OLED薄膜干燥剂的制备及其对OLED的影响

有机电致发光显示器对水和氧气非常敏感,渗入器件后会和有机功能层及电极材料反应而影响器件的寿命及稳定性。本文提出了一种液体可涂覆干燥剂的制备方法,采用了氯化物干燥剂和价格低廉的阳离子成膜剂结合合成一种具有很好成膜性、且吸水效果很强的涂覆干燥剂。封装240 h后,使用薄膜干燥剂的器件的亮度分别为平均值的103.5%、83.3%以及119.8%,效率为平均值的130.7%、65.6%以及126.0%。与传统干燥剂相比,该薄膜干燥剂的吸湿效果更佳,且可延缓OLED的老化。     

用扬声器演示李萨如图形

在普通物理实验教学中,多用示波器观察李萨如图形,虽图形稳定,但不够直观。用电振音叉演示李萨如图形,由于电振音叉的固有频率不可调,只能观察到一种李萨如图形,而且也很难使图形稳定。既使有频率值存在一简单比值的音叉可供更换,也十分不便。本装置采用扬声器演示李萨如图形,不仅直观,而且同样可以得到各种稳定的李萨如图形。     

非晶SiOxNy薄膜的红外吸收光谱研究

通过改变O和N含量研究SiOxNy薄膜中从600到1600cm^-1范围内的红外吸收光谱特征。结果表明,起源于单－Si-O、Si-N键的吸收峰在1105和865cm^-1处;而随着薄膜中O或N含量的升高,位于单一键吸收峰的两侧出现因O-Si-O、N-Si-N的对称和反对键吸收的左右肩;对O－Si-N,其特征吸收峰位于1036和856cm^-1处。     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

纳米硅薄膜光吸收谱的研究

用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词：     

AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

利用微区Ｒａｍａｎ散射技术,对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０,０．０７,０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ,Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由于空间相关效应引起的展宽．Ｅ２模式随Ａｌ组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽．这被认为是Ｅ２模式的声子频移随Ａｌ组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Ａｌ组分的增加而减小共同作用的结果．在多种配置下,观察到了Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ薄膜的Ａ１（ＴＯ）模式、Ａ１（ＬＯ）模式、Ｅ１（ＴＯ）模式和Ｅ２模式．验证了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜的Ｒａｍａｎ选择定则．表明ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜具有单模行为．     

β-SiC薄膜在SF6和SF6+O2中的等离子体刻蚀研究

以SF₆和SF₆+O₂为刻蚀气体,采用等离子体刻蚀工艺成功地对化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了有效的刻蚀去除.实验指出当气体混合比约为40%时,刻蚀速率达到最大值.俄歇能谱分析表明,在SF₆和SF₆+O₂气体中被刻蚀后的样品没有形成富C表面的SiC层.研究结果为各种SiC器件的研制奠定了必要的实验基础. 关键词：     

以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnS:Sm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｓｍ,Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线,研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在电驱动下１６Ｖ启亮,最大亮度为１８．４ｃｄ／ｍ＾２,最大效率为０．０６１ｍ／Ｗ。     

基于“做中学”理念构建初中数学活力课堂

“做中学”的教学理念就是让学生通过“做数学”来培养智慧,提高数学素养．文章探讨了形成“做中学”的教学前提,并以“图形的运动”的教学为例,阐释“做中学”的教学设计与评价,以期构建初中数学活力课堂．