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61.
Growth of ZnO Thin Films on Lattice-Matched Substrates by Pulsed-Laser Deposition 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
《中国物理快报》2003,20(12):2235-2238
62.
DEBACHE Abdelmadjid BOULCINA Raouf TAFER Radia BELFAITAH Ali RHOUATI Salah CARBONI Bertrand 《中国化学》2008,26(11):2112-2116
The synthesis of 1,2,3,4-dihydropyrimidinone/thione derivatives was achieved in good to excellent yields using calcium(II) nitrate as catalyst to promote the Biginelli three-component condensation reaction from a diversity of aromatic aldehydes, β-keto compounds and urea or thiourea. The reaction was carried out under solvent-free conditions. 相似文献
63.
64.
后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 相似文献
65.
66.
简述了高聚物薄膜玻璃化转变的复杂性,并结合文章作者的的一些研究结果介绍了扫描力显微术(SFM)在研究高聚物玻璃化转变中的一些方法,包括观察高聚物薄膜形貌的变化,测量其摩擦力、粘附力和弹性模量等物理量的变化,最后指出SFM是研究高聚物薄膜玻璃化转变的有力工具。 相似文献
67.
QiaoHongYAO FuYouLI LuSHAN ChunHuiHUANG DongDongYIN 《中国化学快报》2003,14(11):1185-1188
A new photoresponsive D-π-A dye, mPS, has been designed and synthesized.Compared to the parent dye PS, IPCE values in the region from 400 nm to 560 nm was greatly improved upon changing the attaching group from the p- position to the o- position of the π-conjugation bridge. A solar cell based on mPS generated a remarkably high overall yield η of 5.4% under irradiation of 80.0 mW cm^-2 white light from a Xe lamp, Compared with PS, the overall yield η increased by 64%. 相似文献
68.
Aiming at the difficulty in the electrical resistance measurement, we develop a simple statistical model for the carbon nanotubes adequately dispersed in available insulated liquid and introduce the concept of “the most probability”. Based on this model, we obtain the function between macroscopic resistance R and resistance of an individual nanotube, Ro, from which one can calculate the resistance of an individual nanotube by measuring the macroscopic resistance. By computational simulation, we prove the reliability of the model. Then, we analyse the feasibility of the model when applied to experiment. 相似文献
69.
Characterization of Uncooled Poly SiGe Microbolometer for Infrared Detection 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
《中国物理快报》2003,20(5):770-773
70.
介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。 相似文献