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61.
在有效质量近似和球形方形势模型下,计算了开放型球状纳米系统电子散射截面及电子按能量的概率分布,探讨了线度、势垒宽度对电子散射截面和共振能量以及共振宽度的影响.结果表明:电子的散射截面随能量的分布曲线有一极大值和极小值,而且电子能量的概率分布曲线的极大值位置总是介于散射截面分布曲线的极大值与极小值的能量位置之间;散射截面随内核半径r0的增大而增大,而且散射截面分布曲线随r0的增大由较平滑变得较尖锐;散射截面随势垒宽度Δ的增大而增大,但在Δ=1.4aCdS–1.7aCdS的范围内,变化出现异常,在Δ=1.6aCdS时散射截面出现极小;电子共振能量El 随Δ的变化与电子所处状态有关,而电子共振宽度Γl随Δ的增大而减小;不论Δ取何值, El和Γl都满足能量和时间的测不准关系.
关键词:
球状纳米系统
势垒宽度
电子散射截面
电子概率分布 相似文献
62.
The influence of interfacial barrier engineering on the resistance switching of In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:SnO<sub>2</sub>/TiO<sub>2</sub>/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:SnO<sub>2</sub> device 下载免费PDF全文
The I–V characteristics of In2O3:SnO2/TiO2/In2O3:SnO2 junctions with different interfacial barriers are inves- tigated by comparing experiments. A two-step resistance switching process is found for samples with two interfacial barriers produced by specific thermal treatment on the interfaces. The nonsynchronous occurrence of conducting filament formation through the oxide bulk and the reduction in the interfacial barrier due to the migration of oxygen vacancies under the electric field is supposed to explain the two-step resistive switching process. The unique switching properties of the device, based on interfacial barrier engineering, could be exploited for novel applications in nonvolatile memory devices. 相似文献
63.
This paper reports that the SiOx barrier films are deposited on polyethylene terephthalate substrate by plasmaenhanced chemical vapour deposition (PECVD) for the application of transparent barrier packaging. The variations of 02/Tetramethyldisiloxane (TMDSO) ratio and input power in radio frequency (RF) plasma are carried out to optimize barrier properties of the SiOx coated film. The properties of the coatings are characterized by Fourier transform infrared, water vapour transmission rate (WVTR), oxygen transmission rate (OTR), and atomic force microscopy analysers. It is found that the 02/TMDSO ratio exceeding 2:1 and the input power over 200 W yield SiOx films with low carbon contents which can be good to the barrier (WVTR and OTR) properties of the SiOx coatings. Also, the film properties not only depend on oxygen concentration of the inlet gas mixtures and input power, but also relate to the surface morphology of the coating. 相似文献
64.
65.
66.
67.
基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下,Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施主态氮空位(VN)缺陷导致背景载流子浓度增高,同时通过热电子发射模式拟合得到高背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒高度和理想因子与热电子场发射模式下的结果差别很大,表明VN缺陷诱发了隧穿机理并降低了肖特基势垒高度,相应的隧穿电流显著增大了肖特基势垒总的输运电流,证实热电子发射和缺陷辅助的隧穿机理共同构成了肖特基势垒的电流输运机理.低背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒在热电子发射和热电子场发射模式下拟合的结果接近一致,表明热电子发射是其主导的电流输运机理. 相似文献
68.
对大功率白光LED发光效率进行了研究,得出温度和电流对LED发光效率的影响:随着温度的升高,势阱中辐射复合几率降低,从而降低了发光效率;电流的升高,使更多的非平衡载流子穿过势垒,降低了发光效率。LED工作时,过高的工作温度或者过大的工作电流都会产生明显的光衰:如果LED工作温度超过芯片的承载温度,这将会使LED的发光效率快速降低,产生明显的光衰,并且对LED造成永久性破坏;如果LED的工作电流超过芯片的饱和电流,也会使LED发光效率快速降低,产生明显的光衰。并且LED所能承载的温度与饱和电流有一定关系,散热良好的装置可以使LED工作温度相对降低些,饱和电流也可以更大,LED也就可以在相对较大的电流下工作。 相似文献
69.
基于载流子的注入、传输和复合过程,建立了双层有机发光器件的电致发光延时理论模型;讨论了电致发光延时随电压、注入势垒、内界面势垒、阳极区厚度及LiF缓冲层(BL)厚度的变化关系。结果表明:(1)低电压下,EL延时由复合过程主导,而高电压下,输运过程起着更重要的作用;(2)当δe/δh2时,M/O界面属于欧姆接触,电流是空间电荷限制的,注入势垒的变化对复合时间trec影响较大,当δe/δh2时,M/O界面成为接触限制,注入势垒的变化对trec几乎没有影响;(3)当内界面势垒超过0.3eV,H′h对trec的影响明显变弱,复合延迟时间基本上由电压和其它因素控制;(4)当电压较小时,随Lh/L的增大,trec增大;当电压超过某一值后,trec几乎不随Lh/L的变化而变化;(5)对于LiF/Ag阴极,在不同的偏压下,LiF的厚度在3.1nm左右时的复合时间最短,对应的EL延迟时间也最短,这与实验中从电致发光效率的角度得出的LiF最佳厚度一致。 相似文献
70.
提出了含δ势垒的多臂量子环模型.研究发现总磁通为零时,持续电流随半导体环增大发生非周期性振荡,下臂因含δ势垒而获得最小的平均持续电流.AB磁通增强时,持续电流会发生周期性等幅振荡,并与电极的磁矩方向以及隧穿电子的自旋方向相关.两电极磁矩方向平行时,Rashba自旋轨道耦合具有改变持续电流相位和相位差的效应;两电极磁矩方向反平行时,Rashba自旋轨道耦合具有改变持续电流振幅的效应.各臂之间持续电流的不同与臂长和磁通分布的差异相关.在一定条件下,两种波函数所对应的持续电流是可分离的.
关键词:
多臂量子环
持续电流
δ势垒
Rashba自旋轨道耦合 相似文献