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Nongelatin dichromated holographic film(NGD) is a new holographic recordingmaterial.Holograms recorded on this material have better environmental stability, higherdiffraction efficiency and stronger real time effect, etc..An experimental study to ascertainthe influence of two electron donors, namely,N,N-dimethylformamide(DMF) and dimethyl-sulfoxide(DMSO),on the real time diffraction efficiency(RTDE) of NGD holograms is car-ried out.The pressence of electron donors not only improves the sensitivity,but also enhancesthe real time effect greatly.RTDE of above 60% at±1 orders of NGD plane transimissiongrating is achieved by introducing electron donors. 相似文献
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计算凹面闪耀光栅衍射效率的通用方法 总被引:1,自引:0,他引:1
为使凹面光栅的衍射能量更多地集中在所需要的级次上,提出了利用机械刻划的方法在凹面基底上制作变刻槽角度的凹面闪耀光栅,并利用菲涅耳-基尔霍夫衍射公式推导了同时在主截面和非主截面内计算凹面闪耀光栅衍射效率的理论方法,弥补了以往只在主截面内考虑衍射效率的不足,最后利用Matlab仿真软件模拟了衍射效率随波长的变化曲线,并对比了在不同制作和使用参数下衍射效率峰值的变化规律,为今后凹面光栅的设计和制作提供了参考价值。 相似文献
124.
给出三维空间网格模板含81个单元的最小二乘流体体积界面重构方法,并和Youngs方法及网格模板含125个单元的最小二乘流体体积界面重构方法进行比较.静态和动态的测试例子均表明:该方法能精确重构任意方向的平面界面,对C2光滑曲面它能达到二阶收敛精度.和网格模板含125个单元的最小二乘流体体积界面重构方法相比,在达到同样网格精度的条件下,减少了计算量,节省了计算时间,提高了计算效率. 相似文献
125.
本文采用傅里叶变换红外光谱方法(FTIR)对中药材重楼及其伪品开口箭的红外光谱进行了测试及对比分析。研究表明,重楼和开口箭各自有其独特的红外光谱特征,二者各自所包含的红外吸收峰的峰位明显不同,二者的红外光谱的峰形整体上有非常明显的区别,特别是在1650cm-1处及1405~1258cm-1范围这两个地方二者的峰形有非常明显的区别。采用傅里叶变换红外光谱方法可对重楼及其伪品开口箭加以鉴别和区分。 相似文献
126.
基于对多层衍射元件的衍射效率的理论分析,设计了用于头盔显示器的含有多层衍射元件的60视场折/衍射混合目镜系统。系统在设计波段和整个视场范围内衍射效率均在90 %以上,提高了光能利用率和像面对比度。目镜的出瞳距离为22 mm,出瞳直径为8 mm。调制传递函数(MTF)在25 lp/mm时全视场均在0.38以上,满足VGA分辨率要求。目镜中畸变为4.8%,垂轴色差最大为10 m。整个系统结构紧凑,镜头总长26.8 mm,最大直径16 mm,全系统质量仅8 g,实现了光学系统的轻小型化 相似文献
127.
128.
研制了一种在衍射光变图像器件上进行信息存储的新型数字化激光光刻系统。采用空间光调制器作图形自动输入,双远心投影成像系统在光刻记录面上缩微图形。通过光栅干涉光学头对记录面上的微图形进行干涉调制,使微图形上产生干涉条纹,条纹空间频率范围为500-1200lp/mm。在光刻胶干版上的存储实验表明,在衍射光变图像上的单角度存储信息密度大于3.7Mbit/cm^2。改变干涉条纹取向、条纹间隔和需要存储的图形,光刻系统可实现信息的旋转复用存储。上述光刻系统将会在防伪和衍射光变图像器件制造领域有良好应用。 相似文献
129.
Andrzej Wolkenberg Tomasz Przes?awski Kazimierz Regiński 《Journal of Physics and Chemistry of Solids》2003,64(1):7-14
At low temperatures In0.53Ga0.47As samples show an increase of carrier concentration, which can be explained in terms of a two carriers transport model. This type of problem exists since the beginning of the semiconductor era, dating back to monocrystalline germanium.We propose that in all the investigated layers, there are X atoms or charged dislocations in the region of the first monolayers, which are built in during epitaxial growth. The layers were intentionally undoped. They form an impurity band in which low mobility carriers dominate over the localised electron scattering due to the s-d exchange interaction. These carriers do not freeze out at liquid helium temperature and give rise to two transport media for electrons; a conduction band at higher temperatures and an impurity band at lower temperatures. The electron which fall down onto the previously ionised X atoms, then move by thermally activated hopping. We show that the two carriers model for In0.53Ga0.47As epitaxial layers are confirmed by the carrier concentration-temperature, carrier concentration-magnetic field, resistivity-magnetic field behaviour, and also by YKA theory also. The differences between the two transport models are so distinctive that observed phenomena may exist. This paper presents experimental results, which constitute comprehensive evidence for the complicated structure of the semiconductor epitaxial layers on the sample of n-type In0.53Ga0.47As/InP layer with n=2.2×1015/cm3. 相似文献
130.
Jin-Seung Jung Kyong-Hoon Choi Yong-Rok Kim Leszek Malkinski Weilie Zhou Charles J O'Connor 《Journal of Physics and Chemistry of Solids》2003,64(3):385-390
Superparamagnetic nickel nanoparticles were prepared by incorporating nickel ion into AlMCM41 as a nanoreactor and then reduced with sodium borohydride or H2 gas. Products were characterized by elemental analysis, transmission electron microscopy, X-ray powder diffraction, and magnetic susceptibility. The nickel particle size and blocking temperature depend on the reduction method. 相似文献