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902.
Effect of growth conditions on the structure of two-dimensional latex crystals: experiment 总被引:1,自引:0,他引:1
C. D. Dushkin G. S. Lazarov S. N. Kotsev H. Yoshimura K. Nagayama 《Colloid and polymer science》1999,277(10):914-930
The growth kinetics and structure of two-dimensional crystals of fine latex particles on solid substrates have been studied
using a variety of microscopic techniques: optical microscopy, surface plasmon resonance microscopy, transmission electron
microscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy. A circular-shaped crystal is grown from a thin layer
of a latex suspension by a two-step mechanism: nucleation and crystal growth. Here we report an experimental study of the
factors influencing the crystallization process, especially focusing on the water evaporation rate, the liquid meniscus at
the crystal boundary, the particle size and concentration, the substrate, etc. Crystals of good quality and structure are
grown at a high evaporation rate (low humidity) favoring a convection-dominated influx of particles from the suspension. The
particle diffusion plays a role at suppressed evaporation thus causing an increase in the number of crystal defects. The dynamics
of the meniscus slope leads to growth instability resulting in a sequence of multilayer rings. A hexagonal lattice prevails
in the final crystal whereas a square lattice is observed in the transition regions between two different hexagonal multilayers.
These general trends of the crystallization process are the same for different particle diameters (19 nm, 55 nm, 144 nm and
1.696 μm), volume fractions (0.001–0.01) and substrates (bare and metal-coated glass and mica).
Received: 8 February 1999 Accepted in revised form: 12 May 1999 相似文献
903.
904.
在240℃水热体系中首次合成出系列纳米晶固溶体(CeO2)1-x(BiO1.5)x(x=0.0~0.50).产物采用X射线衍射,扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪进行表征.Bi2O3在CeO2中的固溶限约为50%.所有固溶体结晶属立方萤石结构,粒度范围为10~18nm.当Bi2O3掺杂量小于固溶限时,于800℃烧结不会导致结构转变.而对于(CeO2)0.5(BiO1.5)0.5,于800℃在空气中烧结将导致固溶限降低.Bi2O3含量低于固溶限时,固溶体只具有体电导,而(CeO2)0.6(BiO1.5)0.4的总电导可分为体电导和晶界电导.体电导为氧离子,而晶界为来自电极的银离子. 相似文献
905.
用于脉冲功率电源的高温超导脉冲变压器,集超导储能与脉冲放电为一体,在脉冲功率技术中有着良好的发展前景。设置合理的线圈结构参数可以提升高温超导脉冲功率变压器的耦合系数和储能容量,满足脉冲功率电源小型化、轻量化的优化目标。本文利用有限元仿真软件Anysys EM,建立了同轴饼式线圈叠加结构的单模块变压器模型和环形结构的多模块变压器模型,根据磁场分布和后期计算,分析了结构参数对脉冲变压器耦合系数和原边超导线圈的储能的影响。仿真分析结果表明,在77 K时,采用相同用线量的情况下,单模块高温超导脉冲变压器耦合系数和原边电感线圈的储能随线圈高度减小逐渐增大;多模块高温超导脉冲变压器减小线圈高度、增大内半径能够获得较高的性能,为超导脉冲变压器的脉冲电源实验验证提供了一定的参考依据。 相似文献
906.
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造。根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀。本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景。 相似文献
907.
采用提拉法生长了2%Dy3+和1%Tb3+(原子数分数)共掺的钆钪铝石榴石激光晶体(Gd3Sc2Al3O12, GSAG)。研究了晶体(111)晶面的腐蚀缺陷形貌并对缺陷形成机理进行了解释,讨论了晶体缺陷的特征形貌与晶体结构之间的关系。表征并计算了晶体(111)晶面的维氏硬度和莫氏硬度,在0.2 kgf载荷和10 s保荷时间条件下,晶体(111)面的维氏硬度为1 267 kg/mm2,对应的莫氏硬度为7.3。研究结果对揭示混晶石榴石晶体中缺陷的成因和探索高品质晶体生长与加工工艺具有一定的参考价值。 相似文献
908.
纳米金刚石兼具纳米材料和金刚石的双重特性,呈现出与微米金刚石、块体金刚石截然不同的特点。本文以不同尺寸金刚石样品为研究对象,采用扫描电镜、X射线衍射、光谱学、热重分析技术对其结构、光学性能和热稳定性进行研究。结果显示样品尺寸分别为300 μm、30 μm和100 nm,大尺寸样品结晶质量较好,富含孤氮杂质,为Ⅰb型金刚石。纳米金刚石样品结晶较差,含有少量石墨残留,并含有H2O、N—H和C—H键,说明其表面存在诸多有机活性基团。大尺寸金刚石样品存在中性和带负电荷的氮空位缺陷,产生较强荧光,而纳米金刚石由于存在诸多的有机基团和表面缺陷,形成非辐射中心,导致荧光猝灭。大尺寸样品在300~525 nm具有较强吸收,而纳米金刚石样品在紫外-可见-近红外整个区域均呈现出较强吸收,透过率显著较低。随着颗粒尺寸的减小,金刚石的起始氧化温度逐渐下降,氧化速率降低,因此大颗粒尺寸金刚石样品具有更好的热稳定性。 相似文献
909.
采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga2O3:Eu3+样品,并在空气中进行了退火处理,成功实现了Eu3+的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga2O3晶体随Eu3+注入剂量的应力变化趋势,发现随着Eu3+剂量的增加,晶格应力先增加后减少,并对其内在机理进行了分析。利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征,主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu3+发光峰。通过高斯拟合发现,该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成,分别与自陷激子和施主-受主对有关。此外,Eu3+发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响。 相似文献
910.
硫化亚锗(GeSe)具有合适的禁带宽度、高的吸收系数和高的载流子迁移率等优异的光电特性,且组分简单、低毒和储量丰富,特别适合作为光伏吸收材料。本文基于新型太阳电池吸收层材料GeSe构筑了结构为金属栅线/AZO/i-ZnO/CdS/GeSe/Mo/玻璃的薄膜太阳电池,分别模拟分析了缓冲层和吸收层的厚度、掺杂浓度,以及吸收层体缺陷密度对器件性能的影响。经过优化CdS缓冲层厚度和掺杂浓度以及GeSe吸收层厚度和掺杂浓度,器件获得高达27.59%的转换效率。这些结果表明GeSe基薄膜太阳电池有成为高效光伏器件的潜力。 相似文献