温度对金属纳米线势能分布的影响

采用三维分子动力学模拟方法,以面心立方金属银为研究对象,基于Finnis-Sinclair型嵌入原子法(EAM)多体势,模拟研究了纳米线势能分布特征在常温下及其在不同温度直到熔化过程中的变化,给出了常温及不同温度银纳米线势能分布比例和势能分布函数.结果表明:常温下,纳米线高势能原子比例随纳米线横截面尺寸的减小而增大,势能分布函数曲线各峰位几乎与纳米线横截面尺寸无关;纳米线熔化前的势能分布函数曲线具有多个波峰,随着温度增加,峰数减少且峰位右移;熔化后,多峰特征消失,只有一个宽化的峰.     

谈谈温度的概念

本文基于对温度概念新的教学要求，阐述了温度概念的建立及其物理意义，并以现代的观点对温度概念的延伸作了初浅的讨论．     

Morin transition suppression in Polycrystalline 57Hematite (α-Fe2O3) exposed to 56Fe(II)

We used the isotope selectivity of ⁵⁷Fe Mössbauer spectroscopy to investigate changes in the magnetic properties of polycrystalline hematite exposed to ferrous iron (Fe(II)). We found that sorption of ⁵⁶Fe(II), followed by interfacial electron exchange, alters the bulk magnetic properties of ⁵⁷hematite. After reaction with ⁵⁶Fe(II), we observed partial suppression of the Morin transition of ⁵⁷hematite to below 13 K. This is significantly lower than the Morin temperature (T _M) of ～230 K measured for isotopically enriched polycrystalline ⁵⁷hematite, as well as the T _M of 264?±?2 K reported for normal polycrystalline hematite.     

Zn离子注入和退火对ZnO薄膜光学性能的影响

 利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜，将能量56 keV、剂量1×10¹⁷ cm^-2的Zn离子注入到薄膜中。离子注入后，薄膜在500~900 ℃的氩气中退火，利用X射线衍射谱、光致发光谱和光吸收谱研究了离子注入和退火对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。结果显示：衍射峰在约700 ℃退火后得到恢复；当退火温度小于600 ℃时，吸收边随着退火温度的提高发生蓝移，超过600 ℃时，吸收边随着退火温度的提高发生红移；近带边激子发光和深能级缺陷发光都随退火温度的提高而增强。     

第八届亚洲物理奥林匹克竞赛中实验考题的分析

介绍了第八届亚洲物理奥林匹克竞赛中实验考题——"干涉法测量玻璃热膨胀系数和折射率温度系数"的内容、实验原理,并对实验的考试结果进行了分析.     

飞秒时间分辨光抽运探测技术及进展

文章简要介绍了飞秒时间分辨光抽运探测技术以及作者所在实验室的最新研究进展．灵敏度和信噪比是实验中的重要参数，文章着重介绍了作者在这两方面的改进，从而可检测到更微弱信号，并降低了使用的激光功率．配合具有光学窗口的液氦低温系统，还可对更多领域的材料进行研究，其中包括高温超导、生物化学样品和纳米材料等，并可给出物质内部结构等方面的重要信息．     

具有特大磁电阻效应钙钛矿材料的制备及性能分析

通过固相烧结法制备了具有特大磁电阻效应的钙钛矿材料Pr0.64Ag0.044MnAl0.2O3.利用结构和成分分析,发现此材料只有在1 100℃高温烧结下才能生成完整的钙钛矿结构,且属于立方晶系,晶格常量a≈0.386 nm.在0.4 T的外磁场下,磁电阻值在122 K处达到最大,约为19.2%,为巨磁电阻实验提供了较好的样品.     

利用迈克耳孙干涉仪重建蜡烛火焰温度场

利用教学实验中的迈克耳孙干涉仪,进行蜡烛火焰温度场的测量.对干涉条纹进行了处理和细化,并分别用阿贝尔变换法和环带法对蜡烛火焰的温度场进行了计算,得到蜡烛火焰横截面上温度场的定量结果.     

高性价比电子标准电池

为了避免化学标准电池由于自身特点在使用中存在诸多不便,采用集成温度传感器LM334设计制作了电子标准电池,同时在设计电路中还采用了两级稳压措施以保证标准电池输出的稳定性.     

Critical temperature and condensed fraction of Bose-Einstein condensation in optical lattices

Critical temperature and condensate fraction of Bose-Einstein condensation in the optical lattice are studied. The results show that the critical temperature in optical lattices can be characterized with an equivalent critical temperature in a single lattice, which provide a fast evaluation of critical temperature and condensate fraction of Bose-Einstein condensation confined with pure optical trap. Critical temperature can be estimated with an equivalent critical temperature. It is predicted that critical temperature is proportional to q in q number lattices for superfluid state and should be equal to that in a single lattic for Mott insulate state. Required potential depth or Rabi frequency and maximum atom number in the lattices both for superfluid state and Mott state are presented based on views of thermal mechanical statistics.