一维双方势垒单势阱模型的共振隧穿条件研究

对于双势垒或多势垒系统,当入射粒子能量符合共振能级时将产生共振隧穿,使穿透率为一极大值,这样一个重要的性质在很多量子或半经典器件中都有广阔的应用前景.本文主要研究一维双方势垒模型及具有高度对称性的ABABA型双方势垒系统.从薛定谔方程出发,通过推导获得了一般的一维双方势垒系统的透射率计算方法,为数值计算提供了参考公式,并证明了透射率解析解的存在.对于具有高度对称性的ABABA型双方势垒系统模型,本文推导了透射率的解析表达式,并且给出了共振遂穿条件的解析解,探讨了共振隧穿所需条件及影响因素.     

Ni/4H-SiC 肖特基势垒磁场下输运性质的分析

采用高真空电子束蒸发的方法将镍 (Ni)淀积在 4H SiC(0 0 0 1)面上 ,制备出良好的Ni/4H SiC肖特基接触 .研究了Ni/4H SiC肖特基势垒在强磁场和低温下的I -V特性 ,并以热电子发射理论为基础 ,结合弛豫近似玻尔兹曼方程对Ni/4H SiC肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了分析和计算 ,发现电流的变化与磁场的平方和电压成线性关系 ,和温度成反比关系 ,与实验结果基本符合     

n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应

本文研究了n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应。实验结果显示,高温下进行电子辐照,界面处辐照诱生缺陷会同时产生和被退火恢复;器件的击穿电压和反向漏电流受辐照影响减弱,其电学阈值增加;由辐照效应导致的可见光响应的影响仍然存在。     

关于Schottky定理与Hayman常数

本文对于在单位圆盘中不取值0与1的正则函数,利用了这种函数的对数导数模的准确上界与及Hayman常数有关的上界,得到了这种函数模的显式上界与Hayman常数的关系及这种函数的正规级.     

近垒能区32S+90,96Zr势垒分布的研究

精确测量了³²S+^90,96Zr两系统的背角准弹散射激发函数, 总体误差小于1%, 从中分别抽取了它们的势垒分布, 对比观测到³²S+⁹⁶Zr的势垒结构扁平且向低能区展宽, 这种 势垒可导致在垒下能区该体系的熔合截面的大大增强. ³²S+⁹⁶Zr与³²S+⁹⁰Zr相比 存在较强的中子转移反应, 且转移Q值为正. ³²S+⁹⁶Zr势垒的扁平结构可能是中子转移道耦合所致, 这会导致³²S+⁹⁶Zr垒下熔合截面大的增强.     

重离子熔合势垒的动力学模型研究

在改进的量子分子动力学模型基础上系统地研究了超重核合成中的入射道静态势和动力学势.从入射道静态势给出了质量不对称度与静态势垒高度以及质量不对称度与接触点驱动势的关系.动力学势垒高度是能量依赖的,随着入射能量的增加而增加,最终趋近于密度冻结势垒高度;动力学势垒高度随着入射能量的降低而降低,它的最低值接近于绝热势垒高度.在冷熔合反应中,动力学势垒的最低值所对应的入射能量可能是合成超重元素最佳入射能的选择     

Electronic Transport in Nanostructures Consisting of Magnetic—Electric Barriers

We present a theoretical investigation on the transport properties of the nanostructures consisting of magneticelectric barriers produced by the deposition,on the top of a heterostructure,of metallic ferromagnetic stripe with an applied voltage.Both the transmission probability and the conductance are found to be greatly dependent upon the applied voltage.When a positive voltage is applied to the stripe,both the transmission probability and the conductance shift towards low-energy region and increase.Conversely,they move towards high-energy direction and reduce for an applied negative voltage.     

半导体超晶格量子阱研究

 自从1969年美国IBM公司的江畸(L.Esaki)和朱兆祥提出超晶格概念以来,半导体超晶格量子阱的研究巳成为半导体领域自40年代末单晶和晶体管问世以来所发生的最重大事件.这个研究领域之所以倍受重视,除了因为有明显的技术应用前景之外,还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观测量子尺寸效应的理想模型.     

高电荷态离子引起的富勒烯禹子的碎裂

离子在与富勒烯的相互作用过程中会导致C60分子的激发。处于低激发态的C60^r＋离子通过发射中性C2分子或带电的轻团簇碎片Cn^＋等非对称碎裂方式来耗散激发能，但如果激发能很高，笼形的C60^r＋离子可能会彻底崩溃，而发生多重碎裂。C60^r＋离子的碎裂过程与其电荷态r及分裂势垒密切相关。低电荷态的C60^r＋（r≤3）离子蒸发一个C2分子需要克服10．3eV左右的势垒。随着电荷态的升高，发射带电的Cn^＋会变得越来越容易，并逐渐过渡到多重碎裂过程。另一方面，C60^r＋离子的碎裂机制还与激发方式有关，在直接正碰过程中，将C60分子当作固体薄靶来处理，通过分析不同价态的C60^r＋离子的碎片谱，发现母核的初始电荷态决定碎裂方式，由此获得一个可以表征激发能大小的可观测量——发射电子个数。