MgB2超导圆线基底交流损耗的计算分析

二硼化镁(MgB2)超导体在非铜氧化物陶瓷超导体中具有最高临界转变温度,给超导应用带来了新的契机.铁与镁不反应,且价格低廉,在需要热处理的超导成材工艺中,常常采用铁作MgB2的基底;然而,这种高磁导率的材料有可能增大基底的损耗.本文采用有限元分析软件ANSYS计算了工频下不同材料基底超导圆线传输交流的基底损耗,分析了基底损耗与电流大小、基底厚度之间的关系,对双层基底的损耗也进行了研究.本文的结果对于适当选取截面尺寸、基底材料和工作电流以期减小交流损耗,具有一定参考意义.     

直流稳压电源波形演示器制作说明

直流稳压电源可以将交流电压变换为直流电压,并使之稳定,在我们现实生活中应用很广泛,在实验中我们利用的电学知识,设计制造了一种直流稳压电源。本文简要介绍了这种直流稳压电源波形演示器的设计目的和电路原理,重点阐述了它的制作流程、滤波和稳压原理以及性能测试输出波形。     

复合结构丝中的电流密度分布和巨磁阻抗效应

提出了由中间为高电导率的非铁磁性金属丝外面包裹一层铁磁材料组成的复合结构丝的电流 密度分布和巨磁阻抗(GMI)效应模型，并对Cu/FeCoNi复合丝进行了数值模拟. 结果表明：在 相同的磁性材料几何尺寸和磁特性时，Cu/FeCoNi复合丝铁磁层内的电流随频率的升高比匀 质FeCoNi铁磁丝内的电流更趋于表面分布，而且开始出现趋肤效应时对应的频率明显降低. 当在比较低的频率下就可以观察到明显的MI变化时，复合结构丝中的电阻和电抗变化主要是 由趋肤效应引起，趋肤效应仍然是引起复合结构材料(包括多层薄膜结构) 关键词： 电流密度 巨磁阻抗效应 趋肤效应     

恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况. 这种退化是恒流应力和时间的函数，对恒流应力大小的依赖性更加强烈，隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Q_inj)的函数. 在较低Q_inj下氧化层中发生正电荷俘获，在较高Q_inj下发生负电荷俘获，导致栅压变化的反复. 关键词： 2PROM')" href="#">E²PROM 隧道氧化层 退化 恒流应力     

Effect of quantum entanglement on Aharonov-Bohm oscillations, spin-polarized transport and current magnification effect

We present a simple model of transmission across a metallic mesoscopic ring. In one of its arm an electron interacts with a single magnetic impurity via an exchange coupling. We show that entanglement between electron and spin impurity states leads to reduction of Aharonov-Bohm oscillations in the transmission coefficient. The spin-conductance is asymmetric in the flux reversal as opposed to the two-probe electrical conductance which is symmetric. In the same model, in contradiction to the naive expectation of a current magnification effect, we observe enhancement as well as suppression of this effect depending on the system parameters. The limitations of this model to the general notion of dephasing or decoherence in quantum systems are pointed out.     

The Millimeter Wave Tomography Application for the Subsurface Imaging

In the present paper new results of modeling and experimental investigation on millimeter wave subsurface tomography are submitted. Tomographic algorithm is employed for imaging of subsurface objects in the case when conductivity of probed medium is not equal to zero. The possibilities and restrictions of this algorithm for image processing are shown both as a result of modeling and as a result of experiments. A new tomography setup allowing obtaining images of different inhomogeneities in dielectric media is considered.     

MOSFET调制器的实验研究

 介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30 Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80 ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30 Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。     

自旋-轨道耦合系统中的自旋流定义

通常的自旋流定义在描述自旋-轨道耦合系统中的自旋输运是不完整的与非物理的。文章作者提出在这类系统中自旋流的恰当定义。新定义的自旋流克服了通常定义下的本质缺点，可通过实验直接观测。     

基于LabVIEW的高温超导材料特性测试实验

高温超导体临界特性的测量是近代物理实验中最为经典的实验之一,本文通过使用GM制冷机,利用Lab-VIEW虚拟仪器软件和高性能采集卡,改进了传统的测量高温超导材料临界特性的实验装置.本测试系统不仅可以测量高温超导体在不同温度下的临界电流,还可以测量其失超传播特性.该实验对于学生了解超导体特性和培养严谨的科学作风十分有益.     

A modified electron bombardment type ion source for the study of solids

A modified electron bombardment type ion source suitable for use with mass spectrometer is described. Ion formation occurs throughout a relatively large volume in the ionisation box, since no magnetic field is used to collimate the ionising electrons. A sensitivity of 2 × 10⁻⁵ amp/torr is obtained for an ion extraction energy of 2 keV and 200 mass resolution. Trajectory tracing has been used to study the operation of the ion source. Capability of the ion source to analyse solid samples in microgram quantity was tested by studying evaporation of BaO from tungsten.