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991.
A growth mode and interface structure analysis has been performed for Ag deposited at a high temperature of 300°C on the HF-treated Si(111):H surface by means of medium-energy ion scattering and elastic recoil detection analysis of hydrogen. The measurements show that Ag grows in the Volmer-Weber mode and that the Ag islands on the surface are epitaxial with respect to the substrate. The preferential azimuthal orientation is A-type only when Ag is deposited slowly. The interface does not reconstruct to the √3 × √3-Ag structure, which is normally observed for Ag deposition above 200°C on the Si(111)7 × 7 surface, but retain bulk-like structure. The presence of hydrogen at the interface is demonstrated after deposition of thick (1100 Å) Ag films. However, the amount of hydrogen at the interface is not a full monolayer. This partial desorption of hydrogen from the interface explains why the Schottky barrier heights of Ag/Si(111):H diodes are close to those of Ag/Si(111)7 × 7 and Ag/Si(111)2 × 1.  相似文献   
992.
Based on a set of microoptics the output radiation from a continuous wave (CW) linear laser diode array is coupled into a multi-mode optical fiber of 400 μm diameter.The CW linear laser diode array is a 1 cm laser diode bar with 19 stripes with 100 μm aperture spaced on 500 μm centers.The coupling system contains packaged laser diode bar,fast axis collimator,slow axis collimation array,beam transformation system and focusing system.The high brightness,high power density and single fiber output of a laser diode bar is achieved.The coupling efficiency is 65% and the power density is up to 1.03×104 W/cm2.  相似文献   
993.
本文对以聚(2,5-二丁氧基对苯乙炔)为发光层的聚合物电致发光二极管的电致发光性能和影响其性能的因素进行了研究.其发光峰值波长为590um,起亮电压为12V,最大亮度可达112cd/m2.热处理温度和时间影响其发光强度和峰值波长,一般以200℃,真空处理3.5h为宜.还原气氛(N2+H2)下的热处理有利于电致发光性能的提高.器件在空气中具有一定的使用寿命.其量子效率可达0.16%光子/电子.并研究了器件制备工艺对性能的影响,初步探讨了聚合物电致发光机理.  相似文献   
994.
Quasioptical 2-mm and 1,5 mixer receivers for room temperature operation are described. Receivers incorporates polarization-rotationing dual-beam interferometers, used as antenna-heterodyn diplexer, waveguide Schottky diode mixers, carcinotron (BWO) and carcinitron with the frequency doubler, used as local oscillators (LO), and GaAs IF amplifiers. The best receiver noise temperatures are 600K (DSB) at 2,0-mm and 800K (DSB) at 1,5-mm wavelengths bands. The performance of these receivers is also discussed.  相似文献   
995.
The RF matching problem in the input circuit of the mm-wavelength whisker contacted Schottky diode mixer is studied. The experimental results, obtained on the 3mm wavelength mixer mounts in the broad band of frequencies from 80 to 115 GHz are presented. It is shown that advantage in the receiver noise temperature may be realized by the use of a full-height instead of 1/4-reduced-height waveguide because of reduction loss in the mixer input circuit even beginning from the 3mm-wavelength. With a full-height waveguide mixer the double sideband (DSB) receiver noise temperature is 300 divided by 350K over the 85 to 110 GHz band. Input bandwidth of the fullheight waveguide mixer (cap delta f S/f SO greater than 30%) is equal to 1/2-and close to 1/4-reduced-height waveguide mixers.  相似文献   
996.
 介绍了用于天光一号高功率氟化氪(KrF)准分子激光系统中的电子束双向激励主放大器稳定运行中必须解决的一些重要技术问题:水介质脉冲传输线中的绝缘支撑击穿问题;大面积电子束二极管阳极膜的安装;与压力膜接触处Hibachi筋的形状;二极管后脉冲的形成及其对阳极膜和阴极发射体造成的损害等问题。还着重描述了主开关导通时刻对二极管后脉冲的影响及最佳导通时刻的确定。  相似文献   
997.
赵家龙  丁祖昌 《发光学报》1993,14(4):349-354
本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.  相似文献   
998.
1.3μmDFB半导体激光超短脉冲的产生及其压缩   总被引:2,自引:1,他引:1  
徐建华  张位在 《光学学报》1994,14(4):60-363
本文首次报道1.3μm单模超短脉冲产生及压缩实验。通过梳状波电脉冲直接调制DCPBH-DFB半导体激光器,获得22ps单模光滑脉冲;然后利用G-T干涉仪压缩得到近变换极限超短脉冲。脉宽为9.3ps,峰值功率超过200mW,重复频率1GHz,时间带宽乘积为0.39,脉冲压缩比为2.4。最后对实验结果进行了讨论。  相似文献   
999.
激光二极管端面泵浦的单频固体激光器的理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
郑义  钱卫红 《光学学报》1997,17(7):94-899
给出了激光二极管端面泵浦的驻波激光器单频运转时的最大泵浦功率与腔参数和激光介质参烽之间的简单函数关系,对于单频激光器的设计具有实际指导意义。  相似文献   
1000.
大功率激光二极管与多模光纤耦合效率分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
林彬  曾晓东  安毓英  冯喆珺 《光学学报》2003,23(10):200-1203
提出了一种用于大功率激光二极管与多模光纤耦合的新颖的铲形整形系统,详细分析了铲形光纤端头不同的切割角度、切割深度以及耦合距离对激光二极管与铲形光纤耦合效率的影响。提出了一种计算该系统耦合效率的方法,同时给出了耦合效率的计算实例,得出了可以最大程度地提高铲形耦合头作用的优化参量。  相似文献   
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