分布式负载垂直极化有界波电磁脉冲模拟器外泄场的规律分析

将基于MPI平台的并行时域有限差分(FDTD)方法与基于完全磁导体(PMC)镜像法相结合,并结合CST模拟软件,模拟给出分布式负载垂直极化有界波电磁脉冲(EMP)的外泄场(包括侧泄场和后泄场)的分布规律。模拟结果与实验结果符合得很好。研究表明：在高度方向上,地面附近的外泄场峰值最大,但远离模拟器时,在1.5 m高的高度范围内,外泄场的峰值差别不大;不管采用何种双指数脉冲源,距离模拟器边缘位置比较近的测点在传输线段的侧泄场的幅值大于分布式负载段侧泄场的幅值,且两者都大于分布式负载末端的后泄场幅值,但随着测点与模拟器边缘的垂直距离的增加,分布式负载段的后泄场可能会比侧泄场大;对于电压峰值相同的双指数激励源而言,所含的高频分量越多,在一定范围内,从其分布式负载末端外泄的后泄场更大;模拟器下方大地的电导率增加,模拟器的外泄场增加。

     

CdZnTe晶片表面钝化后的热处理研究

报道了CdZnTe晶片表面钝化后,热处理工艺对其性能的影响.先采用30;的H2O2钝化抛光好的CdZnTe 晶片,然后在恒温干燥箱中进行热处理;最后使用ZC36微电流测试仪、EDX能谱仪和扫描电镜(SEM)研究热处理对钝化后的CdZnTe晶片表面的电学性能、表面成分以及表面形貌的影响.分析表明:CdZnTe钝化后在大气氛围120℃下热处理40 min,表面H2TeO3、H6TeO6等分解较为完全,晶片表面氧化层分布均匀,表面漏电流显著减小,晶体电阻率提高1～2个数量级,对提高探测器的性能有重要作用.     

岩石中化学爆炸气体渗漏行为的实验研究

通过小药量化爆模拟实验,研究了岩石中满足缩比关系的不同药量化学爆炸一氧化碳渗漏时间、渗漏份额与药量的关系。研究结果表明:相同介质中缩比爆炸实验气体渗漏时间大致与药量的三分之二次方成正比,渗漏停止时间也大致与药量的三分之二次方成正比;封闭空间内化学爆炸在爆室内产生的高温能够使爆室内一些物质分解产生非冷凝气体;对于不同药量的缩比实验,小药量实验的气体渗漏份额不小于大药量实验的气体渗漏份额。根据此研究结果,可以用小药量地下爆炸气体渗漏行为的监测结果预估大药量实验的气体渗漏行为。     

浅析升钟水库右总干渠石爬明渠填方段滑坡形成的原因

本文阐述了升钟水库右总干渠石爬明渠填方段滑坡的地质环境、规模及特征，分析了渗漏对填筑土、粉砂质泥岩C、φ值的影响，论述了红层丘陵区填方输水渠道滑坡形成的原因，计算了孔隙水压力、渗透压力对填方渠堤稳定性的影响，介绍了该区的防渗整治措施。     

Substrate temperature influenced ZrO2 films for MOS devices

The effect of substrate temperature on the direct current magnetron-sputtered zirconium oxide (ZrO₂) dielectric films was investigated. Stoichiometric of the ZrO₂ thin films was obtained at an oxygen partial pressure of 4.0 × 10⁻² Pa. X-ray diffraction studies revealed that the crystallite size in the layer was increased from 4.8 to 16.1 nm with increase of substrate temperature from 303 to 673 K. Metal-oxide-semiconductor devices were fabricated on ZrO₂/Si stacks with Al gate electrode. The dielectric properties of ZrO₂ layer and interface quality at ZrO₂/Si were significantly influenced by the substrate temperature. The dielectric constant increased from 15 to 25, and the leakage current density decreased from 0.12 × 10⁻⁷ to 0.64 × 10⁻⁹ A cm⁻² with the increase of substrate temperature from 303 to 673 K.     

细晶粒BaTiO3陶瓷电阻率和漏电流的尺寸效应研究

BaTiO3陶瓷材料作为一种重要的介电材料被广泛应用于诸多领域,其尺寸效应也被广泛的研究.试验发现不同频率下BaTiO3陶瓷材料的电阻率的随晶粒尺寸变化而变化,由此提出一个BaTiO3陶瓷等效电路模型,从理论上验证不同频率下影响电阻率的主导贡献因素.同时试验中发现直流与瞬态测试下的电阻率的尺寸效应变化相差较大,理论分析是由漏电流中极化电流与电导电流造成的.结果表明,瞬态测量与直流测量的差异确实由漏电流的尺寸效应引起的.     

跨音压气机转子叶尖流场试验与分析

本文利用高频响动态压力测试技术测量了某跨音压气机转子叶尖间隙流场,其中包括对跨音转子叶尖漏流和激波／漏流干扰的细致流场特征．测试结果表明激波在机匣壁面处受漏流干扰的影响相当大,这一干扰分别来自于前缘漏流涡的干扰和叶尖第二次漏流对通道激波的直接冲击干扰,使激波结构呈“S”形.在低背压高攻角条件下,转子存在十分明显的尾涡．     

An analysis of the Circumferential Grooves Casing Treatment for transonic compressor flow

The stall mechanism of the NASA Rotor 37 is investigated through the analysis of the critical flow structures near the stall under the transonic condition. The performance of the rotor with Circumferential Grooves Casing Treatment (CGCT) is also studied based on the Reynolds-Averaging Navier-Stokes approach. The study finds that stall margin improvement can be achieved without significant penalty on the efficiency for the two CGCT configurations applied. The effects of circumferential grooves on the critica...     

稀土掺杂聚苯撑ER流体的研究

选用CeCl4和FeCl3等对自制的对苯撑进行掺杂,将制得的高介电聚苯撑粉末加入到硅油中得到电流变体流体,测量了在电场作用下粘度和漏电流密度,以及相关的物理常数。讨论了电场强度、粒子浓度与粘度和漏电流密度的关系,粘度变化的响应速度和恢复时间,并探讨了其相关机制。     

Impact of post-nitridation annealing on ultra-thin gate oxide performance

Decoupled-Plasma Nitridation (DPN) process with high level of nitrogen incorporation is widely used in the state-of-the-art technology, in order to reduce gate leakage current and boron penetration. However, due to the low temperature DPN process, the post-nitridation annealing treatment is required to improve the ultra-thin gate oxide integrity. In this paper, the effect of post-nitridation annealing on DPN ultra-thin gate oxide was investigated. The device performance and reliability were evaluated in three different post-nitridation annealing ambient (N₂/O₂, He, and NO).