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81.
Evaporative deposition at oblique incidence is shown to enhance the magnetic anisotropy of an Fe20Ni80 magnetic film and induce magnetic anisotropy in an overlying, strongly isotropic Fe70Co30 film. This deposition method for the formation of an underlayer of several lattice parameters in thickness and semi-hard overlayer of a few thousands Angstroms in thickness achieves a significant change in the magnetization process and strong suppression of the coercive forces of Fe70Co30 in the hard magnetization direction. Soft magnetization of the Fe70Co30 overlayer is not achieved when one of the layers is deposited at oblique incidence. It is anticipated that shape magnetic anisotropy is responsible in part for the magnetic anisotropy induced in both in Fe20Ni80 under- and Fe70Co30 overlayer by oblique incidence evaporation.  相似文献   
82.
姜海青  姚熹  车俊  汪敏强 《物理学报》2006,55(4):2084-2091
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS 关键词: 2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜 光学性质 椭偏光度法 荧光光谱  相似文献   
83.
In this paper, we propose a model in studying soft ferromagnetic films, which is readily accessible experimentally. By using penalty approximation and compensated compactness, we prove that the dynamical equation in thin film has a local weak solution. Moreover, the corresponding linear equation is also dealt with in great detail.  相似文献   
84.
Understanding the luminescence of ZnO is very important for some applications. In spite of the many studies carried out, there are still some points concerning the origin of some of the luminescence emissions in ZnO crystals that require additional study; in particular, the role of extended defects remains to be a matter of controversy. We present here a cathodoluminescence analysis of the defects generated by Vickers indentation in hydrothermal HTT crystals. Special emphasis was paid to the luminescence band peaking around 3.3 eV. The origin of this band is a matter of controversy, since it has been related to different causes, extended defects being one of the candidates for this emission. The CL images were acquired around crystal defects. It is observed that the 3.3 eV emission is enhanced around the crystal defects; though it is also observed, but weaker, out of the defect regions, which suggests that there exist two luminescence emissions peaking very close to 3.3 eV. The two emissions, one related to structural defects and the other to the LO phonon replica of the free excitonic band, appear very close each other and their relative intensity should determine the shape of the spectrum.  相似文献   
85.
500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备   总被引:5,自引:2,他引:3  
从双波长激光运转及和频的机理出发,对LD泵浦Nd∶YAG,LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上,为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法,通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW.  相似文献   
86.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.  相似文献   
87.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11 关键词: ZnO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制  相似文献   
88.
模拟退火法在吸收薄膜的椭偏反演算法中的应用   总被引:18,自引:4,他引:14  
将一种广泛用于求解复杂系统优化问题的技术--模拟退火法--用来求解椭偏反演方程。首先假设一个薄膜模型,计算出其相应的椭偏参数(Ψ,Δ)的值,在这个计算值的基础上加入不同标准偏差的高斯噪声;然后将加入噪声后的值(Ψm,Δm)作为模拟的测量数据,采用模拟退火算法进行求解,验证得知这种方法求得的薄膜参数很接近于假设的薄膜模型参数的真值,与其他文献的报道结果一致,而且在扩大搜寻范围时,仍然可以得到准确解,从而证明了该方法的可行性以及有效性。  相似文献   
89.
J. Zhao  T. Li  X.X. Liu 《Applied Surface Science》2006,252(23):8287-8294
ZnO naorods on ZnO-coated seed substrates were fabricated by solution chemical method from Zn(NO3)2/NaOH under assisted electrical field. The working mechanism of electrical field was analyzed and the factors affecting the rod growth such as potential, precursor concentration and growth temperature were elucidated. The structural and optical properties are characterized by SEM, TEM, XRD, HRTEM and UV-vis. The results indicated that the nanorods have wurtzite structure without electrical field and are primarily of zincite structure under electrical field; when the electrical field is 1.1-1.3 V, not only the elevation of ion diffusion and adsorption lower the crystallite/solution interfacial energy and then the crystal nucleation barrier by increasing charge intensity, but also the production of H+ through oxidation of OH increases properly the degree of solution supersaturation near the substrate, and thus lowers the activation energy. Both the two processes do favor to rod growth. With increasing precursor concentration in this system, the average diameter and length of ZnO nanorods increase, leading to decreasing of optical transmittance. The maximum rod growth rate at given concentration of Zn2+ occurs at a specific temperature.  相似文献   
90.
薄原子蒸汽膜的单光子Dcike窄化吸收光谱可以拓展到双光子情形,以级联三能级系统为例,从理论上得到了亚多普勒结构的双光子吸收光谱,其线型表现出和单光子过程相似的与膜厚和探测光波长的比值(L/λ)相关的周期性.当L/λ=(2n+1)/2(膜厚为半波长的奇数倍)时,吸收谱线窄化现象明显.当L/λ=2n/2(膜厚为半波长的偶数倍)时,单光子情形的谱线窄化现象消失,而双光子情形的谱线仍表现为亚多普勒结构,尤其在异侧入射的情形下,可以获得极窄的双光子谱线结构. 这种结构来自原子与腔壁碰撞的消激发效应和双光子过程的抽运-探测机制的贡献. 关键词: 薄原子蒸汽膜 双光子光谱 Dicke窄化  相似文献   
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