立方Gd2O3∶Eu纳米晶及光谱性质

用透射电镜拍摄球形ＣＧｄ２Ｏ３∶Ｅｕ纳米晶,并研究了室温下它的激发和发射光谱。结果表明,９００℃制备的体材料和相应的纳米晶相比,其激发光谱存在明显差异。前者以基质激发带为主导,电荷转移带（ＣＴＢ）很弱,而后者以ＣＴＢ为主。在绝缘体稀土氧化物中,可以忽略纳米效应对Ｅｕ３＋离子的４ｆ４ｆ能级跃迁的激发和发射光谱峰位的影响     

钐对不同氧空位SnO2气敏性能的影响

用Ｓｍ对不同氧空位浓度的ＳｎＯ２－ｘ气敏材料进行掺杂化学改性,并进行ＸＲＤ,ＸＰＳ,ＳＥＭ分析和比表面积测定,考察改性后的气敏材料对Ｃ６Ｈ６,Ｃ６Ｈ１２,Ｃ２Ｈ５ＯＨ,ＣＯ,Ｈ２等的气敏性能。     

掺氟汞系1223相的结构与超导电性

合成了掺氟汞基铜酸盐超导体 .研究证明氟进入了 1 2 2 3相 ,占据元胞中O( 3)的晶格位置 .掺氟烧结而不退火样品的超导临界温度Tc 为 1 33.8K ,比不掺氟烧结标准样品的Tc 提高约 2 2K ,显示氟掺杂能够使样品中载流子浓度nh 不经退火一步接近最佳值 .F代O( 3)收缩了CuO2 面与电荷储存层间距离及氟的电负性比氧大是提高Tc 的主要原因 .     

高分子量PPV的合成、掺杂及导电性

高分子量的聚对苯乙炔（ＰＰＶ）是从单体１．４一二氯甲基苯合成,后者聚合产生水溶性铳盐,此时,对于ＰＰＶ的转换可用二甲硫醚和盐酸的热消除反应,从水溶液中成膜。用ＩＲ、ＵＶ－Ｖｉｓ、ＴＧＡ分析研究了消除反应。ＰＰＶ膜具有良好的机械性能,而且可能是由于ｎ－和ｐ－型杂质得到的材料具有的导电性近似于这些高掺杂聚乙炔。中间聚电解质的转换率对于ＰＰＶ可能是一种调整,并且这些掺杂膜的导电性,可能与平均共轭长度有关     

固态法制备含钼组分碱金属离子Y分子筛性质的比较

利用固态离子交换法制备含钼组分碱金属离子Y分子筛 ,红外光谱和X射线衍射表明碱金属离子的交换度随离子半径增大而变小。含钼组分分子筛催化剂显现出很高的合成醇选择性 ,且随碱金属离子碱性增加 ,高碳醇比例增加。     

双掺杂铌酸锂晶体的生长及其光折变性质

采用提拉法以固液同成分配比(Li2CO3/Nb2O5＝48.6/51.4)生长了Fe掺杂及(Zn,Fe)、(Mg,Fe)和(Ce,Fe)双掺杂LiNbO3(LN)单晶.Ce:Fe:LiNbO3晶体的质量,指数增益系数和衍射效率皆高于Fe:LiNbO3晶体.所测得(Zn,Fe):LN、(Ce,Fe):LN、(Mg,Fe):LN和Fe:LiNbO3晶体的抗光致散射能力分别为8.2×103,3.2×102,8.3×102和1.2×102W/cm3;在488nm光进行的光折变实验中还原处理后的(Ce,Fe):LiNbO3晶体具有最高的二波耦合增益系数,为40.2cm-1,其全息衍射效率可达82.2%;实验结果表明(Zn,Fe):LiNbO3和(Mg,Fe):LiNbO3具有抗光散射能力强,响应时间短的特点,而(Ce,Fe):LiNbO3的增益系数和衍射效率均为最高,明显优于Fe:LiNbO3晶体.     

可溶性聚吡咯复合导电薄膜的研制

聚吡咯具有容易合成、导电率较高、稳定性较好等优点,已经对其进行了广泛而深入的研究,并且逐渐向工业应用方向发展^[1].但其不溶不熔性使得难于对其进行分子结构表征和加工.     

Yang-Baxter方程的解与量子Yang-Baxter H-余模

设Ｈ是域ｋ上的Ｈｏｐｆ代数。本文首先讨论了量子Ｙａｎｇ－Ｂａｘｔｅｒ Ｈ－余模与Ｙａｎｇ－Ｂａｘｔｅｒ方程的解的关系;然后作为应用,给出了任意Ｈｏｐｆ代数上Ｙａｎｇ－Ｂａｘｔｅｒ方程的一个解。     

光色效应双掺杂(Fe,Mn)vLiNbO_3的光折变全息存储

采用双掺杂（Ｆｅ, Ｍｎ）ｖＬｉＮｂＯ３ 晶体实现了光色效应光折变全息, 实验上着重研究了不同氧化／还原状态晶体全息存储性能, 结果表明, 只有晶体具有较高的氧化程度才能实现全息的长期存储, 与理论分析一致。     

短腔Er/Yb光纤光栅激光器

报道采用光敏Ｅｒ／Ｙｂ 光纤制作短腔Ｅｒ／Ｙｂ 光纤光栅激光器的实验结果。激光谐振腔由一对直接写在３０ ｍ ｍ 长的Ｅｒ／Ｙｂ 光纤上、长度分别为６ ｍ ｍ 及１０ ｍ ｍ 、反射率分别为９０％ 及９８．６％ 、３ ｄＢ带宽分别为０．２８ ｎｍ 及０．２６ ｎｍ 的光纤布拉格光栅组成, 激光器的泵浦阈值为８ｍ Ｗ, 斜效率约１４％ , 输出光的信噪比为６１ ｄＢ, 偏振模抑制比为３０ ｄＢ。