(NH4)Bi2(IO3)2F5: An Unusual Ammonium‐Containing Metal Iodate Fluoride Showing Strong Second Harmonic Generation Response and Thermochromic Behavior

An ammonium‐containing metal iodate fluoride compound, (NH₄)Bi₂(IO₃)₂F₅, featuring a two‐dimensional double‐layered framework constructed by [BiO₂F₅]^6? and [BiO₄F₄]^9? polyhedra, as well as [IO₃]^? groups, was successfully synthesized. The well‐ordered alignment of these SHG‐active units leads to an extraordinary strong SHG response of 9.2 times that of KDP. Moreover, this compound possesses a large birefringence (Δn=0.0690 at 589.3 nm), a wide energy band gap (E_g=3.88 eV), and a high laser damage threshold (LDT; 40.2×AgGaS₂). In particular, thermochromic behavior was observed for the first time in this type of compound. Such multifunctional crystals will expand the application of nonlinear optical materials.     

Si(111) Electrode/Electrolyte Interracial Studied by in-situ Second Harmonic Generation

Si(111) electrode has been widely used in electrochemical and photoelectrochemical studies. The potential dependent measurements of the second harmonic generation (SHG) were performed to study Si(111) electrode interface. At different azimuthal angles of the Si(111) and under different polarization combinations, the curve of the intensity of SHG with extern potential has a different form of line or parabola. Quantitative analysis showed that these differences in the potential-dependence can be explained by the isotropic and anisotropic contribution of the Si(111) electrode. The change in the isotropic and anisotropic contribution of the Si(111) electrode may be attributed to the increase in the doping concentration of Si(111) electrodes.     

掺杂对2H-MoTe2光电特性影响的第一性原理研究

MoTe₂是一种非空间反演对称性半导体,由线性偏振光照射,在无偏压条件下可以直接产生光电流,但是非常微弱.掺杂可以改变电子能带结构和降低空间反演对称性,从而有效的增强光电流.本文基于非平衡格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理,计算了本征、Nb掺杂、Ti掺杂和W掺杂2H-MoTe₂的能带结构、透射谱和光电流.能带结构表明：Nb掺杂使半导体2H-MoTe₂能带穿越费米能级,转变为金属特性;Ti和W掺杂减小了2H-MoTe₂的带隙,能带没有穿越费米能级,依然为半导体.掺杂都降低2H-MoTe₂的反演对称对称性,从本征的D_3h转变为C_s.从而在线偏振光的照射下可以有效的提高2H-MoTe₂的光电流.同时,发现掺杂可以提高单层2H-MoTe₂在低光子能量下的消光比,如Nb和Ti掺杂单层2H-MoTe₂分别在光子能量1.1 eV和1.2 eV处取得39.48和28.48的高消光比...     

NO在稀有金属钇表面的吸附行为

以往的理论在预测六方结构(HCP)金属的表面能时,计算值与实验值存在较大误差.鉴于此,本文首先用一种较为合理的方法精准地预测了稀有金属钇(Y)(0001)面的表面能,计算值(1.141 J/M²)与实验值(1.125 J/M²)吻合的很好.随后,系统研究了NO小分子在Y(0001)面不同位置(空位、桥位和端位)的吸附行为.结果表明:空位(H1)表现出了良好的吸附能力,吸附能超过了5eV,同时N-O键长伸长量超过了24%,此时,NO分子几乎平行地吸附于Y(0001)表面.所有的吸附位置的N-O分子伸长量范围为0.2?-0.42?.这种伸长量明显超过了NO在其它金属表面时的计算结果.     

钪与氧空位共掺杂锐钛矿相TiO2的形成能与电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了钪(Sc)、氧空位(O_V)单/共掺杂锐钛矿相TiO₂,对晶体结构、形成能以及电子结构进行了对比分析.研究结果表明,Sc-TiO₂在富氧环境下缺陷形成能为负值,富钛环境下缺陷形成能为正值,表明Sc-TiO₂只能在富氧环境下制备;O_V-TiO₂、Sc-O_V-TiO₂在富氧或富钛环境下缺陷形成能均为负值,但富氧环境下形成能更低;O_V-TiO₂的0/1-缺陷电荷转变能级为深能级,而Sc-TiO₂的0/1-缺陷电荷转变能级则属于相对较浅能级;与纯锐钛矿相TiO₂相比,Sc-TiO₂的禁带宽度略有减小,但O_V-TiO₂、Sc-O_V-TiO₂禁带宽度变宽.     

稀土X (X=La、Ce、Pr、Nd)修饰单层h-MoS2的NO气敏性

为提高h-MoS₂对NO的气敏性,采用第一性原理研究了X(X=La、Ce、Pr和Nd)对h-MoS₂的稳定性、吸附特性、功函数和伏安特性的影响.研究结果表明：X(X=La、Ce、Pr和Nd)取代Mo原子后得到的形成能均为负,说明掺杂体系容易形成且稳定存在.同时X掺杂后的h-MoS₂布居数相比于未掺杂前的大,也说明掺杂有利于体系稳定.NO吸附在La、Ce原子顶部位置的吸附能为-1.215 eV、-1.225 eV,吸附距离分别为2.475?、2.854?,具有明显的化学吸附特征.同时Hirshfeld转移电荷分别为0.213e和0.325e,具有明显的受体特征,提高了气敏性.La和Ce掺杂后能明显改变功函数的大小,也说明La和Ce能提高h-MoS₂对NO的气敏性.施加电场后能有效提高Pr掺杂体系的吸附强度,增大Hirshfeld转移电荷,对功函数的改变最大,所以电场对Pr掺杂体系的影响非常明显.通过分析掺杂体系的伏安特性曲线,La、Ce两掺杂体系的电流分别由0增大到5.3μA和4.8μA,而Pr、Nd...     

红外双波段双层谐衍射光学系统设计

将谐衍射透镜应用在传统红外单波段佩茨瓦尔(Petzval)物镜上,设计得到工作波段处于3.4~4.2μm和8~11μm的红外双波段单层谐衍射光学系统。但单层谐衍射元件的衍射效率只在设计波长处衍射效率最高,随着波长相对设计中心波长向两侧偏离,主衍射级次的衍射效率逐渐下降。为提高含单层谐衍射元件光学系统的衍射效率,基于双层衍射元件衍射效率表达式研究了双层谐衍射元件的结构优化,给出了优化方法。设计出佩茨瓦尔型红外双波段双层谐衍射光学系统,其在3.4~4.2μm和8~11μm两个工作波段的衍射效率均达到90%以上,相比含有单层谐衍射面的光学系统衍射效率有了很大提升,提高了像面衬比度,完善了系统成像质量。     

光突发交换网络中最长队列优先调度组装机制

提出了光突发交换网络中的最长队列优先调度（LQF-SA）机制,将边缘节点的突发组装和突发调度两种技术紧密结合在一起.在现实网络中,业务通常是非均匀分布的,即在某些源宿对之间存在更大的业务流量.仿真结果表明,LQF-SA机制可以很好地完成非均匀分布业务流的组装.即使在均匀分布业务流输入下,LQF-SA机制在突发大小分布、组装效率和突发丢失率等方面也优于已提出的轮询调度组装（RR-SA）机制.     

光学相干控制中脉冲光束等相面的实时测控

描述了飞秒脉冲基频光、倍频光光束位相差对相干控制光电流注入的控制作用,提出一种控制基频光、倍频光在全光孔径干涉光场内的等相面保持一致的实验方案,制作了一套相位差稳定自动控制系统,并应用于光学相干控制光电流实验中,获得较好的实时控制结果.