首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3327篇
  免费   476篇
  国内免费   352篇
化学   1371篇
晶体学   59篇
力学   433篇
综合类   26篇
数学   218篇
物理学   2048篇
  2024年   4篇
  2023年   38篇
  2022年   85篇
  2021年   67篇
  2020年   81篇
  2019年   75篇
  2018年   74篇
  2017年   92篇
  2016年   157篇
  2015年   145篇
  2014年   179篇
  2013年   258篇
  2012年   191篇
  2011年   239篇
  2010年   177篇
  2009年   243篇
  2008年   224篇
  2007年   248篇
  2006年   239篇
  2005年   156篇
  2004年   165篇
  2003年   138篇
  2002年   112篇
  2001年   100篇
  2000年   115篇
  1999年   89篇
  1998年   89篇
  1997年   58篇
  1996年   48篇
  1995年   49篇
  1994年   34篇
  1993年   28篇
  1992年   32篇
  1991年   18篇
  1990年   19篇
  1989年   15篇
  1988年   13篇
  1987年   9篇
  1986年   8篇
  1985年   12篇
  1984年   9篇
  1983年   2篇
  1982年   5篇
  1981年   8篇
  1980年   2篇
  1979年   2篇
  1977年   2篇
  1976年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有4155条查询结果,搜索用时 0 毫秒
961.
An approach based on depth-sensitive skew-angle x-ray diffraction (SAXRD) is presented for approximately evalu- ating the depth-dependent mosaic tilt and twist in wurtzite c-plane GaN epilayers. It is found that (103) plane and (101) plane, among the lattice planes not perpendicular to the sample surface, are the best choices to measure the depth profiles of tilt and twist for a GaN epilayer with a thickness of less than 2 μm according to the diffraction geometry of SAXRD. As an illustration, the depth-sensitive (103)/(101) ω-scans of a 1.4-μm GaN film grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire substrate are measured and analyzed to show the feasibility of this approach.  相似文献   
962.
小角x射线散射结晶聚合物结构的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
赵辉  董宝中  郭梅芳  王良诗  乔金梁 《物理学报》2002,51(12):2887-2891
利用结晶聚合物的“三相结构”模型计算了结晶聚合物的一维电子密度相关函数,结论是三相模型的片层厚度和不变量与两相结构的意义不同.利用计算结果分析了一批样品的结构参量,发现用Ruland方法得到的结晶过渡层的厚度与用一维电子密度相关函数的结果是一致的.用Bragg定律求出的结晶聚合物的长周期与相关函数法长周期相差很多.这是因为两种分析结晶过渡层厚度的方法都是以样品电子密度的不均匀区为基础的,本质是一致的.但是Bragg法的长周期与相关函数法的长周期代表的范围不同 关键词: 小角x射线散射 结晶聚合物 三相结构 相关函数  相似文献   
963.
以正硅酸乙酯[Si(OC2H5)4,TEOS]为前驱体制备SiO2悬浮液,分别以甲基三乙氧基硅烷[CH3Si(OC2H5)3,MTES]和二甲基二乙氧基硅烷[(CH3)2Si(OC2H5)2,DDS]为前驱体制备硅氧烷聚合物溶液,通过混合法得到两种不同的甲基改性氧化硅凝胶-测量了凝胶的散射强度,计算了凝胶的孔径分布、平均孔径DSAXS、界面层厚度E等参数,结合氮气吸附实验,分析了凝胶的孔结构-发现SiO2一次簇团被MTES聚合物或DDS聚合物连接为二次簇团时产生微孔,同时甲基随聚合物连接于凝胶骨架上形成与 关键词: 小角x射线散射 甲基改性氧化硅 干凝胶 孔结构  相似文献   
964.
偏光棱镜性能参量的求解新法   总被引:2,自引:4,他引:2  
朱化凤  宋连科  李国华  马丽丽 《光子学报》2004,33(11):1370-1372
建立了一个共点三轴系统,给出了相应的角参量关系公式,并利用其得到了任意空间角度入射时可调分束角棱镜的分束角公式,证明了此方法在解决与棱镜结构有关的问题时简单有效.  相似文献   
965.
赵保银  吕百达 《光子学报》2008,37(8):1670-1674
对平顶光束通过像散透镜的传输和光束参量(包括束宽、束腰宽度和位置、远场发散角和M2因子)的变化做了研究.结果表明,像散使平顶光束在x方向的束腰宽度增加,远场发散角减小,实际焦点的位置远离透镜,而在y方向正相反.平顶光束的M2因子与像散无关.x、y方向束宽和远场发散角的相对误差随光束阶数,瑞利长度,像散系数和透镜焦距变化.当x、y方向的光束阶数和初始束宽相等时,几何焦面上两方向束宽的相对误差相等,但在实际焦面上不同.  相似文献   
966.
967.
滴落状血迹是刑事案件现场常见血迹形态,是对犯罪现场重建分析的重要依据.本文通过血液滴落的模拟实验,分析测量结果,研究血液滴落的角度与高度对血迹形态的影响,并得出相应规律.通过对滴落状血迹形态的观察分析,反推血滴的出射角度,下落高度和排列的顺序,进而确定案发当时出血者的体位、姿势、朝向角度、动静关系.以期对现场重建有很大的帮助.  相似文献   
968.
Titanium dioxide (TiO2) thin films with different nanostructures such as nano-particles and separated vertical columns were grown by glancing angle deposition (GLAD) in an electron beam evaporation system. The photocatalytic properties of grown TiO2 films with different deposition angles and different annealing temperatures were evaluated by following decomposition of methyl orange under ultraviolet (UV) light irradiation. The results suggest that increased surface area due to the GLAD process could improve the photocatalytic properties of TiO2 films.  相似文献   
969.
浸润接触线的摩擦性质与固体表面张力的Wenzel行为   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
曹晓平  蒋亦民 《物理学报》2005,54(5):2202-2206
依据Adam和Jessop关于固-液-气三相接触线具有静摩擦性的观点,能从浸润接触角数据推算 出固体的表面张力系数,但结果显然会与摩擦条件的具体形式有关.以报道的不锈钢和聚丙 烯实验数据为例,通过对比Mises和Amonton两种摩擦定律给出的表面张力系数,后者给出的 张力才具有总是随表面粗糙性的增大而增加的Wenzel效应,以及当固-液,固-气界面的张力 系数之差等于液-气界面的张力系数时,退后角将变为零的全浸润条件.这似乎表明用Amonto n定律描写接触线的静摩擦要更为合理. 关键词: 浸润角 静摩擦 固体表面张力  相似文献   
970.
应用小角x射线散射技术分析了Al-Zn-Mg-Cu-Li合金在130,150和160℃温度时效24 h析出粒子的微结构参数的变化情况. 粒子的半径随着时效温度的增高而增加,它的比内表面积和体积百分数随着时效温度的增高而减小. 对Porod曲线q3J(q)-q2的分析表明,析出粒子与基体之间有明显的界面. 关键词: 小角x射线散射 Al-Zn-Mg-Cu-Li合金 时效 析出粒子  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号