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91.
产生特殊聚焦图形的二元光学元件   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过面积编码将伽博(Gabor)波带片的透过率函数的余弦分布等效为二元分布,研制了能产生各种特殊聚焦图形的二元光学元件。根据透镜聚焦的物理原理制作的二元振幅型波带片可以方便地产生多种聚焦线,给出了相应的实验结果,并讨论了改善聚焦效果的优化条件。  相似文献   
92.
金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
利用磁控溅射产生金属Cu团簇,同时蒸发半导体介质CdS,将Cu团簇包埋在CdS介质中,制备出金属颗粒 半导体膜.团簇大小可通过改变溅射气压控制.用TEM研究了嵌埋团簇的结构.分析表明:CdS很好地包埋了Cu团簇,都呈多晶结构;团簇尺寸在5—20nm,Cu晶格发生了膨胀,膨胀量在7%左右 关键词:  相似文献   
93.
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4 关键词:  相似文献   
94.
一、前言分子图形学是计算机在化学上应用的一个重要的分支。国外采用高速图形工作站及相应开发的软件,在分子图形学方面已达到很高的  相似文献   
95.
设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高Tc dc SQUID结构。根据Y.Zhang等在高Tc rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理,在直接耦合dc SQUID中,用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感,进而增大Ap/Lp,以增大总的有效面积。用双晶衬底所做的对比实验表明,对于我们所设计的几何结构,有效面积增大了17%。  相似文献   
96.
电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at%相似文献   
97.
 NATURE《自然》1991年.1.G.J.Fishman等《用长时间曝光设备在宇宙飞船表面观测7Be》349卷6311期沿轨道运行的人造卫星上的长时间曝光设备,在空间差不多6年,最近返回地球,从放射性的测量中,在长时间曝光设备的前沿,找到了一定数量的同位素7Be.本文的测定,可以把7Be作为外大气层示踪物以及空间表面相互作用研究的应用.  相似文献   
98.
沙洪均 《物理实验》1991,11(5):222-223,221
WJZ型多功能激光椭圆偏振仪是在JJY型分光计上附加激光椭偏装置而组成。兼有分光计和椭偏仪的功能,可用于测量不同基底上介质薄膜的厚度和折射率;除作为高校中级物理实验外,亦可用于材料表面光学参数的分析研究。但是,与原椭偏装置相配用的椭偏仪数据表,只能适用于K_q基底上生长的氧化锆薄膜标准试样,这就实际上限制了椭偏仪的使用范围;另一方面,即使对上述标准试样测量,所获数据往往与数据表提供的数值偏离甚大,直接影响实验效果。经过多次实际试验,本文分析了三相椭偏方程解的特性,讨论了不同条件下椭偏法测厚及折射率的计算机解算。  相似文献   
99.
溶胶—凝胶法制备SiO2基片Er^3+:Al2O3光学薄膜   总被引:1,自引:1,他引:0  
用溶胶—凝胶法在SiO2基片上提拉制备了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜。采用扫描电子显微镜、原子力显微镜、差热—热重分析仪、X射线衍射仪研究了掺Er^3 :Al2O3光学薄膜的肜貌和结构特性。在900℃烧结后,SiO2基片上提拉15次形成厚度8μm掺摩尔比0.01Er^3 的面心立方结构γ-Al2O3薄膜具有明显(110)择优取向,掺摩尔比0.01Er^3 对γ—Al2O3的品体结构和结晶生长过程木产生显著影响。薄膜具有均匀多孔结构,平均粒径为30~100nm,平均孔径为50~100nm,表面起伏度为10~20nm。掺摩尔比0.01Er^3 :rAl2O3薄膜,获得了中心波长为1.534μm(半峰全宽为36nm)的光敛发光谱。  相似文献   
100.
有机薄膜器件负电阻特性的影响因素   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素,为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件,研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下,所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3~4V时,观察到明显的负电阻特性,电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素,认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含唔二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物,该聚合物兼具空穴和电子传输功能,在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件,有可能得到易于控制的负阻效应,开发出新型的有机负电阻器件。  相似文献   
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