected from the design using commercially available optical components: a working band of 0.64–0.88 μm, channel separation of 34–36 nm, 3 dB bandwidth of 27–28 nm, channel cross-talk of less than - 40 dB and minimum excess insertion loss of 0.9–2.1 dB.     

双层有机EL器件ITO/PPV/Alq3/Al发光稳定性的研究

制备了一组由PPV和Alq3组成的双层有机EL器件ITO/PPV/Alq3/Al;比较了两个发光层厚度不同时器件发光性能的差异.测试和分析了温度、真空度、工作电压和存放时间对器件衰减规律的影响.     

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在外杜瓦系统上设置了爆破片装置,借助大型有限元分析程序ANSYS,对爆破片和托架进行了分析,所得结果与实验结果良好吻合,为同类装置的过压泄放提供了有益的参考。     

80K高频无磁非金属脉冲管制冷机

介绍了高频脉冲管制冷机冷指无磁非金属材料的选择、加工以及实验优化工作.制作的高频无磁脉冲管制冷机冷指在风冷,2.3 MPa 充气压力,44 Hz,70 W 电功率输入条件下,最低达到 73.4 K 的无负荷最低温度;60 W 电功率输入,最低温度为 74.0 K,在 80 K 时可以提供 0.1 W 的制冷量.本文为高频脉冲管制冷机直接冷却相关低温超导器件提供了坚实的基础.     

β-FeSi2薄膜制备与发光研究的进展

过渡金属硅化物β-FeSi₂因其原料价格低廉且利于环保而成为理想的硅基发光材料之一。探讨了β-FeSi₂的发光机理,介绍了几种β-FeSi₂薄膜制备方法并比较了不同制备方法的特点,总结了最近几年来β-FeSi₂的研究进展和主要研究结果。结合作者已经取得的结果和积累的经验,提出了提高材料发光性能方法,认为良好的结晶质量和尽可能减少缺陷是β-FeSi₂高效发光的基础,因此有必要探索新的制备方法并改善已有的制备工艺。另外,尝试在β-FeSi₂薄膜中应用其它元素,也有可能增大发光效率;而有效激发β-FeSi₂的p-i-n结构也是提高发光效率的方法之一。最后,讨论了β-FeSi₂的发展趋势,展望了该种材料的发展前景。     

锂喹啉配合物作为电子注入层对有机电致发光器件性能的影响

利用锂喹啉配合物(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)作电子注入层,制备了结构为氧化铟锡／锂喹啉配合物铝{ITO(indium tin oxidc) TPD(N,N′-di-phenyl-N,N′-bis(3-mmethylphenyl)-l.l′biphenyl-4,4′diamine)/Alq3[tris-8-hydroxy-quinolinato)aluminum] Liq AI的电致发光器件。通过改变电子注入层Liq的厚度,考查了Liq厚度对器件电致发光效率及电流密度-电压关系的影响。实验表明Liq厚度大约为0．5nm左右时器件的性能最佳、电致发光效率约为没有Liq器件效率的5倍,而定电流下的工作电压最低,其原因可归于Liq在金属铝电极与有机层Alqs之间产生偶极层,使铝与有机层间的界面接近欧姆接触,从而使电子注入效率大幅提高;随着Liq厚度的增加,器件的电致发光效率降低,而定电流下的工作电压升高,与同类型以LiF作注入层的器件相比,这种器件性能受厚度影响而变化的趋势是类似的,但以Liq作注入层的器件具有较低的厚度敏感性,这是由于LiF为绝缘体,而Liq为半导体的缘故。Liq作注入层器件的这种对注入层厚度的不敏感性对批量生产中所用的大尺寸基底来说是非常有利的。