波导与探测器吸收层垂直耦合结构中的光学耦合分析

利用几何学理论分析了波导与探测器吸收层之间的光学传播情况，以硅基波导与ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ探测器吸收层主分析对象，说明光学耦合效率与两层介质的折射率分布及吸收层长度的关系。     

基于光纤布拉格光栅编解码器的直接序列扩频跳频光码分多址系统

提出了一种混合直扩跳频光纤码分多址（DS／FH－OCDMA）系统的实现方法，该系统采用跳频素数码作为扩频码，运用了光纤布拉格光栅序列作为编解码器，并在解码器两端安置了双硬限幅器以提高系统的性能，理论分析和仿真结果表明，该系统具有大用户容量，高功率效率和低误码率等方面的优点。     

高功率PIN限幅器设计及测试方案

 介绍了利用PIN二极管进行高功率无源限幅器的设计方法,分析了影响限幅器功率容量、限幅电平、尖峰泄露、响应速度及恢复时间等的因素。利用平面微带电路的形式,提出了无源检波式及主动式PIN限幅器设计,仿真结果表明:该无源检波式限幅器起限电平约为-3 dBm,脉冲功率容量60 dBm,限幅电平15 dBm左右。针对设计的限幅器,提出了用于测试限幅器性能的高功率实验平台。该平台采用双路双频耦合测量,具有很高的大小信号隔离度,能够进行高功率脉冲、连续波测试,在准确测量限幅器的功率容量、限幅电平、响应速度及恢复时间等指标方面具有很高的可靠性。     

自由载流子吸收损耗控制研究

利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结构后,偏置电压、入射光强和本征区宽度是影响自由载流子吸收损耗的主要因素,通过调整PIN结所加偏置电压、入射光强和本征区宽度,可以实现对脊形波导自由载流子吸收损耗的控制。计算结果可为硅基光调制器和拉曼激光器的设计制备提供一定的参考依据。     

强脉冲γ射线能谱测量仪研制

研制出了一种用于强脉冲γ射线能谱测量的能谱仪,在感应电压叠加器实验平台上,测量了阳极杆箍缩二极管产生的强脉冲γ射线能谱。选择适合强脉冲γ射线测量的Si-PIN探测器阵列和铅过滤片作为测量系统,通过在能谱仪的前部放置不同厚度的铅衰减片,测量了感应电压叠加器的强脉冲γ射线的强度。理论计算了不同能量的光子经过不同厚度的铅衰减片以后在探测器阵列上的能量沉积,得到了探测器的灵敏度曲线。利用探测器上的理论计算的电荷量和实验波形的对应关系,求解了该加速器的能谱。光子的最高能量约为1.44 MeV,平均能量为0.68 MeV,其中能量在0.4~0.8 MeV范围内的光子数最多,占74.3%。     

基于ARMA模型的受损限幅器模型建立方法

针对限幅器遭受功能或物理损伤而发生的非线性效应, 给出了一种基于信号分析的受损限幅器非线性效应研究新视角, 并从该视角出发, 提出了模型建立方法。该方法首先测得受损限幅器幅频响应序列, 将其转化为零均值实平稳序列; 然后计算该序列的自相关函数和偏相关函数, 估计自回归滑动平均(ARMA)模型的阶数; 最后采用最小二乘法估计出模型的表达式, 并采用最终预测误差(FPE)准则对该表达式进行校验。试验结果和理论分析验证了该方法的良好效果。     

10.784μm无镜斯塔克效应光学双稳性

利用同位素C~(13)O_2~(16)激光器R(18)支线与NH_3分子(as)_Q(6,6)跃迁间的相互作用,观察到了斯塔克效应光学双稳性和光学限幅,分析了含有多普勒加宽的稳态理论,实验结果与理论分析结论一致.     

星型光码分多址系统中的远近效应

分析了星型拓扑结构光码分多址系统中的能量损耗,阐明了远近效应产生的主要原因。在考虑远近效应的情况下,对系统的误码率进行了理论推导和数值仿真。结果表明,目标用户和干扰用户之间的功率差越小,系统的误码率也就越高。提出几种抑制远近效应的可行方案。     

Study of the PIN detector's radiation tolerance

PIN detectors have been extensively used to detect charged particles and X-ray. The new type PIN detectors were irradiated by different energy protons, and their irradiation tolerance was investigated. Relative charge collection efficiency, energy spectrometer and relative energy resolution were also measured. With the increasing of irradiation dose, charge collection efficiency decreased and relative energy resolution grown. The results suggested that the irradiation tolerance in the PIN detector depended on the range of the protons in the detector. The maximum tolerance irradiation doses of the detector for the impacts of 3.5 and 7.2 MeV protons were 3×10¹⁰p/cm² and 7.2×10⁹p/cm², respectively.     

PIN限幅器PSpice模拟与实验研究

 从PIN二极管基区双极载流子扩散方程出发,通过拉普拉斯变换求解得到PIN二极管子电路模型,从而通过PSpice软件瞬态数值模拟得到了PIN限幅器的尖峰泄漏、平顶泄漏与脉冲功率、上升时间关系。对于I层厚度一定的限幅器,模拟与实验表明脉冲前沿越大,尖峰泄漏功率插入损耗越大,脉冲前沿过缓则可能没有尖峰泄漏现象;尖峰泄漏功率随着输入功率的增加而变大,但尖峰泄漏功率插损也随之增大;尖峰脉冲宽度与I层厚度、输入功率及脉冲前沿均有关系。限幅器尖峰泄漏与平顶泄漏模拟结果与实验数据基本一致。