首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   120篇
  免费   5篇
  国内免费   46篇
化学   122篇
晶体学   2篇
力学   1篇
综合类   1篇
数学   16篇
物理学   29篇
  2024年   1篇
  2023年   2篇
  2022年   1篇
  2021年   4篇
  2020年   5篇
  2019年   5篇
  2018年   1篇
  2017年   1篇
  2016年   2篇
  2015年   3篇
  2014年   6篇
  2013年   12篇
  2012年   6篇
  2011年   6篇
  2010年   10篇
  2009年   8篇
  2008年   12篇
  2007年   5篇
  2006年   8篇
  2005年   4篇
  2004年   6篇
  2003年   4篇
  2002年   3篇
  2001年   7篇
  2000年   4篇
  1999年   2篇
  1998年   1篇
  1997年   3篇
  1996年   3篇
  1995年   1篇
  1994年   4篇
  1993年   3篇
  1992年   1篇
  1991年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
  1988年   2篇
  1987年   4篇
  1986年   2篇
  1985年   2篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   4篇
  1981年   2篇
  1980年   1篇
  1979年   3篇
  1978年   1篇
  1970年   1篇
排序方式: 共有171条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
通过对比碳酸丙烯酯在针板电极间距分别为0.5、1.0和2.0 mm下的击穿电压大小的实验,研究碳酸丙烯酯的极性效应.实验设备包含一个充电时间在5~20毫秒的电容储能型脉冲型脉冲功率源和一个内置针板电极的击穿试件. 每一组的击穿电压通过示波器显示记录. 三组不同间距下的击穿实验数据表明碳酸丙烯酯的正电极击穿场强高于负电极击穿场强,并且击穿场强随着电极间距的增大而增 大. 对碳酸丙烯酯针板电极的击穿进行了仿真模拟实验. 基于实验结果对碳酸丙烯酯的极性效应给出了相应的解释.  相似文献   
12.
利用电动势法得到了牛血清白蛋白(BSA)与十二烷基硫酸钠(SDS)相互作用的结合等温线. 通过四阶导数紫外光谱法和荧光光谱法研究了相互作用过程中芳香族氨基酸残基微环境极性的变化. 通过研究发现, 随着SDS浓度的逐渐增大, SDS在BSA上的平均结合数(v)逐渐增大, 色氨酸(Trp)残基所处微环境的极性在减弱后保持基本不变, 酪氨酸残基所处微环境的极性在明显增强后稍有减弱, 苯丙氨酸残基所处微环境的极性略有增强. 结果表明, 当v由0增大到14时, SDS主要结合在BSA的Trp-213附近并逐渐形成聚集体, 从而诱导BSA由结构域ⅡA 开始逐渐展开. 此后, SDS呈正协同作用的特点与BSA 结合, v急剧增大. 当v约为302 时, SDS在BSA上的结合基本达到饱和, BSA的构象趋于稳定.  相似文献   
13.
利用电动势法得到了牛血清白蛋白(BSA)与十二烷基硫酸钠(SDS)相互作用的结合等温线. 通过四阶导数紫外光谱法和荧光光谱法研究了相互作用过程中芳香族氨基酸残基微环境极性的变化. 通过研究发现, 随着SDS浓度的逐渐增大, SDS在BSA上的平均结合数(v)逐渐增大, 色氨酸(Trp)残基所处微环境的极性在减弱后保持基本不变, 酪氨酸残基所处微环境的极性在明显增强后稍有减弱, 苯丙氨酸残基所处微环境的极性略有增强. 结果表明, 当v由0增大到14时, SDS主要结合在BSA的Trp-213附近并逐渐形成聚集体, 从而诱导BSA由结构域ⅡA 开始逐渐展开. 此后, SDS呈正协同作用的特点与BSA 结合, v急剧增大. 当v约为302 时, SDS在BSA上的结合基本达到饱和, BSA的构象趋于稳定.  相似文献   
14.
利用电动势法得到了牛血清白蛋白(BSA)与十二烷基硫酸钠(SDS)相互作用的结合等温线. 通过四阶导数紫外光谱法和荧光光谱法研究了相互作用过程中芳香族氨基酸残基微环境极性的变化. 通过研究发现, 随着SDS浓度的逐渐增大, SDS在BSA上的平均结合数(v)逐渐增大, 色氨酸(Trp)残基所处微环境的极性在减弱后保持基本不变, 酪氨酸残基所处微环境的极性在明显增强后稍有减弱, 苯丙氨酸残基所处微环境的极性略有增强. 结果表明, 当v由0增大到14时, SDS主要结合在BSA的Trp-213附近并逐渐形成聚集体, 从而诱导BSA由结构域ⅡA 开始逐渐展开. 此后, SDS呈正协同作用的特点与BSA 结合, v急剧增大. 当v约为302 时, SDS在BSA上的结合基本达到饱和, BSA的构象趋于稳定.  相似文献   
15.
利用电动势法得到了牛血清白蛋白(BSA)与十二烷基硫酸钠(SDS)相互作用的结合等温线. 通过四阶导数紫外光谱法和荧光光谱法研究了相互作用过程中芳香族氨基酸残基微环境极性的变化. 通过研究发现, 随着SDS浓度的逐渐增大, SDS在BSA上的平均结合数(v)逐渐增大, 色氨酸(Trp)残基所处微环境的极性在减弱后保持基本不变, 酪氨酸残基所处微环境的极性在明显增强后稍有减弱, 苯丙氨酸残基所处微环境的极性略有增强. 结果表明, 当v由0增大到14时, SDS主要结合在BSA的Trp-213附近并逐渐形成聚集体, 从而诱导BSA由结构域ⅡA 开始逐渐展开. 此后, SDS呈正协同作用的特点与BSA 结合, v急剧增大. 当v约为302 时, SDS在BSA上的结合基本达到饱和, BSA的构象趋于稳定.  相似文献   
16.
基于极性叠加原理,在成功设计烷烃异构体和多氯代烷烃生成焓计算新方法的基础上,设计了一种计算多元醇异构体生成焓的新方法,并合理地假定任一异构体的原子化焓等于三种键(C-C、C-H和C-O-H键)的键能、极性叠加能项以及氢键能项的加和.用这一模型拟合24种原子化焓数据,得到了标准生成焓的估算公式.为了检验预测的精确性,又设计了一种预测方法,使用在排除被预测的化合物条件下回归得到的参数,预测该化合物的生成焓.按这种方法,预测了24种异构体的生成焓.通过该5参数预测的相对于实验值的各种误差(平均绝对误差、均方根误差和最大绝对误差)不仅比7参数的基团法预测的对应误差小得多,而且比相应实验数据的误差还要小.与键加和法比较,该方法的模型包含了极性叠加能和氢键能量,该两项代表了主要的非键相互作用能,表征了不同异构体的结构差异,并大大减少了参数.  相似文献   
17.
利用电动势法得到了牛血清白蛋白(BSA)与十二烷基硫酸钠(SDS)相互作用的结合等温线. 通过四阶导数紫外光谱法和荧光光谱法研究了相互作用过程中芳香族氨基酸残基微环境极性的变化. 通过研究发现, 随着SDS浓度的逐渐增大, SDS在BSA上的平均结合数(v)逐渐增大, 色氨酸(Trp)残基所处微环境的极性在减弱后保持基本不变, 酪氨酸残基所处微环境的极性在明显增强后稍有减弱, 苯丙氨酸残基所处微环境的极性略有增强. 结果表明, 当v由0增大到14时, SDS主要结合在BSA的Trp-213附近并逐渐形成聚集体, 从而诱导BSA由结构域ⅡA 开始逐渐展开. 此后, SDS呈正协同作用的特点与BSA 结合, v急剧增大. 当v约为302 时, SDS在BSA上的结合基本达到饱和, BSA的构象趋于稳定.  相似文献   
18.
High-temperature (HT) AIN films were grown on (0 0 0 1) sapphire by low-pressure flow-modulated (FM) metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) with and without inserting a thin medium-temperature (MT) AIN layer. To suppress parasitic reactions between the sources of trimethylaluminum (TMA) and ammonia (NH3), TMA and NH3 was introduced to the reactor of MOVPE by alternating supply way. Surface morphology and crystalline quality were characterized by a scanning electronic microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM) and X-ray rocking curve (XRC) measurements of (0 0 0 2) and (10-12) diffractions. The AFM and SEM measurements indicated that the thin MT-AIN layer had a strong influence on the surface morphology of the HT-AIN films. The surface morphology became quite smooth by inserting the thin MT-AIN layer and surface RMS roughness values were 0.84 nm and 13.4 nm for the HT-AIN films with and without inserting the thin MT-AIN buffer layer, respectively. By etching the samples in aqueous KOH solution, it was found that the polarity of AIN films was different, the HT-AIN film with the thin MT-AIN layer could not be etched, indicating that the film had an Al-polar surface; however, the film without the MT-AIN layer was etched, which was explained that that film had a N- or mixed-polar surface. The mechanism for the origin of the different polarity of HT-AIN with and without the thin MT-AIN layer was proposed and discussed in detail.  相似文献   
19.
A new UHPLC–MS/MS (ultra high performance liquid chromatography coupled to tandem mass spectrometry) method was developed and validated to detect 38 anthelmintic drug residues, consisting of benzimidazoles, avermectins and flukicides. A modified QuEChERS-type extraction method was developed with an added concentration step to detect most of the analytes at <1 μg kg−1 levels in milk. Anthelmintic residues were extracted into acetonitrile using magnesium sulphate and sodium chloride to induce liquid–liquid partitioning followed by dispersive solid phase extraction for cleanup. The extract was concentrated into dimethyl sulphoxide, which was used as a keeper to ensure analytes remain in solution. Using rapid polarity switching in electrospray ionisation, a single injection was capable of detecting both positively and negatively charged ions in a 13 min run time. The method was validated at two levels: the unapproved use level and at the maximum residue level (MRL) according to Commission Decision (CD) 2002/657/EC criteria. The decision limit (CCα) of the method was in the range of 0.14–1.9 and 11–123 μg kg−1 for drugs validated at unapproved and MRL levels, respectively. The performance of the method was successfully verified for benzimidazoles and levamisole by participating in a proficiency study.  相似文献   
20.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号