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991.
Motivated by recent experimental progress in high-resolution scanning tunneling microscopy (STM) techniques, we investigate the local quasiparticle density of states around a unitary impurity in the heavy-fermion superconductor CeCoIn5. Based on the T -matrix approach we obtain a sharp nearly zero-energy resonance state in the strong impurity potential scattering localized around the impurity and find qualitative differences in the spatial pattern of the tunneling conductance modulated by the nodal structure of the superconducting gap. These unique features may be used as a probe of the superconducting gap symmetry and, in combination with further STM measurements, may help to confirm the dx2y2 pairing in CeCoIn5 at ambient pressure.  相似文献   
992.
Photocatalytic dissociation of ethanol molecules on the rutile TiO2(110) surface after UV irradiation has been investigated by scanning tunneling microscope at 80 K. Most of the ethanol molecules adsorb molecularly at Ti sites, similar to the case of methanol. After UV irradiation, two different protrusions of products were observed, one of them has been identified by the technique of tip manipulation, which was likely composed of an acetaldehyde in the middle and two bridge-bonded hydroxyls on both neighbored oxygen sites. Multi-time irradiation experiments have also been performed to further understand the relationship between the two protrusions and the process of ethanol photocatalytic dissociation. These results provide detailed insights into the photocatalysis of ethanol on rutile TiO2(110), which would help us to understand how phtotocatalytic reactions of ethnaol proceed at the fundamental level.  相似文献   
993.
本文以纠缠轨线分子动力学方法研究对称受驱双势阱系统的量子隧穿动力学过程.驱动力的幅度和频率改变将对量子隧穿动力学过程产生巨大的影响,这为人们自主控制这一重要的过程提供理论基础.当体系的经典动力学呈现混沌状态时,它的量子动力学过程将发生显著的变化.在强驱动力作用下,双势阱系统的量子共振频率隧穿和非共振频率隧穿因为混沌行为的出现明显增强.通过对比相空间中具有相同初始态的纠缠轨线和经典轨线演化,我们给出量子隧穿过程清晰的物理图像.最后,我们讨论量子隧穿动力学过程中体系不确定度的演化和反映波包动力学过程的自关联函数演化.  相似文献   
994.
基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了有价值的理论指导与实践基础.  相似文献   
995.
The tunneling dynamics of dilute boson gases with three-body interactions in a periodically driven double wells are investigated both theoretically and numerically.In our findings,when the system is with only repulsive twobody interactions or only three-body interactions,the tunneling will be suppressed;while in the case of the coupling between two- and three-body interactions,the tunneling can be either suppressed or enhanced.Particularly,when attractive three-body interactions are twice large as repulsive two-body interactions,CDT occurs at isolated points of driving force,which is similar to the linear case.Considering different interaction,the system can experience different transformation from coherent tunneling to coherent destruction of tunneling(CDT).The quasi-energy of the system as the function of the periodically driving force shows a triangular structure,which provides a deep insight into the tunneling dynamics of the system.  相似文献   
996.
讨论电场使电子从纳米厚度的金属片经过量子隧穿进入真空的过程.忽略金属片的厚度,通过共形变换,使得真空电势和电子波函数满足简单的边界条件,从而得到严格的电势分布和近似的电子波函数解,给出发射电流密度空间分布的表达式.  相似文献   
997.
研究了低温(15 K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性. 研究表明,器件在零偏压下处于共振状态. 通过分析不同偏压下的磁电导振荡曲线,可以得到双量子阱中的基态束缚能级随偏压的变化规律,从而可以确定隧穿电流峰对应的隧穿机制. 所得结果可为弱耦合双量子点器件的制备提供基础. 关键词: 双量子阱 隧穿结构 磁电导振荡  相似文献   
998.
Qinfeng Xu 《Optik》2010,121(21):1941-1943
Currently, the minimum feature size fabricated is about 15-40 nm. The resolution of Fresnel zone plates is limited by the width of the outermost zone. Although the photon sieves make it possible to focus soft X-rays to spot sizes smaller than the diameter of the smallest pinhole they have low diffraction efficiency. In order to foster strengths and circumvent weaknesses of them, we propose a new model which is composed of Fresnel zone and pinholes and give its fast Fourier algorithm. The simulation results demonstrate that the resolution of photon sieves is not better than that of Fresnel zone plates in low order of local rings. In this case, we can substitute pinholes for Fresnel zone in photon sieves. Resolution is nearly a constant, and also the diffraction efficiency improves.  相似文献   
999.
采用第一性原理研究了SnPc分子在Ag(111)表面的吸附构型和电子结构. Sn-up和Sn-down两种优化的吸附构型与实验测量结果非常吻合,SnPc以Sn-down构型吸附在Ag(111)表面显得更稳定. Sn原子在两种吸附构型之间转换所需要能量与转换方向有关,由Sn-up向Sn-down构型转换时需翻越一个1.68 eV的能垒,反之需要2.17 eV. 扫描隧道显微镜理论模拟图像给出实验观测结果的主要特征,Sn-up分子的中心处为一个亮斑,而Sn-down分子中心为一个空洞. 计算结果验证了实验提出的Sn原子吸附位置的转换机理.  相似文献   
1000.
We have investigated electron transport and electron filling in single InAs quantum dots (QDs) using nanogap electrodes. Elliptic InAs QDs with diameter of 60/80 nm exhibited clear shell filling up to 12 electrons. Shell-dependent charging energies and level quantization energies for the s, p, and d states were determined from the addition energy spectra. Furthermore, it is found that the charging energies and the tunneling conductances strongly depend on the shell, reflecting that the electron wave functions for higher shells are more extended in space.  相似文献   
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