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111.
112.
采用 Nb 管富 Sn 法制备 Nb_3Sn 导体母材中添加适量合金元素 Ti 或 Mg 分别显著提高导体在≥12T 或≤12T 磁场区域的载流能力.由于 Ti 和 Mg 改善 Nb_3Sn 材料载流能力的机制不同,同时,Ti 进入 A15型(Nb,Ti)_3Sn 化合物晶格,并占据 Nb 原子的结晶学位置,而进入 Nb_3Sn 反应层的 Mg 则以 Mg-Nb-O 化合物沉淀相微粒弥散分布在 Cu-Sn-Mg 母材侧的 Nb_3Sn 晶粒中,因此,若在母材中同时添加合金元素 Ti 和 Mg 将可能明显提高导体在8—20T 整个实用磁场区域的载流能力.使用(Nb,Ti)_3Sn 导体(0.99mm~(?)×1.69mm~ω)制造的超导磁体(2a_1×2a_2×2b=31.5mm×70mm×99.5mm)在10.4T NbTi-Nb_3Sn 背景磁场下,磁体工作电流 I_a=392A(未失超)时,磁体中心场强 H_(?)=14.2T,此时,导体的工作电流密度 Ja(non cu)(14.2T,4.2K)=5.2×10~4Acm~(-2). 相似文献
113.
将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好. 相似文献
114.
本文研究在环形理想导体空腔中极向线电流产生的磁场。在一级环形效应近似下得到的理论结果,基本上与实验数据一致,并且可以推广使用到具有一定类型极向电流分布的情况。 相似文献
115.
热超高压处理YBCO超导体的拉曼光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用激光拉曼光谱研究经热超高压处理的YBCO氧化物超导体材料的结构特征。光谱数据表明该工艺过程除了改善YBCO氧化物超导体的物理性能外还有利于YBCO微观构型中正交相的相结构更趋完整,晶格有序度的加强以及二维CuO2网络的形成,讨论了结构变化和超导电性的关系。 相似文献
116.
对无限大导体表面,楔形导体表面,半圆柱形凸起表面电荷面密度进行了具体的计算,结果表明在静电平衡的条件下导体表面虽曲率相同,但表面电荷面密度却可以不同. 相似文献
118.
119.
Cu2O半导体超微粒子的光学性质 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了表面修饰的Cu2O半导体超微粒子的光学性质.在Cu2O超微粒子中未观察到显著的量子尺寸效应,但测量到很强的宽带光致发光,且随着激发波长变短,其发光带的峰位蓝移,发光带宽度增加.最后,分析了Cu2O超微粒子的宽带发光机制,并讨论了热处理对超微粒子的发光强度的影响. 相似文献
120.