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952.
提出了一种新型径向三腔同轴虚阴极振荡器,并进行了数值模拟研究. 研究表明: 这种径向三腔结构在束波转换面进行电场调制,能够大幅提高束波转换效率;同时,由阳极栅网和径向三腔结构构成的谐振装置能有效地抑制模式竞争;另外,由于采用了同轴引出结构,在提高能量引出的同时还能有效吸收漂移管中被利用过的电子,因此这种新型虚阴极振荡器能够获得较高的输出功率. 模拟的电子束电压为400 kV,电流为50 kA,主频为4.5 GHz,峰值功率达到6 GW,平均输出功率为3.1 GW,束波转换效率达到15%.
关键词:
高功率微波
同轴虚阴极振荡器
粒子模拟
束波转换效率 相似文献
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Novel correction method for X-ray beam energy fluctuation of high energy DR system with a linear detector 总被引:1,自引:0,他引:1
A high energy digital radiography (DR) testing system has generated diverse scientific and technological interest in the field of industrial non-destructive testing. However, due to the limitations of manufacturing technology for accelerators, an energy fluctuation of the X-ray beam exists and leads to bright and dark streak artifacts in the DR image. Here we report the utilization of a new software-based method to correct the fluctuation artifacts. The correction method is performed using a high pass filtering operation to extract the high frequency information that reflects the X-ray beam energy fluctuation, and then subtracting it from the original image. Our experimental results show that this method is able to rule out the artifacts effectively and is readily implemented on a practical scanning system. 相似文献
955.
956.
为了用热图法测量高能激光强度的时空分布,设计了将半导体制冷片作为激光靶屏的测量方案。研制了由16个50 mm×50 mm的制冷片组装成的总面积为200 mm×200 mm、总制冷功率超4 800 W的靶屏, 屏四周安装了8个红外标定物用于校正红外图像的畸变。理论上用热传导方程建立了激光辐照半导体制冷片靶屏的加热模型;数值模拟了屏表面温度分布同光强分布的关系,论证了氧化铝陶瓷材料制成的半导体制冷片作为高能激光靶屏的可行性,以及制冷片的制冷功能对测试性能的改善;通过实验验证了研制的靶屏测量光强是可行的。 相似文献
957.
差分比热实验方法是测量两个样品的比热差,具有高达万分之一的比热测量分辨率,适合测量相变时微小的比热变化及宽温区的电子比热.文章介绍了高分辨连续升温差分比热实验的测量原理和测量方法,并以铜氧化物高温超导体Y0.8Ca0.2Ba2Cu3O6+x为例,介绍了差分比热实验手段在宽温区电子比热的获得、正常态赝能隙及超导凝聚能研究等方面的应用. 相似文献
958.
Growth of gem-grade nitrogen-doped diamond crystals heavily doped with the addition of Ba(N3)2 下载免费PDF全文
Additive Ba(N 3) 2 as a source of nitrogen is heavily doped into the graphite-Fe-based alloy system to grow nitrogendoped diamond crystals under a relatively high pressure (about 6.0 GPa) by employing the temperature gradient method.Gem-grade diamond crystal with a size of around 5 mm and a nitrogen concentration of about 1173 ppm is successfully synthesised for the first time under high pressure and high temperature in a China-type cubic anvil highpressure apparatus.The growth habit of diamond crystal under the environment with high degree of nitrogen doping is investigated.It is found that the morphologies of heavily nitrogen-doped diamond crystals are all of octahedral shape dominated by {111} facets.The effects of temperature and duration on nitrogen concentration and form are explored by infrared absorption spectra.The results indicate that nitrogen impurity is present in diamond predominantly in the dispersed form accompanied by aggregated form,and the aggregated nitrogen concentration in diamond increases with temperature and duration.In addition,it is indicated that nitrogen donors are more easily incorporated into growing crystals at higher temperature.Strains in nitrogen-doped diamond crystal are characterized by micro-Raman spectroscopy.Measurement results demonstrate that the undoped diamond crystals exhibit the compressive stress,whereas diamond crystals heavily doped with the addition of Ba(N 3) 2 display the tensile stress. 相似文献
959.
960.