蒙特卡罗哈密顿新方案及其检验

蒙特卡罗哈密顿方法(MCH)是研究量子理论的数值模拟新方法, 其优点是可求出超出基态的能谱和波函数. 旧MCH方案需要自由粒子的信息, 较难推广应用于格点规范理论. 本文提出克服这个困难的新方案. 首先介绍这一方案的思想, 并以1维量子力学模型V(x)=μ²x²+λx⁴(其中μ²< 0,λ>0)为例说明实现这一新方案的具体计算步骤和方法.     

同步辐射小角X射线散射研究

应用同步辐射小角X射线散射研究了二醋酸纤维素接枝聚甲基丙烯酸甲酯在二氯甲烷和甲醇4:1的混合溶剂中的尺寸和形态. 结果表明接枝共聚物在溶剂中形成单分子微球. 微球的尺寸随支链的长度增加而增大.     

高能中子消失法的检验

以前在贫化铀／聚乙烯／铁组合球装置上进行的高能中子消失法的检验，存在的问题在于贫化铀内腔太小，距离的微小误差就会对实验结果产生很大影响，实验重复性差。因此用同样是中子增殖材料的铍代替贫化铀作补充实验。这样，一则可以减小因为距离的偏差对实验的影响；二则可能对^197Au(n，γ)、^198Au反应的影响再做研究。用铍／聚乙烯／铁组合球装置，在ns-200加速器上照射，用HPGe探测器测量．Au，Al，Nb高阈能指示剂的活化γ射线，确定它们在装置中的反应燃耗，以此检验高能中子消失法。     

适合于应用实验的X射线激光探针

X射线激光实验研究的主要目的是进行相应的应用研究。由于具有波长短、脉冲短、亮度高、相干性好的优点，因此在很多领域有潜在的应用前景。在所有的应用中，利用X射线激光作为探针来诊断等离子体或其他介质材料方面的应用是最普遍的。一般来说，激光探针穿越等离子体或介质后，光束的强度、前进方向、光程都会发生变化。分别检测这些变化，就可以获得等离子体的电子密度或介质折射率的相关信息。这就需要对作为探针的X射线激光的输出特性有深入的了解，并且选择更合适的条件进行优化。采用场图测量的方法，即直接测量X射线激光的输出光束在某一位置处的截面光强分布，能够很好地提供关于X射线激光输出光束的全面的信息，对应用研究具有很好的参考和指导作用。     

全变差有界函数列的一致(R)可积性

给出了一致有界单调函数列一致可积性定理 ,由此得出全变差序列有界的收敛函数列的一致可积性 .说明了该结论可判断一些非一致收敛函数列的逐项积分性质 .     

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响

 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入（辐照）薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H⁺离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。     

Excited Stated in ^207Rn

Excited states ^207Rn are investigated via the^196Pt(^16O,Sn)^207 Rn reaction at beam energies from 85 to 95 MeV using techniques of in-beam γ-ray spectroscopy.Measurements of γ-ray excitation function,x-γ and γ-γ-t conincidences are performed with ten BGO(AC) HPGe detectors.Based on these measurements,a level scheme of ^207Rn,including 17 γ-rays and 18 levels,is established.Spins for most of the levels are proposed according to the measured DCO ratios.The level struccture is compared with a weak-coupling calculation using the interaction energies extracted from neighbouring nuclei.     

新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究

以聚甲基丙烯酸甲脂为材料,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜(8×),可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统,并对在其聚光条件下,太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明,该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率.模具的机械加工精度和光学抛光精度低,是造成其部分聚光率损失的原因.