The Nature of Electronic Charge

Advances in gauge theories and unified theories have not thrown light on the meaning of electron. The problem of the origin of electronic charge is made precise, new insights gained from Weyl space are summarized, and the origin of charge in terms of fractional spin is suggested. A new perspective on the abelian Chern-Simons theory is presented to explain charge.     

Recent radiochemical studies of the fission process

This article summarizes the recent radiochemical investigations on mass, charge kinetic energy and fragment angular distributions in low energy fission of actinides.     

表面传导电子发射显示器件电场分布的理论研究

利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型，对内部电场强度和电势进行了深入研究，推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性，利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟，从理论上对模拟曲面给出了合理的解释，分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为，并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比，解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内，本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致. 关键词： 表面传导电子发射显示 遂穿效应 面电荷密度 电场强度     

一种基于灰度变换的红外图像增强算法

针对红外图像，采用双门限分割法进行图像分割，然后采用分段灰度变换法进行图像增强。根据具体图像，通过人机交互的方式确定2个阈值，将图像分割为目标区、过渡区和背景区3部分；按照每一部分的特点，设计不同的灰度变换，对图像进行分段线性增强，得到感兴趣目标区的最佳视觉效果。通过对16位红外图像进行实验，得到了满意的结果。实验表明,该算法灵活便捷，在增加对比度和去除噪声的同时，还抑制了背景，达到了预期的效果。     

基于机器视觉的离散傅里叶变换目标识别方法

提出了一种基于机器视觉与离散傅里叶变换的目标特征识别方法。利用计算机图像技术采集和处理图像信号;利用离散的傅里叶变换对图像数据提取特征,能够更好的辨别数据细节,从而可通过图像的比对来实现目标的识别。该方法在对实际的静止图像进行处理与计算后,能够很好的对图像的细节变化进行识别。     

自由曲面光学虚拟制造与检测系统的探讨

自由曲面光学产品设计、制造与检测的工艺流程，通常采取试凑法逐次逼近。由于加工 检测 再加工，循环往复，既费时，成本又高，产生了瓶颈问题。为了解决此弊端，本文运用虚拟制造技术，提出光学虚拟制造的基本构想，即虚拟制造系统结构模型，给出光学系统虚拟原型的构成和光学系统成像质量虚拟检测系统的构成，讨论光学成像质量的仿真检测以及敏度分析方法。研究结果表明：运用虚拟制造与检测技术，可缩短研发周期，降低成本，优化工艺并提高产品质量。     

三代像增强器用微通道板的改进与发展

简要说明了三代像增强器的特点，分析了微通道板的离子反馈形成机理，给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法，即一种是减少和清除微通道板的吸附气体，另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器，以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法，该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命，还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现，不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破，还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高，同时还要结合和拓展选通电源的应用。     

一类非线性方程解的存在和唯一性及在图像中的应用

本文我们给出一个修正的非线性扩散方程模型，与Cotte Lions和Morel的模型相比该模型有许多实质上的优点。主要的想法是把原来去噪声部分：卷积Gauss过程替代为解一个有界区域上的线性抛物方程问题，因此避开了对初始数值如何全平面延拓的问题。我们从数学上的证明该问题解的存在性和适定性，同时给出对矩形域情况的解的级数形式。最后我们给基于本模型的数值计算差分模型，并且给出几个具体图像在该模型下处理结果。     

柱形分布的电荷产生的电势

将无限长线电荷看成二维平面上的一个“源”,利用电势叠加原理计算了无限长柱形均匀分布的电荷产生的电势.这些柱体的截面电荷分布包括可解析表示和不可求解表示两种,后者可以通过数值计算给出结果.因此这种方法实际上可以计算任意截面柱形电荷分布的电势.通过计算,展示了各种电荷分布所产生电场的特性和共同特征.     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量