势垒贯穿中U0=E时的透射系数研究--也从一道势垒习题的问题谈起

推导出了势垒贯穿问题中当U0=E时的透射系数表达式,并利用该公式圆满解释了《大学物理》刊出的一篇题为《从一道习题看量子力学中的势垒》文章中提出的问题     

Monte Carlo simulation of the effect of atomic diagonal transition on cluster diffusion

The effect of atomic diagonal transition on the cluster diffusion and its size dependence is simulated by kinetic Monte Carlo method. The thresholds of atomic diagonal transition barriers E_{dt} are found to be 0.2eV and 0.4eV, corresponding to with and without evaporation and condensation mechanism, respectively. The results indicate that the cluster diffusion is controlled primarily by the atomic diagonal transition, and the cluster diffusion coefficient D decreases drastically with increasing E_d when E_dE_{dt}, and the relationship between D and N changes into D∝N^{-1.08±0.027}.     

Er3+注入CdTe薄膜的结构和光电性能研究

采用离子注入技术对近距离升华制备的CdTe薄膜进行Er³⁺掺杂研究.讨论了不同掺Er³⁺浓度对CdTe薄膜的结构和光电性能的影响.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、霍耳效应测试系统和复阻抗分析仪对样品进行测试.结果表明，适当的掺杂量可以改善CdTe薄膜的结晶性能，降低晶界势垒高度，提高其导电性能.在一定掺杂范围内掺Er³⁺对CdTe薄膜的光能隙影响不大. 关键词： CdTe薄膜 离子注入 晶界势垒 光能隙     

邻晶面外延生长机制的动力学Monte Carlo模拟

用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示，低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移，高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期，原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后，台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在，在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累，而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒，台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响，将明显提高达到台阶生长模式的温度. 关键词： 外延生长模式 动力学Monte Carlo Ehrlich-Schwoebel势垒     

Airy传递矩阵法与偏压下多势垒结构的准束缚能级

使用Airy函数和传递矩阵方法精确计算了一维定态薛定谔方程，并推广到多势垒结构，求解出有/无偏压作用的2,3势垒结构的准束缚能级，进一步研究了有/无偏压作用的2,3势垒结构的准束缚能级与有效质量和外加电压的关系，并对结论的正确性进行了验证． 另外，文中 还指出了有些文章中关于Airy传递矩阵法与计算偏压下多势垒结构的准束缚能级的错误陈述 . 关键词： 准束缚能级 有/无偏压作用的多势垒结构 Airy函数 透射系数     

(Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性

研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从240V/mm猛增到1482V/mm.样品的微观结构分析发现, 当SrCO3的含量从零增加到1.50 mol%时, SnO2的晶粒尺寸迅速减小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因.对Sr含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂1.50 mol% SrCO3的SnO2压敏电阻非线性系数为21.4,击穿电压高达1482V/mm.     

Hole transporting material 5, 10, 15-tribenzyl-5H-diindolo[3, 2-a:3',2'-c]-carbazole for efficient optoelectronic applications as an active layer

In order to explore the novel application of the transparent hole-transporting material 5,10,15-tribenzyl-5Hdiindolo[3,2-a:3',2'-c]-carbazole(TBDI),in this article TBDI is used as an active layer but not a buffer layer in a photodetector(PD),organic light-emitting diode(OLED),and organic photovoltaic cell(OPV) for the first time.Firstly,the absorption and emission spectra of a blend layer comprised of TBDI and electron-transporting material bis-(2-methyl-8-quinolinate) 4-phenylphenolate(BAlq) are investigated.Based on the absorption properties,an organic PD with a peak absorption at 320 nm is fabricated,and a relatively-high detectivity of 2.44×10~(11) cm· Hz~(1/2)/W under 320-nm illumination is obtained.The TBDI/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum(Alq_3) OLED device exhibits a comparable external quantum efficiency and current efficiency to a traditional 4,4-bis[N-(l-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(α-NPD)/Alq_3 OLED.A C_(70)-based Schottky junction with 5 wt%-TBDI yields a power conversion efficiency of 5.0%,which is much higher than 1.7%for an α-NPD-based junction in the same configuration.These results suggest that TBDI has some promising properties which are in favor of the hole-transporting in Schottky junctions with a low-concentration donor.     

AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

采用定电容电压法,测量了n型Al026Ga074As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态;并对瞬态数据进行数值Laplace变换,得到其Laplace缺陷谱(LDS).通过分析LDS谱,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系,从而得到热俘获系数对温度依赖关系,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构;通过第一原理赝势法计算表明,Sn附近的AlGa原子的不同配置是电子热俘获势垒精细结构产生的主要原因     

接触电极的功函数对基于碳纳米管构建的场效应管的影响

基于碳纳米管构建的场效应管在纳电子器件中占有重要的位置, 如何获得p型和n型的电子输运性能是人们所关注的. 本文分别采用高功函数的Pt金属和低功函数的Al金属作为源漏电极, 获得了p型输运性质和n型输运性质的基于碳纳米管构建的场效应管. 能带结构的分析证明了接触电极的功函数在这种场效应管的输运机理中扮演了重要的角色, 可以仅仅通过改变接触电极的材料, 实现p型场效应管和n型场效应管之间的转换, 这是经典的金属与半导体接触的理论无法解释的. 关键词： 碳纳米管 场效应管 肖特基势垒 功函数