磁控管法测电子荷质比e／m理论公式推导的改进

一、引言 1987年《大学物理》发表了测定电子荷质比e/m的各种方法的四篇文章。其中文献是在考虑空间电荷分布效应情况下导出r_k→0时电子运动轨迹的近似解,从而导出临界条件下测算电子荷质比的公式:e/m=(8u_a)/(r_a~2B_c~2)。并在注中说明A.W.Hull曾作过类似工作,得到结果与文献[1]完全一致,但推导方法有所不同。本文提出一种完整的推导方法,对历史上已有过的推导方法作了改进使之更符合实际。其主要改进之点为: (1)本文简化设想阴极具有电荷线密     

保偏光纤偏振器

利用保偏光纤的弯曲损耗特性绕制而成的光纤偏振器已有过报道。但文献[1]中报道的偏振器尺寸太大(φ=100mm),不利于光纤陀螺的小型化。本文介绍一种采用“熊猫”型光纤制成的偏振器,其尺寸较小(φ=30mm),消光比可达到33dB。     

一种新的$1/f$过程小波模型

给出了一种新的二进小波1/f过程模型,从理论上证明了一类谱指数为H的近似1/f过程可通过一簇平稳随机过程产生.由于所提方法利用了1/f过程小波系数的相关性,因而有效地减少了合成1/f过程的谱误差.数值实验结果表明,新模型很好地改进了已有模型.     

High-Density Read-Only Memory Disc with Ag11In12Sb51Te26 Super-Resolution Mask Layer

A novel read-only memory (ROM) disc with an Ag11ln12Sb51Te26 super-resolution mask layer is proposed and investigated for the first time to our knowledge. The carrier-to-noise ratio of more than 40 dB could be obtained from small pits (380nm), which are below the readout resolution limit (400nm), in our dynamic setup with a wavelength of 632.8 nm and numerical aperture of 0.40. Dependences of carrier-to-noise ratio on readout power,readout velocity and film thickness are studied. The results show that the optimum film thickness is 20-50nm and the corresponding carrier-to-noise ratio is more than 40dB at readout power of 4mW and readout velocity of 2m/s in our experiment. The super-resolution readout mechanism for this ROM disc is also discussed.     

J/ψ衰变到重子、反重子对中SU(3)对称性破坏的研究

利用粒子数据手册(PDG2004)公布的J/ψ衰变到重子、反重子对(BB)各个衰变道分支比的平均值, 对重子八重态的SU(3)对称性重新做了分析. 研究了J/ψ→BB中电磁相互作用和强相互作用的干涉. 得到了在J/ψ→BB中SU(3)单态、电磁 相互作用和SU(3)破坏各个因素所占的大小.     

Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films

Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.     

ZnSe/SiO2复合薄膜光学常数与荧光光谱的研究

采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术，制备了ZnSe/SiO₂复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌，结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒，也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ，Δ与波长λ的关系，采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS 关键词： 2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO₂复合薄膜 光学性质 椭偏光度法 荧光光谱     

单级A/O程序HSMBR系统性能和亚硝酸型SND

采用单级A/O程序复合膜生物反应器(HSMBR)处理高氨氮废水,研究了在低DO浓度下系统对有机物、氨氮和总氮的去除效率.研究结果表明:在低DO浓度下,COD,氨氮的平均去除率分别为94.4%和92.8%.由于进水COD/TN比仅为2.01,则使得总氮平均去除率仅为69.4%,但是当系统亚硝化累积率从60.5%～67.1%提高到83.5%～86.4%时,系统总氮去除率提高了17.7%.另外,DO在0.5～1.0 mg·L-1时,TN去除率为69.4%,亚硝酸盐氮累积率在60.5%～89.5%之间,可见维持低DO浓度可以实现亚硝酸型同时硝化反硝化.     

有限长FGM圆筒的热/机应力的解析解

利用微分方程的级数求解方法,分析了两端简支的有限长功能梯度圆筒的轴对称稳态热弹性问题,推导出了稳态温度场与应力场的解析解。分析中采用指数函数模型来描述FGM圆筒中材料性能在厚度方向的连续变化,同时忽略温度对材料性能的影响。另外,论文以金属钼和多铝红柱石制成的功能梯度圆筒为例,给出了稳态温度场和应力场的数值结果。