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E. Rodriguez E. Jimenez G.J. Jacob A.A.R. Neves C.L. Cesar L.C. Barbosa 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2005,26(1-4):361
Multilayer PbTe quantum dots (QDs) and SiO2 were grown by pulsed laser deposition (PLD) and Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) techniques. The crystalline structure, QD size and size dispersion were observed by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurements. This technique allows one to grow PbTe QDs as small as 1.8 nm diameter and 0.6 nm size dispersion. The whole structure can be used in a Fabry–Perot cavity for an optical device operating at the mid-infrared region. 相似文献
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利用激光溅射 分子束的技术 ,结合反射飞行时间质谱计 ,研究了Cu+、Ag+、Au+与乙硫醇的气相化学反应。结果显示这三种金属离子与 (CH3 CH2 SH) n 反应形成一系列团簇离子M+(CH3 CH2 SH) n,且团簇离子尺寸不一样。Ag+、Au+与乙硫醇的反应还生成了 (CH3 CH2 SH) +n ,由此推测Cu+、Ag+、Au+与乙硫醇团簇的反应存在两种通道 ,一种通道是生成M+(CH3 CH2 SH) n,另一种是生成 (CH3 CH2 SH) +n 。Cu+、Au+与乙硫醇的反应还生成了M+(H2 S) (M =Cu、Au) ,但是实验中没有观察到Ag+(H2 S) ,理论计算表明Ag+(H2 S)很不稳定。另外 ,分析产物离子M+(CH3 CH2 SH) n 的强度发现 ,n =1~ 2之间存在明显的强度突变现象 相似文献
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Based on the Fourier transform method, a simple closed-form expression for the on-axis power spectrum of ultrashort Gaussian pulsed beams in diffraction at a circular aperture is derived, which permits us to study spectral changes both analytically and numerically. It is shown that for diffracted pulsed beams there exist spectral red and blue shifts, spectral narrowing, and spectral switches in the near field. The aperture diffraction plays an important role in spectral switching, but both the truncation parameter and bandwidth (or equally, Fourier transform limited pulse duration) affect the behavior of spectral switches. 相似文献
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In different regimes of exposure of metals to pulsed laser radiation, we show the role played by the liquid-drop phase formed from the target material in a laser-induced erosion plume due to bulk vaporization, in the dynamics of this plume. For some metals, the ranges of power densities of the acting laser radiation, at which the condensed-phase particles influence the passage of laser radiation to the target surface, have been determined experimentally. The mechanism of realization of a low-threshold breakdown has been revealed. 相似文献
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S. Koh K. Konishi Y. Shiraki 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2004,21(2-4):440
Self-assembled GeSiC dots stacked on a Ge hut-cluster layer buried in Si have been investigated. The critical thickness for formation of GeSiC dots is reduced owing to the strain fields from the buried hut-clusters. By utilizing the stacked structure, the dot size is decreased and the uniformity is improved. The highest density of the GeSiC dots with stacked structures is 7.4×1010 cm−2, which is six times larger than that of single GeSiC dots. The formation of the self-assembled GeSiC dots is strongly influenced by being stacked with buried Ge dots as well as C incorporation. 相似文献