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31.
离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
李金华  袁宁一 《物理学报》2004,53(8):2683-2686
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原 关键词: VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数  相似文献   
32.
强流离子束离子径向密度分布的模拟研究   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
白龙  翁甲强  方锦清  罗晓曙 《物理学报》2004,53(12):4126-4130
对初始分布为K-V分布的离子束进行模拟研究.除观察到存在束晕现象外,还发现离子束在通 道内运行过程中,离子沿径向密度分布发生了变化. 通过延迟反馈控制,不仅可以消除束晕 ,而且只要控制参数适当,也可以使束中心部分呈均匀分布状态. 关键词: 强流离子束 束晕 填充因子 离子密度分布  相似文献   
33.
稀土固体是重要的激光和光电子材料。目前 ,由于以宽带信号和太赫兹比特数据传输率为特征的信息技术的发展 ,稀土固体材料的相干瞬态动力学过程成为宽带与高速信息光子学的基本物理问题之一。研究了室温下稀土粉末样品Eu3+ ∶Y2 O3自由感应衰减的相干瞬态光谱 ,这有助于理解有效的光吸收动力学、激发态弛豫、相干能量传递和超短光脉冲在稀土固体中的传播。用一对紫外飞秒相干光脉冲作用于稀土粉末样品Eu3+ ∶Y2 O3,然后监测物质激发态的布居数随两个激发脉冲之间的延时的变化 ,测量到其自由感应衰减量子拍 (FID) ,从拍频周期分析确定了其能级精细结构 ,能级的退相时间长达皮秒量级。理论分析和实验结果符合得很好。对稀土离子的量子干涉的研究 ,表明其在受激受控光放大方面具有潜在的应用前景  相似文献   
34.
 研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和H2流量对a-CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底-阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低。用AFM观察了以该方法制得的448.4nm CH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下CH薄膜的UV-VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。  相似文献   
35.
 闪烁光纤在射线成像方面的应用越来越广泛。为了进一步了解闪烁光纤在射线辐照下的基本特性,基于蒙特卡罗方法,利用计算机模拟分析了γ射线在闪烁光纤中的好事例率与光纤长度及射线能量的关系,能量沉积效率与光纤长度及射线能量的关系。此项工作对于闪烁光纤阵列在射线成像,剂量场测量等方面的研究很有价值。  相似文献   
36.
 用2D3V PIC粒子模拟方法得到了超短脉冲超强激光与固体靶相互作用中高能离子产生的图像,并对其机理进行了研究。在靶前后表面都观察到了高能离子的产生,并诊断了离子能谱。模拟结果表明,在靶前表面所产生的高能离子,角分布较大,在向靶内输运过程中会损失能量;在靶后表面产生的高能离子,定向性很好,能获得很高的能量。模拟得到的离子能量和实验观测结果在量级上相符。  相似文献   
37.
陈平  朱登松  吴仲康  高立模 《物理实验》2003,23(2):14-15,18
通过实验观测氩离子激光器工作电流与输出光功率及其稳定性之间的关系,采用光反馈解决了反馈工作点的设置和跟踪调解,使输出光功率稳定性得到明显提高。  相似文献   
38.
含三正辛胺微胶囊对六价铬的富集   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文将对六价铬有效的萃取剂TOA(三正辛胺)微胶囊化,制成填充柱型的酸性体系六价铬的富集分离装置。实验结果表明,微胶囊填充柱中每毫升TOA对六价铬的最大萃取容量为158.0g/mL,为纯TOA液相萃取的4.9倍。微胶囊经碱/水洗涤后,可再生使用。  相似文献   
39.
冯芒  高克林 《物理》1998,27(10):587-592
通过介绍量子计算的基本概念和特点,并对比目前人们使用的计算机的计算方式,对于如何利用囚禁在离子阱中的超冷离子进行量子计算作了简要的叙述.  相似文献   
40.
HoYb:YVO4的上转换发光研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
研究了960nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb:YVO4的直接上转换增敏发光,发现了Ho3+离子的上转换发光现象,HoYb:YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强,而5S2→5I8相对小了一个数量级,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的. 关键词: 上转换发光 直接增敏(敏化) 钒酸钇YVO4晶体 Ho3+离子  相似文献   
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