脉冲LDA泵浦Nd∶YVO4/GaAs被动调Q锁模激光器

用脉冲激光二极管阵列（LDA）作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As＋注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运转阶段,初始透过率60％的GaAs晶片对调Q包络内的锁模脉冲的调制深度达到95％以上,锁模脉冲重复频率991 MHz.研究了加在LDA上的电压、方波脉冲的脉宽和重复频率对调Q锁模脉冲特性的影响,并对实验结果进行了讨论.     

High power, long pulse duration, single-frequency Nd:YVO4 master-oscillator power-amplifier

An efficient single-frequency Nd:YVO₄ master-oscillator power-amplifier is described. Gated pulses from a CW diode-pumped ring laser were amplified by three Nd:YVO₄ amplifiers. Pulses of 1mJ energy; 2 kW peak power and 1 μs duration were obtained at a repetition frequency of 10 kHz. Analogue shaping of the input pulses was used to control the output pulse shape and thus extend the useful range of pulse widths from the 100 ns to the μs regime. A simple mathematical expression was used to model the results which provided reasonable agreement with the experimental work. This system offers a promising pump source for a quasi-CW singly-resonant optical parametric oscillators.     

LD抽运Nd∶YVO4自喇曼倍频黄光激光器

报道了LD抽运的自喇曼c切Nd∶YVO4调Q腔内倍频黄光激光器.Nd∶YVO4晶体同时作为激光介质和喇曼晶体，通过声光调Q技术，产生了1 178.7 nm的喇曼激光，经过KTP腔内倍频，输出589.4 nm黄光.测量了平均输出功率随抽运功率和脉冲重复率的变化.典型的1 066.7 nm基频光、1 178.7 nm喇曼光和589.4 nm倍频光的脉冲宽度分别为24.9 ns、11.2 ns和6.8 ns.在脉冲重复率为15 kHz，抽运功率为7.56W时，产生了平均功率为151 mW的589.4 nm光的输出.     

Ho:YVO_4晶体中Ho~(3+)光谱参数的计算

根据Ho3+在Ho :YVO4 晶体的吸收谱和 0 6～ 2 1μm波段的荧光谱 ,用J O理论计算了Ho3+的强度参数Ωλ ,并由此计算了激发能级的振子强度、自发辐射跃迁几率、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数 ,讨论了Ho :YVO4 晶体作为红外激光材料的可能性。     

The Study on the Interaction between Tm~(3 ) and Tb~(3 ) Rare Earth Ions in YVO_4 Crystal

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｔｈｅｌａｓｉｎｇｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｏｆｒａｒｅ ｅａｒｔｈｉｏｎＴｍ3 ｄｏｐｅｄｌａｓｅｒｃｒｙｓｔａｌｓａｔ～ 2 .3 μｍａｎｄ～1 .9μｍｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ,ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇｔｏ3Ｈ4→3Ｈ5 ａｎｄ3Ｆ4→ 3Ｈ6 ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｓｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄｂｙＪ .Ａ .Ｃａｉｒｄ[1] ａｎｄＬ .Ｆ .Ｊｏｈｎｓｏｎ[2 ] .ＲｅｃｅｎｔｌｙＦ .Ｓ .Ｅｒｍｅｎｅｕｘ[3] ｓｕｇｇｅｓｔｅｄｔｈｅｌａｓｉｎｇｐｏｓｓｉｂｉｌｉｔｉｅｓｏｆＴｍ3 ｄｏｐｅｄｌａｓｅｒｃ…     

YVO4双折射晶体生长及完整性分析

在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(CZ法)生长YVO4晶体,采用自行设计的气压计,精密调节炉内的氧、氮比例,有效防止了晶体生长中的过度缺氧,生长出33mm×31mm(等径)YVO4晶体.设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件:转速5～10r/min,拉速:2～6mm/h,生长周期:24h,液面上8mm温度梯度2.875℃/mm.用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察,认为它们的成因主要是生长速率过快,生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等.     

微型Nd：YVO4激光器在碘分子调制转移光谱中的应用

以半导体激光器抽运微型Nd:YVO4倍频激光器为光源获得碘分子在532nm处的光外差调制转移光谱信号,并对获取最佳稳频信号的实验条件进行了讨论。     

掺铈YVO4晶体的发光特性及铈离子的价态分析

采用中频感应单晶炉和提拉法生长了高质量的掺Ce的YVO4晶体，并采用了两种不同的方式进行掺杂，即分别在YVO4晶体掺入了Ce2（CO3）3和CeO2，两种不同方式的掺杂浓度均为2at％．使用XRD测试了这两种晶体的物相，发现样品主要以YVO4相存在．吸收谱、荧光光谱和激发光谱的测试发现，这两种不同掺杂方式所得到的样品具有相似的光谱特性，即使用325nm的紫外线激发时，两种样品均可发出以44Onm为中心的宽带蓝光，这是来自Ce3＋离子的5d→4f的特征发射；而在46Onm的激发下，两种样品又均可发出以620nm为中心的宽带红光．通过X射线光电子能谱（XPS）对样品中的各个元素进行的测试分析，发现氧元素的1s峰分裂为529．8eV和531．8eV,这说明晶体中存在两种配位氧离子，一种是正常配位的氧离子（O2-），另一种是带空穴的配位氧离子（O-）．由ce的XPS测试结果中展现的5个5d峰推断，样品中的铈是以Ce3＋和Ce4＋两种形式共存，这种共存与两种配位氧离子的存在密切相关．我们认为，Ce：YVO4晶体的宽带红光发射来自Ce4＋-O2-的电荷迁移发光，并且它有可能因此而成为一种新型的用于白光LED的红色荧光粉．     

第三类热边界条件对激光晶体热效应的影响

以各向异性半解析热分析理论为基础,研究矩形横截面Nd∶YVO4激光晶体在有第三类热边界条件工作时,激光晶体温度场分布和晶体抽运面热形变分布.通过激光晶体工作特点分析,建立符合激光晶体工作状态的热模型.利用各向异性介质热传导方程的半解析求解方法,得出了矩形截面Nd∶YVO4晶体的温度场、端面热形变场的通解表达式.研究结果表明：当使用输出功率为15 W半导体激光器端面中心入射Nd∶YVO4晶体（晶体掺钕离子质量分数为0.5%）时,在抽运端面中心获得499.5 K最高温度和0.99 μm最大热形变量.和将第三类热边界条件近似为第二类热边界条件的通用做法相比更准确.这种方法可以应用到其它激光晶体热问题研究中,为有效解决激光系统热问题提供了理论依据.