双端抽运热容激光器温度特性分析

通过对激光二级管阵列双端抽运热容激光器晶体的分析,建立了热传导模型及边界条件.利用有限元方法模拟了晶体的温度场分布,并分别对抽运光斑直径、抽运持续时间、抽运光强和晶体端面尺寸等因素对温度场分布的影响进行了分析,得到了热容工作模式下的激光器温度特性.结果表明,晶体端面温差随抽运光斑直径的增大先增后减,存在一个极大值,并且在不同抽运光强下,出现端面温差极大点时的抽运光斑直径不变.     

N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响

用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明：随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小, 而光学带隙先增大后减小; 当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙E_g增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明：较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。     

LD泵浦Cr4+∶YAG被动调Q锁模Nd∶Gd0.42Y0.58VO4激光器

理论和实验研究了LD泵浦Nd∶Gd0.42Y0.58VO4/Cr4+∶YAG被动调Q锁模激光器.在分析Cr4+∶YAG晶体能级结构和调Q锁模物理过程的基础上,通过数值模拟给出了Cr4+∶YAG调Q锁模的参量要求,然后进行了实验验证.实验中Cr4+∶YAG的初始透过率T0分别为86.3%、95%,输出镜的透过率T分别为10%、20%,在其他条件不变的情况下构成四种不同的组合,均实现了激光器的调Q锁模运转.实验结果表明,降低Cr4+∶YAG的初始透过率T0或提高输出镜透过率T有利于获得较好的锁模效果,与理论分析一致.     

LD泵浦腔外倍频高转换效率Nd3+∶GdVO4固体激光器

通过合理设计精密调控各元件和温控电流，得到了平均功率为70 mW，脉冲宽度为22 ns，重复频率为14 kHz，峰值功率高达230 W的Nd3+∶GdVO4/Cr4+YAG红外脉冲激光器.先采用双凸透镜组合成的望远镜系统对1 063 nm的红外激光进行扩束，再对该光束聚焦，最后经双轴晶体LBO倍频后，得到了平均功率为40.6 mW，脉冲宽度为16 ns，重复频率为14 kHz，峰值功率高达181 W的绿光激光输出，1063 nm→532 nm的转换效率高达58%.测量了532 nm的光谱线宽曲线.解释了该聚焦方法比单一薄透镜效果明显好的原因，并指出了这种聚焦方法的使用对象.     

高效率激光二极管泵浦100 Hz 3.5 J Nd∶YAG MOPA激光器

研制了结构简单、高效率激光二极管泵浦Nd∶YAGM0PA激光器.振荡级输出单脉冲能量1.13 J,重复频率为100HZ.MOPA系统输出最大单脉冲能量2.35 J,光-光转换效率为39%.实验结果和理论计算符合较好.     

激光二极管端面抽运的棒状Yb：YAG激光器

分析了影响激光二极管抽运Yb：YAG激光器调Q效率的参量，推导了激光二极管端面脉冲抽运Yb：YAG晶体的速率方程，解出了双程抽运情况下的净抽运量子产率。利用数值计算方法，模拟了净抽运量子产率与晶体长度，抽运光脉冲宽度等关系，得出晶体长度的优化可以提高Yb：YAG激光器输出效率。计算了词Q Yb：YAG激光器的最大增益、最大储能，分析了放大自发辐射对于Yb：YAG能量存储的影响。同时给出了激光二极管端面抽运调Q Yb：YAG优化设计方法。这些分析和计算为实际器件的研制提供参考。     

双频激光技术研究新进展及发展趋势

双频激光器在干涉测量和光学传感等技术领域扮演极其重要的角色。综述了近年来双频激光技术研究的新进展(包括双折射双频He Ne激光器、双折射双频Nd:YAG激光器和双纵模半导体激光器),简要介绍了各种双频激光器的工作原理,分析了这些双频激光器在频差大小、频差稳定性和频差调谐特性等方面的优缺点,指出了今后双频激光技术研究的发展趋势。     

LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究

报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.     

Tb3+∶YAG单晶荧光层中掺杂Ga3+的荧光敏化作用

采用液相外延工艺成功制备了Tb3 + ∶YAGG单晶荧光层 ,研究了Tb3 + 激活YAG主晶格外延层中Ga3 + 掺杂的荧光敏化效应 ,可以看到在Tb3 + 荧光得到显著增强的同时 ,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga3 + 掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽 ,并与Tb3 + 的7F6 9E、7E典型吸收峰发生交叠的现象 ,用基质与Tb3 + 之间的声子耦合解释了上述Tb3 + ∶YAGG外延层中所存在的能量传递、荧光敏化现象。基质与掺杂激活中心间能量传递机制的建立将会为基于YAG主晶格的高效荧光材料研究提供一个新的思路。     

Roughness influence on the sheet resistance of the PEDOT:PSS printed on paper

The use of paper as a platform to manufacture organic electronic devices, electronic paper, has expanding potential for many applications because of several properties offered. In this work, we show a study of PEDOT:PSS printed by inkjet on bond paper, vegetal paper and sheets of PET. The relation between the surface density of the deposited material, morphology and resistivity was investigated for samples printed with a commercial Hewlett-Packard(HP)^® printer and Microsoft Word^® software. The amount of material deposited, i.e. surface density, was controlled using the print number in the same position and changing the gray scale used in the image formation. Changing the surface density of printed PEDOT:PSS, it is possible to produce a continuous film permeating the papers fibers. Sheet resistances obtained, when 7.0 mg cm⁻² of PEDOT:PSS were deposited on the surfaces, were: (a) 413.2 kΩ/Sq for bond paper, (b) 5.6 kΩ/Sq for vegetable paper and (c) 2.3 kΩ/Sq for PET. The exponential dependence of sheet resistance with the surface density of printed material allows us to evaluate the strong influence of substrate roughness on PEDOT:PSS conductivity and to predict, for each one, conditions to minimize it.