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51.
利用递变冲击阻抗材料叠合而成的组合飞片,在二级轻气炮上对无氧铜进行了准等熵压缩性测量,加载时间约达1 μs。用激光速度干涉仪连续记录了不同厚度处无氧铜样品自由面速度随时间的变化过程,并通过拉格朗日波分析技术计算得到40 GPa下的准等熵的应力-应变曲线。结果表明:在低应力区,无氧铜的准等熵压缩线位于冲击绝热线之上;到32 GPa以上,准等熵压缩线才回落到冲击绝热线之下。这个现象与Barker、Chhabildas等对铝与钨的实测现象是一致的,它表明:在低应力区,材料的冲击强化效应与加载速率密切相关。 相似文献
52.
53.
为了用热图法测量高能激光强度的时空分布,设计了将半导体制冷片作为激光靶屏的测量方案。研制了由16个50 mm×50 mm的制冷片组装成的总面积为200 mm×200 mm、总制冷功率超4 800 W的靶屏, 屏四周安装了8个红外标定物用于校正红外图像的畸变。理论上用热传导方程建立了激光辐照半导体制冷片靶屏的加热模型;数值模拟了屏表面温度分布同光强分布的关系,论证了氧化铝陶瓷材料制成的半导体制冷片作为高能激光靶屏的可行性,以及制冷片的制冷功能对测试性能的改善;通过实验验证了研制的靶屏测量光强是可行的。 相似文献
54.
55.
10.6μm激光诱导扩散中热致破坏的抑制 总被引:2,自引:0,他引:2
在半导体激光诱导扩散实验中,用连续波CO2 10.6μm激光聚焦后照射基片表面。为实现局部区域的选择扩散,激光光斑半径仅数十微米。要使曝光区温度达到扩散实验要求,必须使曝光区功率密度很高。另一方面,Si、InP等半导体材料对10.6μm波长激光的吸收系数随温度的升高而增大,这导致实验时容易产生热致破坏,损伤基片。在分析热致破坏的产生机理后,提出了在聚焦激光束照射下,曝光区温度的数值计算方法。计算结果表明,在半导体基片初始温度为室温时,以恒定功率的激光束照射基片,曝光区温度不能稳定在扩散试验需要的温度范围。在此基础上,提出了预热基片及对曝光区温度进行实时控制等抑制热致破坏的方法,有效地克服了这一困难。这对于用激光微细加工制作出高性能的单片光电集成电路(OEICs)器件有重要意义。 相似文献
56.
CL-18是根据TATB和BTF两种化合物的分子结构特征所设计并已合成的,其分子兼具TATB和BTF的分子特征,一方面,氨基的推电子效应使C-NO2键能增强,又由于氨基与硝基的氧原子间形成强的分子内和分子间氢键,更增强了分子的稳定性,因而具有优良的热稳定性和较低的感度。另一方面,分子中引入氧化呋咱基团,可明显提高化合物的密度和爆轰性能。在钝感冲击片雷管和钝感传爆药中具有潜在的应用前景。 相似文献
57.
58.
59.
采用Kim,Kim,Suzuki和Ode提出的KKSO多相场模型,研究了固定层片间距不同层片厚度条件下三维过共晶层片生长形态的演化行为.研究表明,层片厚度对层片生长过程有较大影响.当层片厚度较小时,厚度效应较弱,类似于二维生长.随着层片厚度的增加,厚度效应逐渐增强并开始产生厚度方向的振荡失稳,造成层片取向的偏转.层片厚度的进一步增加,使层片宽度方向和层片厚度方向的振荡交替出现.当层片厚度大于层片宽度时,厚度效应逐渐强于宽度效应,最终宽度方向的振荡被抑制,仅在厚度方向形成类似于二维的1λ振荡.
关键词:
数值模拟
多相场
三维层片生长
层片厚度 相似文献
60.
建立高效液相色谱法测定咖酚伪麻片中盐酸伪麻黄碱含量的方法。色谱柱为C18(150mm×4.6mm×5μm),流动相为0.05mol/L磷酸二氢钠-甲醇(75∶25),流速为1mL/min,检测波长为210nm。盐酸伪麻黄碱在0.2155—1.0776μg/g范围内线性良好,r=0.9999;盐酸伪麻黄碱的平均收率为100.92%,RSD值为0.41%(n=5)。此法操作简单,准确性好,可用于咖酚伪麻片中盐酸伪麻黄碱的含量测定。 相似文献