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91.
IntroductionIndium-tin-oxide(ITO) has been widely used asthe anode material in organic light-emitting devices(OLEDs) because of its high transmittance in the visi-ble region and low electrical resistivity. In the pastyears, many investigations focused on …  相似文献   
92.
Preparation and Characterization of Nano-ZnFe2O4/TiO2 Films   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
The nano-ZnFe2O4/TiO2 films possess the functions of desulfurization and degradation for organic pollutants. The sols of ZnFe2O4/TiO2 were prepared by sol-gel method and coated on glass and porous ceramic by vertical coating and dipping-lift processes, respectively, and the samples were obtained after drying and sintering. The composition, appearance, absorption spectrum of the films, and the influence of the film on porous ceramic performances were analyzed using SEM, AFM, UV-Vis spectrometer, and mercury porosimeter, respectively, to determine the operation parameters of the multifunction porous ceramic elements for gas-purification.  相似文献   
93.
p—Si上电沉积Ni—W—P薄膜的结构与热稳定性   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了p-Si上恒电流沉积Ni-W-P合金薄膜组成与结构的关系,讨论了镀层的组成、结构随沉积时间的变化.测定了非晶合金的晶体结构随热处理温度的改变以及DTA曲线,结果表明,非晶Ni-W-P合金在晶化过程中形成两个纳米超微晶相,非晶Ni-W-P薄膜的热稳定性远高于通常使用的非晶Ni-P薄膜.  相似文献   
94.
佘平平  汪正浩 《中国化学》2005,23(7):806-810
In this paper, the chronoamperometry was used to study the charging processes of polyethylenedioxythiophene (PEDOT) modified electrodes in the potential range where PEDOT was in the oxidized state. The results show that the charging behaviors of the PEDOT films are well agreed with the exhausted finite diffusion model. The dependence of the capacitance values of the films on potential and concentration of solution was also studied in this potential range.  相似文献   
95.
Recently the research on structures with an ordered two-dimensional(2D) pattern has attracted great attention due to its versatile applications in the fields of microelectronic and optoelectronic devices, displays, biochips and sensors, enzymatic immobilization, drug carriers, and photonic band gap materials. Various well-arrayed 2D structures have been made by the modern technique such as laser writing pattern fabrication, photoetching technique, micro-electromechanical systems based on scann…  相似文献   
96.
有机分子与聚电解质静电吸附成膜特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
选取多种有机分子及聚电解质,采用静电吸附自组装法制备了聚电解质,聚电解质、聚电解质,有机分子、有机分子,有机分子的复合薄膜,讨论了这些体系的静电吸附成膜特性及其成膜机理.  相似文献   
97.
用X-射线衍射、动态力学测定等手段研究了不同拉伸倍数的超高分子量聚丙烯薄膜的力学性能的变化.以X-射线衍射法并基于串联力学模型的假设得到的各样品的表观晶区模量E_c~(app)约为34-38GPa.样品模量E_b随拉伸倍数增加而逐渐增大,其变化趋势与非晶区取向因子的变化相类似,说明非晶区取向是左右样品模量的重要因素.室温下,69倍拉伸样品的模量为27GPa,约为表观结晶模量的3/4,且其值在-150-160℃的温度范围内没有急剧变化,说明超拉伸明显改善了材料的力学性能及热稳定性.在各拉伸样品中,考虑伸直链结晶生成的可能性,利用并串联力学模型对伸直链结晶的体积分数做了估算,并对X-射线衍射法所得表观结晶模量进行了修正,认为室温下聚丙烯的真正晶区模量约为47GPa.  相似文献   
98.
In this paper, photoexcitation processes in the bilayer devices based on inorganic materials and poly(N-vinylcarbazole) (PVK) were investigated. In order to clarify the roles of inorganic materials in photoconductive properties of bilayer devices, TiO2 and ZnS were chosen to combine with PVK. A model for generation of photocurrent (Iph) in single layer device of PVK was obtained. It is deduced that the recombination rate constant (Pcomb) and the ionization rate constant (y) ofexcitons should be considered as the most important factors for Iph. For inorganic materials (TiO2 or ZnS)/PVK bilayer devices, in reverse bias of-4 V, the photocurrent of 115 mA/cm^2 in the TiO2/PVK device was observed, but the photocurrent in the ZnS/PVK device was only 10 mA/cma under the illumination light of 340 nm and the light intensity of 14.2 mW/cm^2. The weaker photocurrent is attributed to the absorption of ZnS within UV region and the energy offset at the interface between PVK and ZnS, which impedes the transport of charge carriers.  相似文献   
99.
郜军  冯秀岚 《发光学报》1994,15(2):136-140
在具有电致发光(EL)的有机整合染料8-羟基喹啉铝(Alq3)中接以染料罗丹明6G(R6G),用真空热蒸发的方法制备器件,获得了峰值波长575nm的黄色直流薄膜电致发光,从而通过掺杂改变了发光颜色.并在Alq3发光层不同区域插入一掺杂薄层(Alq3:R6G),利用其发光波长与未掺杂部分(Alq3)的不同,以此作为“探测层”,通过对器件光谱及电学特性的测量与分析,探讨了有关发光区域,发光机理,界面对发光影响等基本问题.  相似文献   
100.
应用X射线三晶衍射对LaAlO3衬底上生长的YBa2Cu3Oy薄膜中的应力水平、存在的主要缺陷,以及薄膜与衬底的失配和取向关系等进行了研究。结果表明,薄膜在衬底上几乎完全松弛,应力很小,薄膜存在较严重的晶格取向差缺陷,这是影响薄膜晶体结构完整性的主要因素。此外,衬底与薄膜在垂直于表面和平行于表面方向都存在取向差。 关键词:  相似文献   
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