ICP-AES测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn

用ICP－AES法同时测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn等重金属元素，具有基体效应小、测量范围宽等优点。检出限为0．2－4．0μg/L，回收率为91．5％－103．9％，相对标准偏差为0．29％－1．5％，测定密码样与实际样品，结果令人满意。     

一类二元有理插值

应用文[1]新近建立的Gould-Hsu反演的双变量形式,本文研究了一类二元有理插值公式的构造,确定了该类插值函数所表现的函数类,并给出了差分表计算的递归公式     

Analysis of X（1576） as a Tetraquark State with the QCD Sum Rules

We take the viewpoint that X（1576） is the tetraquark state which consists of a scalar diquark and an antiscalar-diquark in relative P-wave, and calculate its mass in the framework of the QCD sum rule approach. The numerical value of the mass mx= （1.66 =k 0.14） GeV is consistent with the experimental data. There might be some tetraquark components in the vector meson X（1576）.     

Spectrum Simulation of Li-Like Aluminium Plasma

X-ray emission spectra for L-shell of Li-like aluminium ions are simulated by using the flexible atomic code based on the collisional radiative model. Atomic processes including radiative recombination, dielectronic recombination, collisional ionization and resonance excitation from the neighbouring ion （Al^9＋ and Al^11＋ ） charge states of the target ion （Al^10＋） are considered in the model. In addition, the contributions of different atomic processes to the x-ray spectrum are analysed. The results show that dielectronic recombination, radiative recombination, collisional ionization and resonance excitation, other than direct collisional excitation, are very important processes.     

吸积盘的X射线辐射对周围星际物质的离化研究

利用辐射流体力学程序对三倍频纳秒激光与靶物质相互作用进行了模拟研究，得到了可以产生黑体辐射谱分布的激光等离子体X射线辐射靶的最佳厚度；数值模拟研究了黑体谱分布的X射线辐射场对等离子体系统平均离化度分布的影响，它有助于深入理解天体物理中吸积盘对它周围星际物质的离化影响. 关键词： 辐射流体力学 激光等离子体 X射线辐射 吸积盘 离化     

喷气式Z箍缩等离子体辐射软X射线能谱的研究

研制了一台五通道ROSS-FILTER-PIN软X射线能谱仪，能谱范围为0.28—1.56keV.它由5个连续能段组成，每个能段的起止边由罗斯滤片对(ROSS-FILTERS)的L或K吸收边确定.罗斯滤片对的厚度通过优化计算得到，为了使每个通道的灵敏区外响应(即所测能段外响应)与通道总响应之比最小，在滤片对的第二滤片上镀上了一定厚度的第一滤片材料；为了缩减滤片表面积以增强低能滤片的抗冲击能力及方便滤片加工，能谱仪采用了小探测面积的PIN探测器(1mm²).借助此能谱仪，测量得到了喷气式Z箍缩(Z-pinch)等离子体辐射软X射线能谱的分布，并研究了软X射线产额随箍缩状况的变化趋势. 关键词： Z箍缩等离子体 罗斯滤片 软X射线能谱     

InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：     

荧光X射线分析装置

本发明的课题在于提供一种进行氮置换的荧光X射线分析装置，容易更换试样室和照射室之间的隔壁膜，在分析时，试样室的空气不流入照射室。第1支架（21）按照其窗（21a）与试样室（3）和照射室（8）之间的壁部（4）的窗（如）重合的方式气密地安装于壁部（4）上，按照覆盖第1支架的窗（21a）的方式设置隔壁膜（9）。第2支架（23）按照其窗（23a）夹持隔壁膜（9），与第1支架的窗（21a）重合的方式设置。